公开(公告)号：CN102498546A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080041115.5

申请日：2010-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 沢田郁夫 ,  康松润 ,  松隈正明 ,  河西繁 ,  森嶋雅人

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/50 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32633

Abstract: 本发明涉及成膜装置。在密封的处理容器(10)内使反应气体反应而在基板(S)上形成薄膜的成膜装置(1a)中，分隔壁(41)将基板(S)的上方空间在横向分割为等离子体生成空间(401)与排气空间(402)，并且从处理容器(10)的顶部向下方延伸，在其下端与基板S之间形成从等离子体生成空间(401)向排气空间(402)流动气体的缝隙。活化机构(42，43)使供给至等离子体生成空间(401)的第1反应气体活化而生成等离子体。第2反应气体供给部(411，412)向等离子体生成空间(401)的下部侧供给与第1反应气体的活性种反应而在基板上形成薄膜的第2输送气体，真空排气口(23)从比分隔壁(41)的下端高的位置对排气空间(402)进行排气。