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    涂敷处理装置和杯体
    1.
    发明授权
    涂敷处理装置和杯体 有权

    公开(公告)号：CN108630529B

    公开(公告)日：2023-04-04

    申请号：CN201810207953.3

    申请日：2018-03-14

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 畠山真一 ,  川上浩平

    IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/67

    摘要： 本发明在以旋转式在基板上涂敷涂敷液的涂敷处理装置中，防止涂敷液被设置于杯体内的气流控制板弹返而飞散到晶片的表面上。抗蚀剂涂敷装置包括收纳旋转卡盘(121)并从底部排气的杯体，该杯体包括：与保持于旋转卡盘(121)的晶片(W)相比位于顶部侧，包围该晶片(W)的外周的气流控制部(151)；和支承气流控制部的支承部(153)，该支承部其一个端部与杯体(125)的内周面连接，另一个端部与上述一个端部相比位于顶部侧并且与气流控制部连接，在上述支承部形成有在与晶片的旋转轴垂直的方向上穿透的形状的第1孔(153a)，在比该第1孔靠外侧下方的位置形成有在晶片的旋转轴方向上穿透的形状的第2孔(153b)。

    液体处理方法和液体处理装置
    2.
    发明公开
    液体处理方法和液体处理装置 有权

    公开(公告)号：CN105810558A

    公开(公告)日：2016-07-27

    申请号：CN201510919402.6

    申请日：2015-12-11

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 桥本崇史 ,  畠山真一 ,  柴田直树

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

    摘要： 本发明提供液体处理方法、液体处理装置和液体处理用记录介质，能够提高对基板的处理液的涂敷状态的均匀性。涂敷单元(U1)包括：使晶片(W)旋转的旋转保持部(20)；向晶片(W)的表面(Wa)上供给处理液(R)的喷嘴(32)；和控制喷嘴(32)相对于晶片(W)的位置的控制部(60)。液体处理方法使晶片(W)以第一转速(ω1)旋转，同时在从晶片(W)的旋转中心(CL1)偏离的位置开始对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(R)，使处理液(R)的供给位置向旋转中心(CL1)侧移动，在处理液(R)的供给位置到达旋转中心(CL1)之后，以比第一转速(ω1)大的第二转速(ω2)使晶片(W)旋转，由此使处理液(R)在晶片(W)的外周侧涂敷扩展。

    液体处理方法和液体处理装置
    3.
    发明授权
    液体处理方法和液体处理装置 有权

    公开(公告)号：CN105810558B

    公开(公告)日：2020-03-27

    申请号：CN201510919402.6

    申请日：2015-12-11

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 桥本崇史 ,  畠山真一 ,  柴田直树

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

    摘要： 本发明提供液体处理方法、液体处理装置和液体处理用记录介质，能够提高对基板的处理液的涂敷状态的均匀性。涂敷单元(U1)包括：使晶片(W)旋转的旋转保持部(20)；向晶片(W)的表面(Wa)上供给处理液(R)的喷嘴(32)；和控制喷嘴(32)相对于晶片(W)的位置的控制部(60)。液体处理方法使晶片(W)以第一转速(ω1)旋转，同时在从晶片(W)的旋转中心(CL1)偏离的位置开始对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(R)，使处理液(R)的供给位置向旋转中心(CL1)侧移动，在处理液(R)的供给位置到达旋转中心(CL1)之后，以比第一转速(ω1)大的第二转速(ω2)使晶片(W)旋转，由此使处理液(R)在晶片(W)的外周侧涂敷扩展。

    涂敷处理方法和涂敷处理装置
    5.
    发明授权
    涂敷处理方法和涂敷处理装置 有权

    公开(公告)号：CN105702604B

    公开(公告)日：2019-11-05

    申请号：CN201510919166.8

    申请日：2015-12-11

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 桥本崇史 ,  畠山真一 ,  柴田直树 ,  吉原孝介 ,  久保田稔 ,  井手裕幸

