等离子体探测装置和等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN109427523B

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN201811030301.3

    申请日:2018-09-05

    Abstract: 本发明提供一种等离子体探测装置,其包括:天线部,其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件安装于开口部中,其中,上述开口部形成在处理容器的壁部或载置台;与上述天线部连接的电极;和由电介质形成的对上述天线部从周围进行支承的电介质支承部,上述天线部与上述壁部或上述载置台的相对面以规定的距离隔开间隔,上述天线部的从上述开口部露出的面,与形成有该开口部的上述壁部或上述载置台的等离子体生成空间侧的面相比凹入到内侧。由此,能够提供避免气体侵入的等离子体探测装置。

    汽化器、包括汽化器的原料气体供给系统和使用它的成膜装置

    公开(公告)号:CN101785089A

    公开(公告)日:2010-07-21

    申请号:CN200880104007.0

    申请日:2008-08-22

    CPC classification number: B23K20/08 C23C16/4486

    Abstract: 本发明提供一种构造简单且能够使热效率提高的汽化器。汽化器(8)具备:雾状地喷出液体原料的喷嘴单元(72);具有使原料雾汽化形成原料气体的多个汽化通路(74)的汽化单元(76);和向后段送出原料气体的排出头(78)。汽化单元具备:形成有汽化通路的汽化单元主体(108);收纳汽化单元主体(108)的主体收纳容器(110);对通过汽化通路的原料雾进行加热的加热器(112);和设置在主体收纳容器的两端部的连接部件(114、116)。汽化单元主体和主体收纳容器由热传导性比连接部件的构成材料高的材料形成。主体收纳容器的端部与连接部件通过爆炸而接合。

    载置台构造和处理装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101584036A

    公开(公告)日:2009-11-18

    申请号:CN200880002521.3

    申请日:2008-01-16

    CPC classification number: H01L21/67103 C23C16/4586

    Abstract: 在陶瓷制的载置台主体(72)的内部埋设有被馈电导体部(94、96)。在载置台主体(72)的表面形成有凹部形态的连接孔(112),由与被馈电导体部电接合的高熔点金属、其合金或其化合物构成的连接端子(110)从该连接孔(112)的内部露出。为了向被馈电导体部进行馈电将设置在馈电用线路部件的前端的馈电用连接器部(114)插入到连接孔内。将应力缓和部件(116)设置在连接端子和馈电用连接器部之间。应力缓和部件和连接端子利用钎料(120)而接合。应力缓和部件由不含钴和镍的金属或其合金构成。因此,能够防止在连接端子和馈电用连接器部的接合部中发生金属元件的热扩散,防止接合强度的恶化。

    微波等离子体处理装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109982500A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201811532348.X

    申请日:2018-12-14

    Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置,具有能够使等离子体密度增加的构造。该微波等离子体处理装置具有:微波供给部,其供给微波;微波辐射构件,其设置在处理容器的顶壁之上,辐射从所述微波供给部供给的微波;以及包括电介质的微波透过构件,其以封闭所述顶壁的开口的方式设置,并且使经由所述微波辐射构件而通过了缝隙天线的微波透过,其中,在将从所述顶壁的开口透过所述微波透过构件而在该顶壁的表面传输的微波的表面波的波长设为λsp时,在所述顶壁的比所述开口靠外侧的位置形成深度处于λsp/4±λsp/8的范围内的凹部。

    载置台构造和处理装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101584036B

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN200880002521.3

    申请日:2008-01-16

    CPC classification number: H01L21/67103 C23C16/4586

    Abstract: 在陶瓷制的载置台主体(72)的内部埋设有被馈电导体部(94、96)。在载置台主体(72)的表面形成有凹部形态的连接孔(112),由与被馈电导体部电接合的高熔点金属、其合金或其化合物构成的连接端子(110)从该连接孔(112)的内部露出。为了向被馈电导体部进行馈电将设置在馈电用线路部件的前端的馈电用连接器部(114)插入到连接孔内。将应力缓和部件(116)设置在连接端子和馈电用连接器部之间。应力缓和部件和连接端子利用钎料(120)而接合。应力缓和部件由不含钴和镍的金属或其合金构成。因此,能够防止在连接端子和馈电用连接器部的接合部中发生金属元件的热扩散,防止接合强度的恶化。

    热处理装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102414800A

    公开(公告)日:2012-04-11

    申请号:CN201080017903.0

    申请日:2010-08-11

    CPC classification number: H01L21/67115 H01L21/68792

    Abstract: 本发明提供一种热处理装置(100),具备收容晶片W的处理容器(1)、在处理容器(1)内水平地支承晶片的基板支承部(4)、和设置于处理容器(1)的上方的灯组件(3),灯组件(3)具有:底座部件(40);在底座部件40的下表面使前端朝向下方地设置的多个灯(45);在底座部件(40)的下表面以同心状且向下方突出的方式设置的环状的多个反射器(41,42,43);在反射器(41,42,43)的内部供给冷却介质的冷却头(47),多个灯(45)的至少一部分沿着反射器(41,42,43)设置,在反射器(41,42,43)的内部形成沿着其配置方向并由环状空间形成的冷却介质流路(68)。

    载置台构造和处理装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102157427A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110049688.9

    申请日:2008-01-16

    CPC classification number: H01L21/67103 C23C16/4586

    Abstract: 载置台构造和处理装置。在陶瓷制的载置台主体(72)的内部埋设有被馈电导体部(94、96)。在载置台主体(72)的表面形成有凹部形态的连接孔(112),由与被馈电导体部电接合的高熔点金属、其合金或其化合物构成的连接端子(110)从该连接孔(112)的内部露出。为了向被馈电导体部进行馈电将设置在馈电用线路部件的前端的馈电用连接器部(114)插入到连接孔内。将应力缓和部件(116)设置在连接端子和馈电用连接器部之间。应力缓和部件和连接端子利用钎料(120)而接合。应力缓和部件由不含钴和镍的金属或其合金构成。因此,能够防止在连接端子和馈电用连接器部的接合部中发生金属元件的热扩散,防止接合强度的恶化。

    载置台构造以及处理装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101772837A

    公开(公告)日:2010-07-07

    申请号:CN200980100058.0

    申请日:2009-03-06

    CPC classification number: H01L21/68757 H01L21/67248 H01L21/68792

    Abstract: 本发明提供载置台构造以及处理装置,能防止对载置台产生大的热应力,防止该载置台自身破损,并且能抑制防止腐蚀用的吹扫气体的供给量。本发明涉及设置在能够排出内部的气体的处理容器(22)内,用于载置被处理体(W)的载置台构造(54)。该载置台构造(54)具备:载置被处理体(W),由电介质构成的载置台(58);设于载置台(58),加热载置于载置台(58)的被处理体(W)的加热单元(64);由电介质构成的多个保护支柱管(60),它们以相对处理容器(22)的底部(44)竖立的方式设置,上端部与载置台(58)的下表面接合来支承载置台(58)。另外,在各保护支柱管(60)内插通有延伸到载置台的功能棒体(62)。

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