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公开(公告)号：CN118231132A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410440072.1
申请日：2024-04-12
Applicant: 东北大学 , 沈阳中北通磁科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于稀土永磁材料技术领域，公开一种低熔点合金钕铁硼晶界扩散源及其涂覆方法。使用LR_HR_M系列(LR代表轻稀土元素，HR代表重稀土元素，M代表过渡金属元素)低熔点合金作为扩散源对烧结钕铁硼磁体进行晶界扩散，扩散后磁体的矫顽力大幅提高，显微组织分析显示，轻稀土与过渡金属能够润湿晶界，为重稀土打开扩散通道，在主相晶粒周围形成了(Nd,Tb/Dy)2Fe14B/Nd2Fe14B核‑壳结构。与以往的晶界扩散方法相比，本发明的扩散方法能够提高扩散效率的同时节省大量成本。
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公开(公告)号：CN117766289A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311343835.2
申请日：2023-10-17
Applicant: 深圳陕煤高新技术研究院有限公司 , 东北大学
Abstract: 本发明涉及一种烧结钕铁硼的晶界扩散技术，包括如下步骤：(1)将不含重稀土的烧结钕铁硼磁体通过线切割处理成5mm*5mm*2mm(c轴)的大小，使用砂纸打磨抛光，而后超声清洗；(2)将TbF3与Tb4O7粉体按充分混合后溶解在二甲基亚砜溶液中，得到TbF3与Tb4O7的悬浊液；(3)在步骤(1)所得的钕铁硼磁体上均匀涂敷步骤(2)所得悬浊液，随后放入真空干燥箱中进行真空干燥；(4)将步骤(3)真空干燥后的钕铁硼磁体用钼箔包裹，而后进行真空高温扩散，扩散后退火。本发明使用TbF3与Tb4O7混合二元系作为扩散源对烧结钕铁硼磁体进行晶界扩散，扩散后磁体的矫顽力大幅提高，显微组织分析显示，钕铁硼晶粒周围形成了连续的晶界相，并在钕铁硼晶粒表面发展出核壳结构。
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公开(公告)号：CN117699745A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311564498.X
申请日：2023-11-22
Applicant: 东北大学
IPC: C01B21/06
Abstract: 本发明涉及纳米储能材料制备技术领域，尤其涉及一种二维钼氮化物和晶态Mo2N纳米片的无氨气制备方法。通过稀土钼铝硼化合物的二维衍生钼硼化物为前驱体，在无氨气条件下制备具有六次对称层状结构的二维钼氮化物和晶态Mo2N纳米片。以金属钼、重稀土金属、金属铝和硼形成的具有六方晶系的化合物为前驱体，通过含氟的酸性溶液湿法刻蚀该化合物中的铝原子层及稀土原子后进行插层和剥离，形成具有一定储能密度的二维衍生物。对该种二维衍生物在氮气下以不同温度下退火，调控该二维衍生物内原子层面间距、表面化学态、表面官能团、化学键，实现从二维钼硼化物到具有六次对称层状结构的二维钼氮化物和晶态Mo2N的原位转变，显著提高其比电容。
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公开(公告)号：CN113563079A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110752148.0
申请日：2021-07-02
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 一系列新型钨稀土基MAX相及其衍生二维钨基层状碳化物的制备方法，属于新型材料领域。所述的钨稀土基MAX相的化学式为(W2/3R1/3)2AlC；由钨、镧系稀土金属、铝和碳构成，具有单斜晶体结构；沿某一晶轴由金属碳化物层与铝原子层交替排列，其中金属碳化物层是由2个W原子和1个稀土金属原子交替周期排列，金属碳化物层内的原子之间是由较强的共价键键合，而金属碳化物层与铝原子层间是由相对较弱的金属键键合，从形成层状结构；由钨稀土基MAX相具有与传统硬质合金媲美的高硬度，且由这种MAX相衍生的二维钨基层状碳化物可进一步用于储能领域。
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公开(公告)号：CN118306995A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410559916.4
申请日：2024-05-08
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明属于纳米储能材料制备技术领域，公开一种钼稀土铌铝碳化物及其二维衍生钼铌碳化物的制备方法。化学式为Mo3.33‑xR0.67NbxAlC3，1≤x≤2.5,R为Sc、Y或镧系元素，具有正交晶体结构；金属碳化物层与Al原子层沿着c轴交替堆垛排列而成，每相邻两个Al原子层之间有一个金属碳化物层，金属碳化物层包含四个过渡金属层，Mo原子和R原子优先占据金属碳化物外层，Nb原子优先占据金属碳化物内层，Mo原子和R原子按照2:1数量比有序排列，R原子占据Mo原子形成的六边形中心，形成Mo原子和R原子面内有序同时Mo原子和Nb原子面外有序的层状结构；其二维衍生钼铌碳化物由于有序空位的存在具有优异的电容性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110002448B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201910388794.6
