公开(公告)号：CN103943489B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201410028242.1

申请日：2014-01-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 桧森慎司 ,  伊藤悦治 ,  横田聪裕 ,  草野周 ,  石塚博昭 ,  永关一也

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供一种对在第1氧化膜与第2氧化膜之间设有有机膜的多层膜进行蚀刻的多层膜的蚀刻方法。在该方法中，对有机膜进行蚀刻的工序（b）中的等离子体生成用的高频电力大于对第1氧化膜进行蚀刻的工序（a）和对第2氧化膜进行蚀刻的工序（c）中的高频电力。工序（a）和工序（c）中的吸引离子用的高频偏压电力大于工序（b）中的高频偏压电力。另外，在工序（a）、工序（b）以及工序（c）中，形成具有这样的强度分布的磁场：沿着相对于被处理体的中心轴线而言的放射方向的水平磁场成分在离开中心轴线的位置处具有峰值；工序（b）中的水平磁场成分的峰值位置比工序（a）和工序（c）中的水平磁场成分的峰值位置靠近中心轴线。

公开(公告)号：CN118231215A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311699286.2

申请日：2023-12-12

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 荒金俊行 ,  菊地晃 ,  佐藤直行 ,  草野周

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/20

摘要： 本发明提供能够保护基片支承单元的粘接层并且控制基片的外周部的磁场的基片支承单元和等离子体处理装置。基片支承单元包括：基座；静电吸盘，其设置在上述基座上，具有用于支承基片的基片支承面；粘接层，其设置在上述基座与上述静电吸盘之间，将上述基座与上述静电吸盘粘接在一起；以及具有主体部和磁场产生部的保护部件，其中，上述主体部包围上述粘接层的外周，保护上述粘接层，上述磁场产生部设置在上述主体部，在上述基片的外周部和上述基片的周围产生磁场。

公开(公告)号：CN105097403A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510225056.1

申请日：2015-05-05

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 横田聪裕 ,  檜森慎司 ,  大下辰郎 ,  草野周

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01J37/32669 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32339 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/3266

摘要： 本发明提供一种能够有效地消除径向上的中心成为等离子体密度分布中的特异点那样的、不期望的不均匀性并能够以较大的控制范围对等离子体密度分布自如地进行控制的等离子体处理装置。该电容耦合型等离子体处理装置在上部电极之上包括主磁体单元和辅助磁体单元。主磁体单元具有主磁轭和多个主电磁线圈。在辅助磁体单元中，在主磁体单元的比最内周的主电磁线圈靠半径方向内侧的位置，将多个棒型电磁体在转圈方向上以恒定间隔配置在自中心轴线偏离规定距离的位置。使直流的激励电流以恒定的电流值在第1组的棒型电磁体的辅助电磁线圈中沿正向流动，使直流的激励电流以相同的电流值在第2组的棒型电磁体的辅助电磁线圈中沿逆向流动。

公开(公告)号：CN105097403B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201510225056.1

申请日：2015-05-05

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 横田聪裕 ,  檜森慎司 ,  大下辰郎 ,  草野周

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01J37/32669 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32339 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/3266

摘要： 本发明提供一种能够有效地消除径向上的中心成为等离子体密度分布中的特异点那样的、不期望的不均匀性并能够以较大的控制范围对等离子体密度分布自如地进行控制的等离子体处理装置。该电容耦合型等离子体处理装置在上部电极之上包括主磁体单元和辅助磁体单元。主磁体单元具有主磁轭和多个主电磁线圈。在辅助磁体单元中，在主磁体单元的比最内周的主电磁线圈靠半径方向内侧的位置，将多个棒型电磁体在转圈方向上以恒定间隔配置在自中心轴线偏离规定距离的位置。使直流的激励电流以恒定的电流值在第1组的棒型电磁体的辅助电磁线圈中沿正向流动，使直流的激励电流以相同的电流值在第2组的棒型电磁体的辅助电磁线圈中沿逆向流动。

公开(公告)号：CN103943489A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410028242.1

申请日：2014-01-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 桧森慎司 ,  伊藤悦治 ,  横田聪裕 ,  草野周 ,  石塚博昭 ,  永关一也

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供一种对在第1氧化膜与第2氧化膜之间设有有机膜的多层膜进行蚀刻的多层膜的蚀刻方法。在该方法中，对有机膜进行蚀刻的工序（b）中的等离子体生成用的高频电力大于对第1氧化膜进行蚀刻的工序（a）和对第2氧化膜进行蚀刻的工序（c）中的高频电力。工序（a）和工序（c）中的吸引离子用的高频偏压电力大于工序（b）中的高频偏压电力。另外，在工序（a）、工序（b）以及工序（c）中，形成具有这样的强度分布的磁场：沿着相对于被处理体的中心轴线而言的放射方向的水平磁场成分在离开中心轴线的位置处具有峰值；工序（b）中的水平磁场成分的峰值位置比工序（a）和工序（c）中的水平磁场成分的峰值位置靠近中心轴线。