-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1685484A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822748.7
申请日：2003-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67115
Abstract: 本发明的基板处理装置以稳定而且有效地进行被处理基板的成膜处理为目的，基板处理装置把被处理基板W支撑在面对加热器部的位置，同时使保持被处理基板W的保持部件旋转，由此使被处理基板的温度分布均匀，抑制被处理基板的翘曲。处理容器的内壁由利用不透明石英形成的石英衬套覆盖，保护其不受来自紫外线光源照射的紫外线的影响并利用隔热效果抑制因来自加热器部的热造成的温度上升。由此，延长处理容器的寿命。
-
公开(公告)号：CN102301460A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006085.4
申请日：2010-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/4404 , C23C16/45565
Abstract: 成膜装置(100)具备：收容晶片(W)的腔室(1)；在腔室(1)内载置晶片(W)的载置台(2)；在载置台(2)上加热晶片(W)的加热器(5a、5b)和；设置为与载置台(2)对向，向晶片(W)排出成膜用的处理气体的主体由铝或铝合金构成的喷淋板(12)，其是在晶片(W)的表面，形成在成膜温度下热膨胀率比喷淋板(12)的主体(13)的热膨胀率低5×10-6/℃以上的膜的装置，喷淋板(12)在与主体(13)的载置台(2)相对的表面形成有厚度为10μm以上的阳极氧化被膜(14)。
-
公开(公告)号：CN1685485B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN03822829.7
申请日：2003-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C16/481
Abstract: 本发明的基板处理装置以稳定而且有效地进行被处理基板的成膜处理为目的，基板处理装置把被处理基板W支撑在面对加热器部的位置，同时使保持被处理基板W的保持部件旋转。此外加热器部把SiC加热器和热反射部件装在透明石英制的石英钟罩内部，通过使处理容器内部减压并使石英钟罩内部也减压，可以使石英钟罩的壁厚减薄，这样来自SiC加热器的热传导效率提高，而且可以防止因SiC加热器造成的污染。
-
公开(公告)号：CN100433272C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN03822748.7
申请日：2003-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67115
Abstract: 本发明的基板处理装置以稳定而且有效地进行被处理基板的成膜处理为目的，基板处理装置把被处理基板W支撑在面对加热器部的位置，同时使保持被处理基板W的保持部件旋转，由此使被处理基板的温度分布均匀，抑制被处理基板的翘曲。处理容器的内壁由利用不透明石英形成的石英衬套覆盖，保护其不受来自紫外线光源照射的紫外线的影响并利用隔热效果抑制因来自加热器部的热造成的温度上升。由此，延长处理容器的寿命。
-
公开(公告)号：CN1685485A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822829.7
申请日：2003-09-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C16/481
Abstract: 本发明的基板处理装置以稳定而且有效地进行被处理基板的成膜处理为目的，基板处理装置把被处理基板W支撑在面对加热器部的位置，同时使保持被处理基板W的保持部件旋转。此外加热器部把SiC加热器和热反射部件装在透明石英制的石英钟罩内部，通过使处理容器内部减压并使石英钟罩内部也减压，可以使石英钟罩的壁厚减薄，这样来自SiC加热器的热传导效率提高，而且可以防止因SiC加热器造成的污染。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.018 seconds)
