公开(公告)号：CN105531800A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480050227.5

申请日：2014-09-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  河西繁 ,  原恵美子 ,  藤野豊 ,  长田勇辉 ,  中込淳 ,  小松智仁

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种等离子体处理装置，其具有等离子体产生用天线，该等离子体产生用天线包括向处理容器内供给第1气体和第2气体的喷淋板，利用由于微波的供给而形成于该喷淋板表面的表面波形成等离子体而对基板进行处理，其中，具有从喷淋板的下端面向下方突出的导电体的垂下构件，该垂下构件的外侧面从上端部朝向下端部向外侧扩展，喷淋板具有多个第1气体供给口和多个第2气体供给口，第1气体供给口配置于比垂下构件的外侧面靠内侧的位置，第2气体供给口配置于比垂下构件的外侧面靠外侧的位置。

公开(公告)号：CN105531800B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201480050227.5

申请日：2014-09-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  河西繁 ,  原恵美子 ,  藤野豊 ,  长田勇辉 ,  中込淳 ,  小松智仁

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种等离子体处理装置，其具有等离子体产生用天线，该等离子体产生用天线包括向处理容器内供给第1气体和第2气体的喷淋板，利用由于微波的供给而形成于该喷淋板表面的表面波形成等离子体而对基板进行处理，其中，具有从喷淋板的下端面向下方突出的导电体的垂下构件，该垂下构件的外侧面从上端部朝向下端部向外侧扩展，喷淋板具有多个第1气体供给口和多个第2气体供给口，第1气体供给口配置于比垂下构件的外侧面靠内侧的位置，第2气体供给口配置于比垂下构件的外侧面靠外侧的位置。