一种Cd3Cl2O2薄膜及其制备方法和薄膜太阳能电池

    公开(公告)号:CN111668340B

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202010496056.6

    申请日:2020-06-03

    Abstract: 本发明是一种Cd3Cl2O2薄膜及其制备方法和薄膜太阳能电池,其特征是,Cd3Cl2O2薄膜的制备方法采用喷雾热解法,以制备得到的Cd3Cl2O2薄膜作为电子传输层,薄膜太阳能电池有正结构和倒结构两种结构,其优点是:采用喷雾热解方法制备出的Cd3Cl2O2薄膜均匀平整、透光率高、导电率高,制备方法的步骤简单,成本低廉,产率高且性质稳定;将Cd3Cl2O2薄膜作为薄膜太阳能电池的电子传输层可以有效提高太阳能电池的器件性能,降低太阳能电池的生产成本,具有较高的工业化应用价值。

    一种诱导(Sb4Se6)n分子链纵向生长的硒化锑光电薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN111560583B

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202010369584.5

    申请日:2020-05-05

    Abstract: 本发明是一种诱导(Sb4Se6)n分子链纵向生长的硒化锑光电薄膜制备方法,包括衬底薄膜,其特点是,还包括掺杂剂,在衬底薄膜与掺杂剂制备出掺杂的衬底薄膜之后,使得(Sb4Se6)n分子链能够与衬底薄膜形成共价键,(Sb4Se6)n分子链沿着垂直于衬底薄膜方向的纵向生长,最终诱导出纵向择优的硒化锑光电薄膜。通过对衬底薄膜掺杂能够有效提高制品的电学特性,使得衬底薄膜和硒化锑薄膜的特性同步提高,最终使得硒化锑光电器件的载流子传输性能有效提升,光电性能显著提高。具有方法科学合理,制备流程简单实用,适于产业化生产,成本低,应用价值高等优点。

    一种全锑基薄膜太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN112635593B

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202011527799.1

    申请日:2020-12-22

    Abstract: 一种全锑基薄膜太阳电池及其制备方法,包括:前电极、顶电池、背电极,其特点是,前电极为透明导电玻璃层,顶电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第一电子传输层、Sb2S3薄膜作为第一吸光层、CuSbS2薄膜作为第一空穴传输层组成;还包括在顶电池与背电极之间依次层叠设置中间电池、底电池,中间电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第二电子传输层、Sb2(S,Se)3薄膜作为第二吸光层、CuSbS2薄膜作为第二空穴传输层组成;底电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第三电子传输层、Sb2Se3薄膜作为第三吸光层、CuSbS2薄膜作为第三空穴传输层;背电极为金属电极层。其结构简单,成本低且性能稳定。

    水热法制备硒化锑缓冲层并应用到锗硒太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN118738205A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410772451.0

    申请日:2024-06-17

    Abstract: 本发明公开了一种水热法制备硒化锑缓冲层并应用到锗硒太阳能电池的方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明采用水热法制备硒化锑缓冲层,并将其应用于锗硒薄膜太阳能电池。具体而言,通过水热前驱体溶液内的离子充分反应,获得厚度均匀且结构致密的硒化锑缓冲层。实验结果表明,水热法制备的硒化锑缓冲层表面光滑无杂质,晶粒大小均匀且排列紧密,厚度稳定在7.90nm至8.39nm之间。该缓冲层显著改善了锗硒太阳能电池的界面电学性质,提高了光电转换效率。本发明提供了一种水热法制备硒化锑缓冲层能有效提升锗硒太阳能电池性能的新途径,为其在光伏技术中的应用提供了更加高效和可靠的解决方案。

    碲化铋改性钠金属负极的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN117410452A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311505035.6

    申请日:2023-11-13

    Abstract: 碲化铋改性钠金属负极的制备方法及其应用,属于能源存储材料技术领域,步骤一、在氩气环境内去除钠块表面的氧化皮,采用压片机将钠块压成厚度为0.6mm的薄片并称重,获得钠箔;步骤二、在所述步骤一获得的钠箔表面倾倒一定质量的Bi2Te3粉末,翻折钠箔;采用机械冷轧法擀压钠箔,获得钠铋碲三元合金;步骤三、将所述步骤二获得的钠铋碲三元合金制备成直径为14nm的电极片备用。本发明产率高、重现性好、易于大规模生产,具有广阔的应用前景和市场。

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