公开(公告)号：CN114068359A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110865833.4

申请日：2021-07-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 梅崎翔太 ,  稻富弘朗

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明提供使进行超临界干燥的基板处理装置小型化的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括：输送模块，其配置有用于输送基板的输送装置；以及处理模块，其与所述输送模块相邻。所述处理模块包括：液膜形成单元，其在水平的所述基板的上表面形成液膜；以及干燥单元，其将所述液膜置换为超临界流体而对所述基板进行干燥。所述干燥单元包括：压力容器，其在内部形成所述基板的干燥室；盖体，其封闭所述干燥室的开口；以及支承体，其在所述干燥室中水平地支承所述基板。所述支承体相对于所述干燥室固定。所述输送装置水平地保持形成有所述液膜的所述基板，并通过所述干燥室的所述开口而进入所述干燥室。

公开(公告)号：CN107275259B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201710201871.3

申请日：2017-03-30

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 稻富弘朗 ,  中村徹 ,  木本晃司 ,  清原康雄 ,  冈村聪 ,  枇杷聪 ,  山元伸矢 ,  大川胜宏 ,  矢羽田庆一 ,  中原哲郎

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明提供一种基板处理装置。防止处理液向干燥处理后的基板转移。在本发明中，具有：使用处理液来对基板进行液处理的液处理部；对由所述液处理部进行了液处理之后的湿润状态的所述基板进行干燥处理的干燥处理部；将处理前的所述基板向所述液处理部输送的第1输送部；从所述液处理部向所述干燥处理部输送湿润状态的所述基板的第2输送部；输送由所述液处理部进行液处理之前的所述基板、并且从所述干燥处理部输送干燥处理后的所述基板的第3输送部，在面对所述第3输送部的一侧配置有所述第1输送部、所述第2输送部以及所述干燥处理部，在面对所述第1输送部和所述第2输送部并与所述第3输送部相反的一侧配置有所述液处理部。

公开(公告)号：CN102029273B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201010502243.7

申请日：2010-09-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 上川裕二 ,  稻富弘朗 ,  山本秀幸 ,  小宫洋司 ,  江头浩司

IPC分类号： B08B3/12

CPC分类号： B08B3/12 ,  B08B3/048 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67757

摘要： 本发明提供一种超声波清洗装置、超声波清洗方法以及记录有用于执行该超声波清洗方法的计算机程序的记录介质。该超声波清洗装置包括：清洗槽，其用于积存清洗液；被处理体保持装置，其被设置成能够插入到清洗槽内，保持被处理体而将被处理体浸渍于清洗液中；振子，其设置在清洗槽的底部；超声波振荡装置，其使振子产生超声波振动。在清洗槽内设有保持被处理体的侧部保持构件。另外，被处理体保持装置利用驱动装置向侧方移动。控制装置以下述方式控制驱动装置：在将被处理体保持于侧部保持构件之后，使被处理体保持装置向侧方移动，并使振子产生超声波振动，使来自振子的超声波振动传播到被处理体。

公开(公告)号：CN102207693A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110182985.0

申请日：2007-01-05

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 饱本正巳 ,  林伸一 ,  饭田成昭 ,  稻富弘朗

IPC分类号： G03F7/38 ,  H01L21/00

CPC分类号： F27B17/0025 ,  F27B5/04 ,  F27D5/0037 ,  F27D15/02 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67784 ,  Y10S414/139

摘要： 具有冷却板和热板的加热装置中，利用气体使基板从冷却板和热板上浮起，通过使基板在水平方向上移动使基板在冷却板与热板之间移动，实现加热装置的薄型化。加热装置(2)中，在冷却板(3)和热板(6)上沿晶片W的移动通路形成喷出孔(3a、6a)，其朝向晶片W的移动通路的冷却板(3)侧斜向上方喷出使基板浮起的气体，利用推压部件(51)推压晶片W移动时的后方侧，抵抗从喷出孔(3a、6a)喷出的气体产生的试图使晶片W移动的推压力，使晶片W向与气体喷出方向相反侧的热板(6)侧移动，或在利用喷出孔(3a、6a)喷出的气体使晶片W移动时的前方侧推压推压部件(51)的状态下，使该推压部件(51)向与气体的喷出方向相同的方向的冷却板(3)侧移动。

公开(公告)号：CN114664696A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111541778.X

申请日：2021-12-16

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 梅崎翔太 ,  清原康雄 ,  网屋通隆 ,  稻富弘朗 ,  中岛幹雄

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其中，能够从一个处理流体供给源向进行使用了超临界状态的处理流体的处理的基板处理部供给处理流体。基板处理装置包括：第1供给管线；多个第2供给管线；泵；多个基板处理部，其分别与多个第2供给管线连接；分支点，其在第1供给管线上设于比泵靠下游侧的位置；连接点，其在第1供给管线上设于比泵靠上游侧的位置；分支管线，其将分支点和连接点连起来；压力调整部，其在分支管线上设于分支点和连接点之间；以及控制部，其控制压力调整部，控制部根据被供给处理流体的基板处理部的数量来控制压力调整部，从而使向分支管线流动的处理流体的量变化而控制分支点处的处理流体的压力。

