公开(公告)号：CN118231215A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311699286.2

申请日：2023-12-12

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 荒金俊行 ,  菊地晃 ,  佐藤直行 ,  草野周

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/20

摘要： 本发明提供能够保护基片支承单元的粘接层并且控制基片的外周部的磁场的基片支承单元和等离子体处理装置。基片支承单元包括：基座；静电吸盘，其设置在上述基座上，具有用于支承基片的基片支承面；粘接层，其设置在上述基座与上述静电吸盘之间，将上述基座与上述静电吸盘粘接在一起；以及具有主体部和磁场产生部的保护部件，其中，上述主体部包围上述粘接层的外周，保护上述粘接层，上述磁场产生部设置在上述主体部，在上述基片的外周部和上述基片的周围产生磁场。

公开(公告)号：CN109427531A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810969328.2

申请日：2018-08-23

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 佐藤雅纪 ,  樫村龙成 ,  纲本哲 ,  大崎良规 ,  荒金俊行

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明提供一种能够简易地进行等离子体的自偏压(Vdc)的测定的测定装置、测定方法以及等离子体处理装置。所述测定装置具有：切换部，其对配置在等离子体处理装置内的静电卡盘内且被施加直流电压的所述电极的连接进行切换；具有静电电容的构件，其与所述切换部连接；以及测定部，其测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。

公开(公告)号：CN109427531B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201810969328.2

申请日：2018-08-23

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 佐藤雅纪 ,  樫村龙成 ,  纲本哲 ,  大崎良规 ,  荒金俊行

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明提供一种能够简易地进行等离子体的自偏压(Vdc)的测定的测定装置、测定方法以及等离子体处理装置。所述测定装置具有：切换部，其对配置在等离子体处理装置内的静电卡盘内且被施加直流电压的所述电极的连接进行切换；具有静电电容的构件，其与所述切换部连接；以及测定部，其测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。

公开(公告)号：CN111863691A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010299562.6

申请日：2020-04-16

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 荒金俊行 ,  纲本哲 ,  大﨑良规 ,  佐藤雅纪

IPC分类号： H01L21/683

摘要： 本发明提供一种除电方法和基片处理装置。除电方法包括：在静电吸盘上载置有基片的状态下向处理容器内导入气体的步骤；一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对值，直至开始基于所述气体的放电的步骤；在基于所述气体的放电开始后，施加使所述基片的电荷量达到成为0或者接近0的电荷中和区域的所述直流电压的绝对值的步骤；和施加所述直流电压的绝对值直至达到所述电荷中和区域之后，使所述基片从所述静电吸盘脱离的步骤。本发明能够对基片的残留吸附进行充分的除电。