公开(公告)号：CN101750898A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910252191.X

申请日：2009-12-15

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 井关智弘 ,  吉原健太郎 ,  野田朋宏 ,  吉原孝介

IPC分类号： G03F7/16

CPC分类号： B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715

摘要： 本发明提供一种实现抑制涂敷涂敷液时产生的气泡来提高涂敷液膜的均匀化及成品率的涂敷处理方法及涂敷处理装置。还提供实现涂敷液的有效利用及涂敷液膜的均匀化的涂敷处理方法及涂敷处理装置。本发明的涂敷处理方法如下所述：使半导体晶圆(W)以低速的第1转速旋转，向晶圆中心部供给纯水(DIW)而形成纯水的积水部，然后在使晶圆以上述第1转速旋转的状态下，向晶圆中心部供给水溶性的涂敷液(TARC)，使该涂敷液和上述积水部的纯水混合。然后使晶圆以比上述第1转速高的第2转速旋转而形成涂敷液膜。

公开(公告)号：CN114141657A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202110983823.0

申请日：2021-08-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 野田朋宏 ,  武内亮太 ,  加藤宽三 ,  高柳康治

IPC分类号： H01L21/67 ,  B05D3/00 ,  B05C9/14 ,  B05C13/02 ,  G03F7/30

摘要： 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制基板间的膜厚变动。基板处理方法包括以下过程：进行液处理，所述液处理包括使用将基板保持于规定的处理位置并对基板的表面供给处理液的液处理单元来对被保持于处理位置的基板的表面供给处理液、以及在供给处理液后将基板以能够在基板的表面上形成处理液的覆膜的方式保持；以及在液处理前进行调节液处理单元中的、在执行液处理时对基板的温度产生影响的构件的温度的调温处理。

公开(公告)号：CN101750898B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200910252191.X

申请日：2009-12-15

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 井关智弘 ,  吉原健太郎 ,  野田朋宏 ,  吉原孝介

IPC分类号： G03F7/16

CPC分类号： B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715

摘要： 本发明提供一种实现抑制涂敷涂敷液时产生的气泡来提高涂敷液膜的均匀化及成品率的涂敷处理方法及涂敷处理装置。还提供实现涂敷液的有效利用及涂敷液膜的均匀化的涂敷处理方法及涂敷处理装置。本发明的涂敷处理方法如下所述：使半导体晶圆(W)以低速的第1转速旋转，向晶圆中心部供给纯水(DIW)而形成纯水的积水部，然后在使晶圆以上述第1转速旋转的状态下，向晶圆中心部供给水溶性的涂敷液(TARC)，使该涂敷液和上述积水部的纯水混合。然后使晶圆以比上述第1转速高的第2转速旋转而形成涂敷液膜。