公开(公告)号：CN107086172A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710086419.7

申请日：2017-02-15

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 川渕洋介 ,  立花康三 ,  中森光则 ,  大石幸太郎 ,  江头佳祐 ,  田中幸二 ,  稻富弘朗 ,  山下刚秀 ,  福田喜辉 ,  山下浩司 ,  钓船祐 ,  增住拓朗

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02041 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051

摘要： 本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。

公开(公告)号：CN102751173A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210067142.0

申请日：2012-03-14

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 中岛干雄 ,  稻富弘朗 ,  冈村聪

IPC分类号： H01L21/02 ,  B08B3/08

CPC分类号： H01L21/67126 ,  H01L21/6719

摘要： 本发明提供一种处理装置。该处理装置抑制在利用高压流体对被处理基板进行处理的处理容器中产生颗粒，确保处理容器内的气密性。以围绕处理腔室(2)的输送口(31)的方式设置密封构件(62)，利用盖体(7)封堵输送口(31)，利用锁板(15)限制盖体(7)因处理腔室(2)内的压力而后退，同时在处理腔室(2)内利用高压流体对晶圆(W)进行干燥处理。在干燥处理的期间，由于上述密封构件(62)被处理腔室(2)的内部气氛加压而被向盖体(7)侧按压，因此，能够将上述盖体(7)与处理腔室(2)之间的间隙气密地封堵。另外，由于密封构件(62)不会相对于处理腔室(2)、盖体(7)滑动，因此，能够抑制产生颗粒。

公开(公告)号：CN1996153A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200710001560.9

申请日：2007-01-05

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 饱本正巳 ,  林伸一 ,  饭田成昭 ,  稻富弘朗

IPC分类号： G03F7/38 ,  H01L21/00

CPC分类号： F27B17/0025 ,  F27B5/04 ,  F27D5/0037 ,  F27D15/02 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67784 ,  Y10S414/139

摘要： 具有冷却板和热板的加热装置中，利用气体使基板从冷却板和热板上浮起，通过使基板在水平方向上移动使基板在冷却板与热板之间移动，实现加热装置的薄型化。加热装置(2)中，在冷却板(3)和热板(6)上沿晶片W的移动通路形成喷出孔(3a、6a)，其朝向晶片W的移动通路的冷却板(3)侧斜向上方喷出使基板浮起的气体，利用推压部件(51)推压晶片W移动时的后方侧，抵抗从喷出孔(3a、6a)喷出的气体产生的试图使晶片W移动的推压力，使晶片W向与气体喷出方向相反侧的热板(6)侧移动，或在利用喷出孔(3a、6a)喷出的气体使晶片W移动时的前方侧推压推压部件(51)的状态下，使该推压部件(51)向与气体的喷出方向相同的方向的冷却板(3)侧移动。

公开(公告)号：CN1854908A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610066684.0

申请日：2006-04-19

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 林伸一 ,  福冈哲夫 ,  小田哲也 ,  稻富弘朗

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： F27B5/04 ,  F27B17/0025 ,  F27D3/0084 ,  H01L21/67109

摘要： 本发明提供一种不升降顶板也能进行面内均匀性好的加热处理的加热装置和加热方法。加热装置包括：用于放置基板并进行加热的加热板；在该加热板的上方与基板隔开间隔相对设置的、比基板的被加热处理区域大的整流用顶板；为了隔断来自基板一侧的热而形成于该顶板内部的真空区域；以及用于在放置于所述加热板上的基板和所述顶板之间形成气流的气流形成装置。由于使用在内部设置有真空区域的顶板，热量难以从加热板散出，因此即使将顶板和加热板之间周围成为打开状态，也可以使顶板下面温度接近基板温度，可抑制基板和顶板下面温差扩大。其结果由于可以防止因气流冷却造成的紊流，所以可以进行面内均匀性好的加热处理。

公开(公告)号：CN110957239B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN201910899672.3

申请日：2019-09-23

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 清原康雄 ,  稻富弘朗 ,  冈村聪

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

摘要： 本发明提供一种基片处理系统和处理流体供给方法。本发明的一方式的基片处理系统中的处理流体供给装置包括：循环通路；气体供给通路；设置在循环通路中，对气体状态的处理流体进行冷却以生成液体状态的处理流体的冷却部；设置在循环通路中的冷却部的下游侧的泵；与循环通路中的泵的下游侧连接，使液体状态的处理流体从分支部分支的分支通路；设置在分支部的下游侧，对液体状态的处理流体进行加热以生成超临界状态的处理流体的加热部；设置在循环通路中的加热部的下游侧且气体供给通路的上游侧，对超临界状态的处理流体进行减压以生成气体状态的处理流体的调压部。由此，能够在将液体状态的处理流体由泵送出时降低由上述泵产生的脉动的影响。