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发明公开
碳系膜的成膜方法和成膜装置审中-公开

公开(公告)号：CN120060831A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411651901.7

申请日：2024-11-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 光成正 , 金子都 , 铃木奈央子 , 进藤崇央

IPC: C23C16/50 , C23C16/26 , C23C16/52

Abstract: 本发明提供碳系膜的成膜方法和成膜装置，在有选择地在沟槽、孔等图案的顶部形成碳系膜时，抑制碳系膜的悬突的产生，并且提高生产率。在成膜装置中，使晶片(W)的温度至少高于200℃，将仅由乙炔气体、氩气和氢气构成的成膜气体中的氢气的添加率设定为3％以上来执行成膜处理。

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