一种低熔点合金钕铁硼晶界扩散源及其涂覆方法

    公开(公告)号:CN118231132A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410440072.1

    申请日:2024-04-12

    IPC分类号: H01F41/02 H01F1/057 H01F1/053

    摘要: 本发明属于稀土永磁材料技术领域,公开一种低熔点合金钕铁硼晶界扩散源及其涂覆方法。使用LR_HR_M系列(LR代表轻稀土元素,HR代表重稀土元素,M代表过渡金属元素)低熔点合金作为扩散源对烧结钕铁硼磁体进行晶界扩散,扩散后磁体的矫顽力大幅提高,显微组织分析显示,轻稀土与过渡金属能够润湿晶界,为重稀土打开扩散通道,在主相晶粒周围形成了(Nd,Tb/Dy)2Fe14B/Nd2Fe14B核‑壳结构。与以往的晶界扩散方法相比,本发明的扩散方法能够提高扩散效率的同时节省大量成本。

    一种二元系烧结钕铁硼的晶界扩散方法

    公开(公告)号:CN117766289A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311343835.2

    申请日:2023-10-17

    IPC分类号: H01F41/02 H01F1/057

    摘要: 本发明涉及一种烧结钕铁硼的晶界扩散技术,包括如下步骤:(1)将不含重稀土的烧结钕铁硼磁体通过线切割处理成5mm*5mm*2mm(c轴)的大小,使用砂纸打磨抛光,而后超声清洗;(2)将TbF3与Tb4O7粉体按充分混合后溶解在二甲基亚砜溶液中,得到TbF3与Tb4O7的悬浊液;(3)在步骤(1)所得的钕铁硼磁体上均匀涂敷步骤(2)所得悬浊液,随后放入真空干燥箱中进行真空干燥;(4)将步骤(3)真空干燥后的钕铁硼磁体用钼箔包裹,而后进行真空高温扩散,扩散后退火。本发明使用TbF3与Tb4O7混合二元系作为扩散源对烧结钕铁硼磁体进行晶界扩散,扩散后磁体的矫顽力大幅提高,显微组织分析显示,钕铁硼晶粒周围形成了连续的晶界相,并在钕铁硼晶粒表面发展出核壳结构。