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公开(公告)号：CN107154342B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201710123005.7
申请日：2017-03-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。防止向基板处理容器内输入的晶圆上的液体干燥。基板处理装置(3)包括基板处理容器主体(31A)以及保持构件(42)，所述保持构件(42)从该基板处理容器主体(31A)外方将晶圆(W)向基板处理容器主体(31A)内输送，并在处理过程中保持晶圆(W)。在基板处理容器主体(41)的外方设置有支承晶圆(W)的基板支承销(49)和对保持构件(42)进行冷却的冷却板(45)。
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公开(公告)号：CN107275259B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201710201871.3
申请日：2017-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种基板处理装置。防止处理液向干燥处理后的基板转移。在本发明中，具有：使用处理液来对基板进行液处理的液处理部；对由所述液处理部进行了液处理之后的湿润状态的所述基板进行干燥处理的干燥处理部；将处理前的所述基板向所述液处理部输送的第1输送部；从所述液处理部向所述干燥处理部输送湿润状态的所述基板的第2输送部；输送由所述液处理部进行液处理之前的所述基板、并且从所述干燥处理部输送干燥处理后的所述基板的第3输送部，在面对所述第3输送部的一侧配置有所述第1输送部、所述第2输送部以及所述干燥处理部，在面对所述第1输送部和所述第2输送部并与所述第3输送部相反的一侧配置有所述液处理部。
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公开(公告)号：CN108074843A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711136158.1
申请日：2017-11-16
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/08 , B08B7/0021 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67748 , H01L21/67034 , H01L21/67017
摘要： 本发明提供一种能够容易地进行处理容器的维护作业的基板处理装置。基板处理装置(3)具备：容器主体(311)，其收容基板(W)，并且，使用高压的处理流体对基板(W)进行处理；输送口(312)，其用于相对于容器主体(311)内输入和输出基板(W)。在容器主体(311)的、与输送口(312)不同的位置设有开口(321)。开口(321)被第2盖构件(322)封堵。
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公开(公告)号：CN101650532A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910166414.0
申请日：2009-08-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/67051 , G03F7/162 , G03F7/3021 , H01L21/6715 , H01L21/67178
摘要： 本发明提供一种液体处理装置、液体处理方法和存储介质，能够在抑制液体处理装置的总排气量的增大的同时增加基板保持部的排列数量。通过分别设置有第一调节风门(72)的多个个别排气通路(7)和与这些多个个别排气通路(7)的下游侧共同连接的共用排气通路(73)，对n个(n为3以上的整数)杯体4以排气量(E)进行抽吸排气，此时，构成第一调节风门(72)，使得在药液喷嘴(5)位于与晶片(W)相对的设定位置的一个杯体中，从该杯体侧以第一吸入量(E1)吸入外部气体；在其余的杯体中，从该杯体侧以比第一吸入量(E1)小的第二吸入量(E2)吸入外部气体，并且杯体(4)侧和支路(76)侧两者的外部气体的吸入量为(E-E1)/(n-1)。
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公开(公告)号：CN115692172A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210873730.7
申请日：2022-07-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理装置具备流体喷出部及与其连接的供给线路；流体排出部及与其连接的排出线路；以及流动控制机构，其设置于供给线路和排出线路中的至少一方，对在处理容器内从流体喷出部朝向流体排出部流动的处理流体的流动进行控制，该基板处理方法包括流通工序，在该流通工序中，使处理流体以该处理流体沿基板的表面流动的方式从流体喷出部向流体排出部流动，流通工序包括使处理流体在处理容器内分别以第一及第二流通模式流动的第一及第二流通阶段，第一流通模式与第二流通模式下的沿基板的表面流动的处理流体的流动方向分布不同，第一流通模式与第二流通模式之间的切换由流动控制机构进行。
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公开(公告)号：CN101650532B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200910166414.0
申请日：2009-08-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/67051 , G03F7/162 , G03F7/3021 , H01L21/6715 , H01L21/67178
摘要： 本发明提供一种液体处理装置、液体处理方法和存储介质，能够在抑制液体处理装置的总排气量的增大的同时增加基板保持部的排列数量。通过分别设置有第一调节风门(72)的多个个别排气通路(7)和与这些多个个别排气通路(7)的下游侧共同连接的共用排气通路(73)，对n个(n为3以上的整数)杯体4以排气量(E)进行抽吸排气，此时，构成第一调节风门(72)，使得在药液喷嘴(5)位于与晶片(W)相对的设定位置的一个杯体中，从该杯体侧以第一吸入量(E1)吸入外部气体；在其余的杯体中，从该杯体侧以比第一吸入量(E1)小的第二吸入量(E2)吸入外部气体，并且杯体(4)侧和支路(76)侧两者的外部气体的吸入量为(E-E1)/(n-1)。
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公开(公告)号：CN108074843B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201711136158.1
申请日：2017-11-16
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种能够容易地进行处理容器的维护作业的基板处理装置。基板处理装置(3)具备：容器主体(311)，其收容基板(W)，并且，使用高压的处理流体对基板(W)进行处理；输送口(312)，其用于相对于容器主体(311)内输入和输出基板(W)。在容器主体(311)的、与输送口(312)不同的位置设有开口(321)。开口(321)被第2盖构件(322)封堵。
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公开(公告)号：CN111211069A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911157723.1
申请日：2019-11-22
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。谋求超临界干燥处理的効率化。本公开的基板处理装置为一种使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置，该基板处理装置具备处理容器和多个保持部。处理容器为进行干燥处理的容器。多个保持部在处理容器的内部分别保持不同的基板。
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公开(公告)号：CN107154342A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710123005.7
申请日：2017-03-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/02101 , B08B3/08 , B08B7/0021 , H01L21/02054 , H01L21/6704 , H01L21/67109 , H01L21/67742 , H01L21/67748 , H01L21/68742 , H01L21/68785 , H01L21/67034 , H01L21/02 , H01L21/02052 , H01L21/67011 , H01L21/67051 , H01L2221/67
摘要： 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。防止向基板处理容器内输入的晶圆上的液体干燥。基板处理装置(3)包括基板处理容器主体(31A)以及保持构件(42)，所述保持构件(42)从该基板处理容器主体(31A)外方将晶圆(W)向基板处理容器主体(31A)内输送，并在处理过程中保持晶圆(W)。在基板处理容器主体(41)的外方设置有支承晶圆(W)的基板支承销(49)和对保持构件(42)进行冷却的冷却板(45)。
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