公开(公告)号：CN118335649A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311843451.7

申请日：2023-12-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木下贵文 ,  伊藤优树 ,  齐木大辅 ,  桥本知幸 ,  天野嘉文 ,  相浦一博 ,  藤田阳 ,  高桥周平

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/02 ,  B08B13/00 ,  B08B3/02 ,  B08B3/04 ,  B08B3/08

Abstract: 本公开说明能够抑制异物的相对于基板的周缘部的上表面的附着的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备支承部、供给部、环状构件、旋转部、罩构件、以及配置于罩构件的上方的环状的整流构件。环状构件包括倾斜面，该倾斜面在环状构件的径向上随着向环状构件的中心侧去而向下方倾斜。整流构件包括：基座部；以及突出部，其与支承于支承部的基板的周缘部相对，并且自基座部朝向基板的周缘部突出。突出部在从上下方向观察时与支承部重叠。突出部的下表面位于比支承于支承部的基板的上表面靠上方且是比环状构件的上表面靠下方的位置。突出部的内周面随着自上方向下方去而朝向径向外方倾斜。

公开(公告)号：CN114068352A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110812387.0

申请日：2021-07-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 薮田贵士 ,  中尾秀俊 ,  笠原政俊 ,  齐木大辅

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306 ,  B01D19/00

Abstract: 本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理部、贮存部、处理线路、循环线路和气体供给线路。处理部用碱性的药液对形成于基片的多晶硅膜或非晶硅膜进行蚀刻。贮存部回收并贮存所述处理部使用了的药液。处理线路将贮存于所述贮存部中的药液供给到处理部。循环线路从贮存部取出药液，并使取出的药液返回到贮存部。气体供给线路与循环线路连接，向所述循环线路供给非活泼气体。循环线路包括排出口，该排出口能够将利用第1气体供给线路供给的非活泼气体与从贮存部取出的药液的混合流体排出到所述贮存部所贮存的药液的内部。由此，在回收碱性的药液进行再使用的情况下，能够使药液的溶解氧浓度高效地降低。

公开(公告)号：CN114649235A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111500173.6

申请日：2021-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤田阳 ,  后藤京成 ,  麻生裕树 ,  齐木大辅

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开说明一种基板处理方法和基板处理装置，在对形成于基板的表面的金属多晶膜进行蚀刻处理时，能够有效地去除蚀刻残渣。基板处理方法包括以下工序：第一工序，一边使表面形成有金属多晶膜的基板旋转一边向基板的周缘部供给蚀刻液；第二工序，一边使基板旋转，一边向比第一工序中的蚀刻液的供给位置靠基板的中心部侧的位置供给冲洗液；第三工序，一边使基板旋转，一边向基板的周缘部供给蚀刻液；第四工序，一边使基板旋转，一边向比第三工序中的蚀刻液的供给位置靠基板的中心部侧的位置供给冲洗液；以及第五工序，在第四工序之后，使基板干燥。