    IPC分类号： H01L21/67

    摘要： 本发明提供涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置。在基板上涂敷涂敷液时，能够将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。在晶片上涂敷涂敷液的方法，向晶片上供给涂敷液的溶剂，在该晶片的外周部环状地形成溶剂的液膜，使晶片以第一转速旋转，同时向晶片的中心部供给涂敷液(时间t1～t2)，使晶片以比第一转速快的第二转速旋转，使涂敷液在基板上扩散(时间t4～t5)。直至涂敷液与溶剂的液膜接触前持续进行溶剂的供给(时间t0～t3)。

    涂敷处理方法、程序、计算机存储介质和涂敷处理装置
    6.
    发明公开
    涂敷处理方法、程序、计算机存储介质和涂敷处理装置 有权

    公开(公告)号：CN102346375A

    公开(公告)日：2012-02-08

    申请号：CN201110206174.X

    申请日：2011-07-15

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 吉原孝介 ,  畠山真一

    IPC分类号： G03F7/16 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/6715

    摘要： 本发明提供一种涂敷处理方法和涂敷处理装置，在基板上涂敷涂敷液时，能够将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。具体而言，给旋转中的晶片上供给溶剂，使晶片以第六转速旋转使溶剂扩散(工序S1)。使晶片的旋转加速到第一转速，使晶片以第一转速旋转(工序S2)。使晶片的旋转减速到第二转速，使晶片W以第二转速旋转(工序S3)。使晶片的旋转进一步加速到第三转速，使晶片以第三转速旋转(工序S4)。使晶片的旋转减速到第四转速超过0rpm并在500rpm以下，使晶片以第四转速旋转1～10秒(工序S5)。使晶片的旋转加速到第五转速，使晶片以第五转速旋转(工序S6)。在从工序S2到工序S3的途中，或者工序S2中对晶片的中心连续供给抗蚀剂液。

    基板处理方法、基板处理装置以及记录介质
    8.
    发明授权
    基板处理方法、基板处理装置以及记录介质 有权

    公开(公告)号：CN107785289B

    公开(公告)日：2023-07-25

    申请号：CN201710728899.2

    申请日：2017-08-23

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 畠山真一 ,  渡边圣之 ,  西幸三 ,  户塚诚也 ,  吉原健太郎

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/027

    摘要： 本发明涉及基板处理方法、基板处理装置以及记录介质，有效提高涂布膜的膜厚的均匀性。涂布和显影装置(2)具备：喷嘴(22)，其向晶圆喷出处理液；压送部(40)，其向喷嘴侧加压输送处理液；送液管路(50)，其具有从压送部侧向喷嘴侧排列的阀(53、54)，用于从压送部向喷嘴引导处理液；以及控制器(100)。控制器构成为执行以下动作：在阀(54)关闭且阀(53)与阀(54)之间的压力比压送部与阀(53)之间的压力高的状态下打开阀(53)；控制压送部以使由于阀(53)打开而降低的阀(53)与阀(54)之间的压力上升；以及在由于阀(53)打开而阀(53)与阀(54)之间的压力降低之后打开阀(54)。

    基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
    9.
    发明公开
    基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 审中-实审

    公开(公告)号：CN114843206A

    公开(公告)日：2022-08-02

    申请号：CN202210088864.8

    申请日：2022-01-25

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 畠山真一 ,  川上浩平

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683

    摘要： 本发明涉及基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，不提高排气压地防止自基板甩出的成膜处理液向液体接受部的外部泄漏。基板处理装置包括：保持基板并使其旋转的保持旋转部、向基板供给成膜处理液的供给部、接受因旋转而自基板甩出的成膜处理液的液体接受部以及对基板处理进行控制的控制部，液体接受部在上部具有供基板穿过并向上方的空间开口的孔，液体接受部的内部被排气，基板处理包含供给处理和干燥处理，基板处理装置还包括相对于液体接受部的上表面进退自如的圆环状的圆环构件，控制部控制为：在供给处理时，圆环构件以封堵液体接受部的孔的周缘的方式设于液体接受部的上表面，在干燥处理时，圆环构件自液体接受部的上表面退避。