-
公开(公告)号：CN110534454A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910422709.3
申请日：2019-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明对能够抑制处理液附着在喷嘴的下端面的液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质进行说明。液处理装置包括：处理液供给部，其构成为能够从位于基片的表面侧的喷嘴对表面供给处理液；引导部件，其构成为能够引导从喷嘴释放的处理液的液流；和控制部。喷嘴包括平坦的下端面，在该下端面设有用于释放处理液的释放口。控制部执行以下动作：控制处理液供给部，以使得在下端面靠近表面的状态下从释放口对表面实释放处理液的动作；和控制处理液供给部，以使得在引导部件位于释放口附近的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液的动作。
-
公开(公告)号：CN112058537B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202010483452.5
申请日：2020-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B05B13/02 , B05B12/08 , B05D1/00 , G03F7/16 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：保持基片并使其旋转的旋转保持部；液供给部，其具有释放处理液的喷嘴，对由旋转保持部保持的基片的表面供给处理液；使喷嘴在基片的中心与周缘部之间移动的驱动部；以及控制旋转保持部、液供给部和驱动部的控制部。控制部执行供给控制，该供给控制通过一边使基片旋转，一边使喷嘴从基片的中心向周缘部移动并从该喷嘴释放处理液，以形成作为螺旋状的轨迹的供给轨迹的方式对所述基片的表面供给所述处理液，控制部在执行供给控制时，至少在形成供给轨迹的最外周的部分，使基片的表面的每单位面积的处理液的释放量逐渐减少。本发明的目的在于使形成在基片的表面的覆膜的膜厚均匀性提高。
-
公开(公告)号：CN104882363B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201510092233.3
申请日：2015-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67248 , C23C16/4481 , C23C16/4482 , C23C16/56 , H01L21/0201 , H01L21/02656 , H01L21/67017
Abstract: 提供一种能够向基板供给稳定的量的处理气体的处理气体产生装置、处理气体产生方法等。处理气体产生装置(3)使自载气供给部(33、331)供给的载气在容纳于原料液罐(31、32)的原料液(8)中鼓泡而产生处理气体，自原料液(8)(液相部)的上方侧的气相部经由取出部(301)取出通过鼓泡而产生的处理气体。第1温度调整部(34)进行液相部的温度调整，第2温度调整部(35)进行该气相部的温度调整，以使气相部的温度高于上述液相部的温度。
-
公开(公告)号：CN110534454B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910422709.3
申请日：2019-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明对能够抑制处理液附着在喷嘴的下端面的液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质进行说明。液处理装置包括：处理液供给部，其构成为能够从位于基片的表面侧的喷嘴对表面供给处理液；引导部件，其构成为能够引导从喷嘴释放的处理液的液流；和控制部。喷嘴包括平坦的下端面，在该下端面设有用于释放处理液的释放口。控制部执行以下动作：控制处理液供给部，以使得在下端面靠近表面的状态下从释放口对表面实释放处理液的动作；和控制处理液供给部，以使得在引导部件位于释放口附近的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液的动作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112058537A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010483452.5
申请日：2020-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B05B13/02 , B05B12/08 , B05D1/00 , G03F7/16 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：保持基片并使其旋转的旋转保持部；液供给部，其具有释放处理液的喷嘴，对由旋转保持部保持的基片的表面供给处理液；使喷嘴在基片的中心与周缘部之间移动的驱动部；以及控制旋转保持部、液供给部和驱动部的控制部。控制部执行供给控制，该供给控制通过一边使基片旋转，一边使喷嘴从基片的中心向周缘部移动并从该喷嘴释放处理液，以形成作为螺旋状的轨迹的供给轨迹的方式对所述基片的表面供给所述处理液，控制部在执行供给控制时，至少在形成供给轨迹的最外周的部分，使基片的表面的每单位面积的处理液的释放量逐渐减少。本发明的目的在于使形成在基片的表面的覆膜的膜厚均匀性提高。
-
公开(公告)号：CN107785289B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201710728899.2
申请日：2017-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及基板处理方法、基板处理装置以及记录介质，有效提高涂布膜的膜厚的均匀性。涂布和显影装置(2)具备：喷嘴(22)，其向晶圆喷出处理液；压送部(40)，其向喷嘴侧加压输送处理液；送液管路(50)，其具有从压送部侧向喷嘴侧排列的阀(53、54)，用于从压送部向喷嘴引导处理液；以及控制器(100)。控制器构成为执行以下动作：在阀(54)关闭且阀(53)与阀(54)之间的压力比压送部与阀(53)之间的压力高的状态下打开阀(53)；控制压送部以使由于阀(53)打开而降低的阀(53)与阀(54)之间的压力上升；以及在由于阀(53)打开而阀(53)与阀(54)之间的压力降低之后打开阀(54)。
-
公开(公告)号：CN107785289A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710728899.2
申请日：2017-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0027 , G03F7/162 , G03F7/70433 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , H01L21/67253 , H01L21/67011 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及基板处理方法、基板处理装置以及记录介质，有效提高涂布膜的膜厚的均匀性。涂布和显影装置(2)具备：喷嘴(22)，其向晶圆喷出处理液；压送部(40)，其向喷嘴侧加压输送处理液；送液管路(50)，其具有从压送部侧向喷嘴侧排列的阀(53、54)，用于从压送部向喷嘴引导处理液；以及控制器(100)。控制器构成为执行以下动作：在阀(54)关闭且阀(53)与阀(54)之间的压力比压送部与阀(53)之间的压力高的状态下打开阀(53)；控制压送部以使由于阀(53)打开而降低的阀(53)与阀(54)之间的压力上升；以及在由于阀(53)打开而阀(53)与阀(54)之间的压力降低之后打开阀(54)。
-
公开(公告)号：CN104882363A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510092233.3
申请日：2015-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67248 , C23C16/4481 , C23C16/4482 , C23C16/56 , H01L21/0201 , H01L21/02656 , H01L21/67017
Abstract: 提供一种能够向基板供给稳定的量的处理气体的处理气体产生装置、处理气体产生方法等。处理气体产生装置(3)使自载气供给部(33、331)供给的载气在容纳于原料液罐(31、32)的原料液(8)中鼓泡而产生处理气体，自原料液(8)(液相部)的上方侧的气相部经由取出部(301)取出通过鼓泡而产生的处理气体。第1温度调整部(34)进行液相部的温度调整，第2温度调整部(35)进行该气相部的温度调整，以使气相部的温度高于上述液相部的温度。
-
公开(公告)号：CN207052580U
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201721058463.9
申请日：2017-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0027 , G03F7/162 , G03F7/70433 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , H01L21/67253
Abstract: 本实用新型涉及基板处理装置，特别涉及涂布膜的基板处理装置。能够有效提高涂布膜的膜厚的均匀性。涂布和显影装置具备：喷嘴，其向晶圆喷出处理液；压送部，其向喷嘴侧加压输送处理液；送液管路，其具有从压送部侧向喷嘴侧排列的阀(53、54)，用于从压送部向喷嘴引导处理液；以及控制器。控制器构成为执行以下动作：在阀(54)关闭且阀(53)与阀(54)之间的压力比压送部与阀(53)之间的压力高的状态下打开阀(53)；控制压送部以使由于阀(53)打开而降低的阀(53)与阀(54)之间的压力上升；以及在由于阀(53)打开而阀(53)与阀(54)之间的压力降低之后打开阀(54)。本实用新型能够应用于基板处理装置。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.022 seconds)
