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公开(公告)号:CN107275259B
公开(公告)日:2021-11-30
申请号:CN201710201871.3
申请日:2017-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。防止处理液向干燥处理后的基板转移。在本发明中,具有:使用处理液来对基板进行液处理的液处理部;对由所述液处理部进行了液处理之后的湿润状态的所述基板进行干燥处理的干燥处理部;将处理前的所述基板向所述液处理部输送的第1输送部;从所述液处理部向所述干燥处理部输送湿润状态的所述基板的第2输送部;输送由所述液处理部进行液处理之前的所述基板、并且从所述干燥处理部输送干燥处理后的所述基板的第3输送部,在面对所述第3输送部的一侧配置有所述第1输送部、所述第2输送部以及所述干燥处理部,在面对所述第1输送部和所述第2输送部并与所述第3输送部相反的一侧配置有所述液处理部。
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公开(公告)号:CN118366889A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410034476.0
申请日:2024-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的维护方法,能够顺利地进行干燥单元的维护。基板处理装置具备干燥单元和控制装置,该干燥单元将形成于水平的基板的上表面的液膜置换为超临界流体来对所述基板进行干燥。所述干燥单元具有壁板、电磁锁、压力传感器以及浓度传感器,所述壁板将内部空间与外部空间隔开,所述电磁锁在锁定状态与解锁状态之间切换,所述锁定状态是将所述壁板固定于限制从所述外部空间向所述内部空间的访问的位置的状态,所述解锁状态是允许所述壁板移动的状态。所述控制装置将所述电磁锁的状态从所述锁定状态切换为所述解锁状态的解锁条件包括:所述压力传感器的检测值为阈值以下;以及所述浓度传感器的检测值为阈值以下。
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公开(公告)号:CN107275259A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201710201871.3
申请日:2017-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/024 , B08B3/08 , B08B3/10 , H01L21/67161 , H01L21/67745 , H01L21/67023 , H01L21/67034
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。防止处理液向干燥处理后的基板转移。在本发明中,具有:使用处理液来对基板进行液处理的液处理部;对由所述液处理部进行了液处理之后的湿润状态的所述基板进行干燥处理的干燥处理部;将处理前的所述基板向所述液处理部输送的第1输送部;从所述液处理部向所述干燥处理部输送湿润状态的所述基板的第2输送部;输送由所述液处理部进行液处理之前的所述基板、并且从所述干燥处理部输送干燥处理后的所述基板的第3输送部,在面对所述第3输送部的一侧配置有所述第1输送部、所述第2输送部以及所述干燥处理部,在面对所述第1输送部和所述第2输送部并与所述第3输送部相反的一侧配置有所述液处理部。
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公开(公告)号:CN118266059A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202180104090.7
申请日:2021-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 矢羽田庆一
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 能够与曝光装置(5)连接的基片处理系统(1)包括:用于对基片进行处理的基片处理装置(2);和用于连接所述基片处理装置和所述曝光装置的第1供给路径(110),其能够将在所述基片处理装置中使用后的冷却水供给至所述曝光装置。采用该结构,能够减少基片处理系统和曝光装置中的冷却水的总使用量。
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公开(公告)号:CN118235231A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202180104091.1
申请日:2021-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 矢羽田庆一
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明的目的在于,在由供给装置对基片处理系统供给气氛气体时,减少该供给装置取入的清洁空气的需要量。基片处理系统(1)能够与曝光装置(30)连接,包括:对基片进行处理的基片处理装置(10);和对上述基片处理装置(10)供给基片处理时的气氛气体的供给装置(20),上述供给装置(20)具有取入从上述曝光装置排出的排出气体的取入部(21),上述供给装置(20)在对从上述取入部(21)取入的上述排出气体的温度和/或湿度进行调节后,将其作为上述气氛气体供给到上述基片处理装置(10)。
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