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公开(公告)号：CN110592558A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910505338.5
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。本公开的成膜装置具备：能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在处理容器内，在下部电极载置被处理基板。在处理容器内，上部电极与下部电极相向地配置。气体供给部将用于在上部电极与下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到处理空间。电压施加部具有高频电源和直流电源，并向上部电极施加从高频电源和直流电源中的至少一方输出的电压。切换部将向上部电极施加的电压在从高频电源输出的高频电压、从直流电源输出的直流电压、以及将直流电压叠加于高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。
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公开(公告)号：CN110592558B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910505338.5
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。本公开的成膜装置具备：能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在处理容器内，在下部电极载置被处理基板。在处理容器内，上部电极与下部电极相向地配置。气体供给部将用于在上部电极与下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到处理空间。电压施加部具有高频电源和直流电源，并向上部电极施加从高频电源和直流电源中的至少一方输出的电压。切换部将向上部电极施加的电压在从高频电源输出的高频电压、从直流电源输出的直流电压、以及将直流电压叠加于高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。
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公开(公告)号：CN119965072A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411506693.1
申请日：2024-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其在基片上生成等离子体而对基片实施处理。等离子体处理装置包括：处理容器；能够被插入所述处理容器的、将多个基片保持为多层的基片保持件；能够使所述基片保持件在所述处理容器内旋转的旋转轴；向所述处理容器内供给处理气体的气体供给管；对所述处理容器内进行排气的排气部；配置在所述处理容器的外侧的、以面对所述处理容器的中心彼此相对的方式配置的一对电极；和对一对所述电极施加高频电功率而在所述处理容器内生成电容耦合等离子体的高频电源，所述基片保持件具有用于保持所述基片的、俯视时包围在所述基片的径向外侧的环部件。
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公开(公告)号：CN113936985B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202110757947.7
申请日：2021-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够抑制对基片的离子冲击的同时高效地生成等离子体来进行等离子体处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置对基片实施等离子体处理，其包括：处理容器；设置在处理容器内的能够载置基片的基片载置台；基片载置台所包含的接地的下部电极；与下部电极相对地设置的上部电极；向上部电极与基片载置台之间供给处理气体的气体供给部；对上部电极施加高频电功率来生成处理气体的等离子体的高频电源；和电压波形整形部，其设置在高频电源与上部电极之间，对高频电源的电压波形进行整形，以抑制被施加于上部电极的高频电压中的正电压。
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公开(公告)号：CN120060831A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411651901.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供碳系膜的成膜方法和成膜装置，在有选择地在沟槽、孔等图案的顶部形成碳系膜时，抑制碳系膜的悬突的产生，并且提高生产率。在成膜装置中，使晶片(W)的温度至少高于200℃，将仅由乙炔气体、氩气和氢气构成的成膜气体中的氢气的添加率设定为3％以上来执行成膜处理。
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公开(公告)号：CN113936985A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110757947.7
申请日：2021-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够抑制对基片的离子冲击的同时高效地生成等离子体来进行等离子体处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置对基片实施等离子体处理，其包括：处理容器；设置在处理容器内的能够载置基片的基片载置台；基片载置台所包含的接地的下部电极；与下部电极相对地设置的上部电极；向上部电极与基片载置台之间供给处理气体的气体供给部；对上部电极施加高频电功率来生成处理气体的等离子体的高频电源；和电压波形整形部，其设置在高频电源与上部电极之间，对高频电源的电压波形进行整形，以抑制被施加于上部电极的高频电压中的正电压。
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