公开(公告)号：CN118738205A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410772451.0

申请日：2024-06-17

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 周静 ,  杨盛文 ,  曹宇 ,  高莉 ,  曲震铭

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种水热法制备硒化锑缓冲层并应用到锗硒太阳能电池的方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明采用水热法制备硒化锑缓冲层，并将其应用于锗硒薄膜太阳能电池。具体而言，通过水热前驱体溶液内的离子充分反应，获得厚度均匀且结构致密的硒化锑缓冲层。实验结果表明，水热法制备的硒化锑缓冲层表面光滑无杂质，晶粒大小均匀且排列紧密，厚度稳定在7.90nm至8.39nm之间。该缓冲层显著改善了锗硒太阳能电池的界面电学性质，提高了光电转换效率。本发明提供了一种水热法制备硒化锑缓冲层能有效提升锗硒太阳能电池性能的新途径，为其在光伏技术中的应用提供了更加高效和可靠的解决方案。

公开(公告)号：CN117352596A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311508282.1

申请日：2023-11-14

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 周静 ,  贺伟兰 ,  曹宇 ,  高莉 ,  杨盛文 ,  曲震铭

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109

Abstract: 一种硒化亚锗薄膜与氧化锌薄膜发生层交换的方法，属于光电材料及光电薄膜制备技术领域，将FTO/氧化锌/硒化亚锗结构在加热板上进行退火处理，退火后冷却至室温，晶华过程中，氧化锌与硒化亚锗薄膜发生层交换，获得FTO/硒化亚锗/氧化锌结构。本发明采用后退火技术对硒化亚锗薄膜进行处理，高温下退火能够使硒化亚锗薄膜的晶化程度由非晶状态转变为晶化状态，晶化的硒化亚锗薄膜能够有效的降低载流子的复合，增大对光生载流子的收集效率，进而获得了高晶化的硒化亚锗薄膜。