-
公开(公告)号：CN108231575B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201711068815.3
申请日：2017-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供能够抑制磁阻效应元件的磁特性的劣化的蚀刻方法。蚀刻方法包括如下工序：蚀刻包含磁隧道结的第1多层膜的工序；为了在等离子体处理装置的腔室内蚀刻包含钉扎层的第2多层膜而在腔室内生成包含烃气和稀有气体的第1气体的等离子体的工序；以及(iii)为了除去在生成第1气体的等离子体的工序中形成的含碳堆积物而在腔室内生成包含含有碳和氧的气体、氧气和稀有气体且不含氢的第2气体的等离子体的工序。
-
公开(公告)号：CN107710391A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680038175.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: H01L21/3065 , C23F4/00 , H01L21/32136 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 在包含由金属磁性材料形成的层的多层膜的蚀刻中抑制多层膜的剥离和/或开裂。在一个实施方式中，在将等离子体处理装置的处理容器的内部的压力设定为比较高的压力即第1压力的状态下，对包含由金属磁性材料形成的层的多层膜进行蚀刻。接着，在将处理容器内部的压力设定为比第1压力低的第2压力的状态下，对多层膜进一步进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN101601125A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200780049914.5
申请日：2007-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32568 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32522 , H01J37/32541
Abstract: 本发明在于提供一种处理容器的侧壁的温度控制性优异，并且能够抑制等离子体对基板的损伤的等离子体处理装置。等离子体装置(1)具有设置于处理容器(11)上部的与载置台(2)相对置的第1电极(31)以及第2电极(32)、对第1电极(31)和第2电极(32)之间供给处理气体的气体供给部(4)、为了将第1电极(31)和第2电极(32)之间供给的处理气体等离子体化而对电极(31、32)之间施加高频电力的高频电源部(33)、以及自处理容器(11)下部对处理容器(11)内的气氛进行真空排气的排气装置(14)。载置台(2)上的基板B附近的等离子体的电子温度降低，能够抑制等离子体对基板B的损伤，另外由于能够使用金属作为处理容器(11)的材料，其温度控制性良好。
-
公开(公告)号：CN116210356A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180065121.2
申请日：2021-10-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，该方法包括形成垂直访问晶体管，形成垂直访问晶体管包括：在衬底上沿第一方向形成位线；在位线中的每个位线上方形成多晶硅柱体作为牺牲柱体；在多晶硅柱体的侧表面上形成栅极氧化物；在多晶硅柱体上沿第二方向形成字线，其中栅极氧化物置于字线与多晶硅柱体之间，第二方向不基本平行于第一方向；在形成字线之后，去除多晶硅柱体以留下垂直空隙来代替多晶硅柱体；使用氧化物半导体填充垂直空隙，该氧化物半导体用作垂直访问晶体管的沟道；以及在垂直访问晶体管的沟道上形成单元电容器。
-
公开(公告)号：CN107710391B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201680038175.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
Abstract: 在包含由金属磁性材料形成的层的多层膜的蚀刻中抑制多层膜的剥离和/或开裂。在一个实施方式中，在将等离子体处理装置的处理容器的内部的压力设定为比较高的压力即第1压力的状态下，对包含由金属磁性材料形成的层的多层膜进行蚀刻。接着，在将处理容器内部的压力设定为比第1压力低的第2压力的状态下，对多层膜进一步进行蚀刻。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101802986B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200880024210.7
申请日：2008-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/3145 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/318 , H01L21/67069 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
-
公开(公告)号：CN102089867A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127227.X
申请日：2009-07-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种通过等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置，其包括：处理容器；设置在所述处理容器内用于载置基板的载置台；与所述载置台相对设置的、由在下面形成有向所述处理容器内供给处理气体的多个气体喷出孔的导电性部件构成的气体喷淋头；在包围所述气体喷淋头下方空间的区域中供给用于产生感应耦合型等离子体的高频电流的感应线圈；用于向所述气体喷淋头施加负的直流电压，由此将通过所述感应线圈感应产生的感应电场引入处理区域的中央部一侧的负电压供给单元；和对所述处理容器内进行抽真空的单元。
-
公开(公告)号：CN111201588A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201880065720.2
申请日：2018-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法。在一实施方式的蚀刻方法中，对具有磁性隧道结层的多层膜进行蚀刻。在该蚀刻方法中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置的腔室主体提供内部空间。在该蚀刻方法中，在内部空间中容纳被加工物。接着，利用内部空间中所生成的第1气体的等离子体对多层膜进行蚀刻。第1气体包含碳及稀有气体，不包含氢。接着，利用内部空间中所生成的第2气体的等离子体进一步对多层膜进行蚀刻。第2气体包含氧及稀有气体，不包含碳及氢。
-
公开(公告)号：CN103209757A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054593.4
申请日：2011-11-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B01D67/0023 , B01D61/025 , B01D67/0034 , B01D67/0062 , B01D69/10 , B01D71/022 , B01D71/024 , B01D2323/225 , B01D2323/24 , B01D2323/283 , B01D2325/02 , B01D2325/08 , B01D2325/48 , Y10T156/10
Abstract: 本发明提供能方便地得到自来水或淡水的过滤用过滤器的制造方法。对于由硅构成的基板1，使用形成在该基板1的表面上并具有使该表面的一部分露出的多个开口部的掩膜进行蚀刻，在基板1上形成多个直径约100nm的圆孔2，使氧化硅膜3沉积在形成的圆孔2的内表面上，调整因氧化硅膜3而缩小的圆孔2的开口部附近的最小直径部4中的直径D1至1nm～100nm。
-
公开(公告)号：CN102741986A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180005916.0
申请日：2011-01-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4404 , B29C59/14 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67069 , H01L21/68757 , Y10S156/915
Abstract: 本发明的蚀刻方法包括：将基板搬入处理容器内并载置于载置台的工序；蚀刻工序，以包围基板的方式配置有环部件的状态下，从与基板对置的气体供给部喷淋状地排出处理气体，并且使处理气体等离子体化，对被蚀刻膜进行蚀刻，其中，所述环部件至少表面部的主成分与被蚀刻膜的主成分为相同材质；和经由排气通道对所述处理容器内抽真空的工序。由此能够抑制基板的周端部附近的等离子体的活性种分布的偏差。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.021 seconds)