申请日：2019-05-10
Applicant: 东北大学
IPC: C01B32/914
Abstract: 本发明提供一种二维稀土钇碳化合物材料及其制备方法，属于二维材料的制备及应用领域。本发明的方法为：以一种已知的稀土金属钇、金属铝和碳形成的化合物为原料，该化合物具有六方晶体结构；通过溶液法刻蚀该化合物中的铝‑碳原子层；随后通过有机分子或者金属锂离子插层并剥离；本发明展示了一种全新的基于稀土金属钇的二维碳化物材料及其制备方法，通过这种方法制备的稀土金属钇的二维碳化物，具有较高的储氢量及较好的电池性能。
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公开(公告)号：CN113563079B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110752148.0
申请日：2021-07-02
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 一系列新型钨稀土基MAX相及其衍生二维钨基层状碳化物的制备方法，属于新型材料领域。所述的钨稀土基MAX相的化学式为(W2/3R1/3)2AlC；由钨、镧系稀土金属、铝和碳构成，具有单斜晶体结构；沿某一晶轴由金属碳化物层与铝原子层交替排列，其中金属碳化物层是由2个W原子和1个稀土金属原子交替周期排列，金属碳化物层内的原子之间是由较强的共价键键合，而金属碳化物层与铝原子层间是由相对较弱的金属键键合，从形成层状结构；由钨稀土基MAX相具有与传统硬质合金媲美的高硬度，且由这种MAX相衍生的二维钨基层状碳化物可进一步用于储能领域。
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公开(公告)号：CN108085547B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201711344245.6
申请日：2017-12-15
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明属于磁性材料领域，具体涉及具有反常矫顽力温度系数和磁制冷能力的磁性材料及其制备方法。本发明的技术方案如下：具有反常矫顽力温度系数和磁制冷能力的磁性材料，由Mn、Sb、Sn三种元素组成，其化学式为Mn2Sb1‑xSnx，其中x为0.1、0.2或0.3。本发明提供的具有反常矫顽力温度系数和磁制冷能力的磁性材料在100～250K范围内可作为磁制冷材料使用，在250K‑450K下随着温度升高，矫顽力逐渐增大，在此范围内可作为永磁材料使用。
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公开(公告)号：CN110002448A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910388794.6
申请日：2019-05-10
Applicant: 东北大学
IPC: C01B32/914
Abstract: 本发明提供一种二维稀土钇碳化合物材料及其制备方法，属于二维材料的制备及应用领域。本发明的方法为：以一种已知的稀土金属钇、金属铝和碳形成的化合物为原料，该化合物具有六方晶体结构；通过溶液法刻蚀该化合物中的铝-碳原子层；随后通过有机分子或者金属锂离子插层并剥离；本发明展示了一种全新的基于稀土金属钇的二维碳化物材料及其制备方法，通过这种方法制备的稀土金属钇的二维碳化物，具有较高的储氢量及较好的电池性能。
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公开(公告)号：CN107134341B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201710266362.9
申请日：2017-04-21
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明涉及一种强磁性介质薄膜，具体涉及一种垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法。本发明的技术方案如下：一种垂直取向强磁性介质薄膜，包括依次层叠的衬底、缓冲层、垂直取向强磁性介质层和保护层，所述衬底为单晶、多晶或非晶基片，所述缓冲层材质为具有六方晶体结构的无机非金属氮化物陶瓷，所述垂直取向强磁性介质层为钐钴薄膜、铝镍钴薄膜、鉄铂薄膜、铁钯薄膜、钴铂薄膜和/或钴钯薄膜，所述保护层为过渡金属、氮化物膜体材料或氧化物膜体材料。本发明提供的垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法，具有体积小、垂直磁化方向、作为存储单元的晶粒尺寸小、矫顽力大、稳定性高等优点，制备工艺简单，应用领域更广。
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