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公开(公告)号：CN103034014A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210580488.0
申请日：2012-12-26
Applicant: 东南大学
IPC: G02F1/355
CPC classification number: G02F1/015 , G02F2202/30 , G02F2203/13 , G02F2203/15
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波调制器，包括太赫兹波可透过的半导体衬底（1）、在半导体衬底（1）上按一定周期分布的金属氧化物半导体场效应管阵列（2）、在金属氧化物半导体场效应管阵列（2）上制备的超材料谐振单元阵列（3）、第一金属板（4）和第二金属板（5）；第一金属板（4）与金属氧化物半导体场效应管的源极及漏极相连接；第二金属板（5）与金属氧化物半导体场效应管的栅极相连接。本发明中的金属氧化物半导体场效应管的工作电压很低，使得以其制备的太赫兹波调制器可于低电压下工作。金属氧化物半导体场效应管的开关时间极短，为10～100ns量级，使得以其制备的太赫兹波调制器的调制速率可大于10MHz。
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公开(公告)号：CN102520532A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110427332.4
申请日：2011-12-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波高速调制器及其制作方法，包括衬底层，在该衬底层上生长有缓冲层，在该缓冲层生长有应变量子阱结构，在该应变量子阱结构的上表面制备的由金属谐振单元周期阵列组成的金属超材料结构；所述缓冲层与衬底层材料相同，所述势阱层的能带隙小于势垒层，且所述势垒层与衬底层的晶格常数的相同或相差0.5%以内。本发明应变量子阱结构内具有由应变产生的极强的压电场，能够显著延长光生载流子的复合寿命和浓度，从而极大降低对调制激光器功率的要求；通过改变InGaAs/GaAs应变量子阱中In组分和量子阱宽度，可灵活地调节内部压电场的大小和电荷空间分离的程度，进而方便地调节本发明调制速率。
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公开(公告)号：CN102520532B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110427332.4
申请日：2011-12-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波高速调制器及其制作方法，包括衬底层，在该衬底层上生长有缓冲层，在该缓冲层生长有应变量子阱结构，在该应变量子阱结构的上表面制备的由金属谐振单元周期阵列组成的金属超材料结构；所述缓冲层与衬底层材料相同，所述势阱层的能带隙小于势垒层，且所述势垒层与衬底层的晶格常数的相同或相差0.5%以内。本发明应变量子阱结构内具有由应变产生的极强的压电场，能够显著延长光生载流子的复合寿命和浓度，从而极大降低对调制激光器功率的要求；通过改变InGaAs/GaAs应变量子阱中In组分和量子阱宽度，可灵活地调节内部压电场的大小和电荷空间分离的程度，进而方便地调节本发明调制速率。
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公开(公告)号：CN202394003U
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201120533846.3
申请日：2011-12-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种太赫兹波高速调制器，包括衬底层，在该衬底层上生长有缓冲层，在该缓冲层生长有应变量子阱结构，在该应变量子阱结构的上表面制备的由金属谐振单元周期阵列组成的金属超材料结构；所述缓冲层与衬底层材料相同，所述势阱层的能带隙小于势垒层，且所述势垒层与衬底层的晶格常数的相同或相差0.5%以内。本实用新型应变量子阱结构内具有由应变产生的极强的压电场，能够显著延长光生载流子的复合寿命和浓度，从而极大降低对调制激光器功率的要求；通过改变InGaAs/GaAs应变量子阱中In组分和量子阱宽度，可灵活地调节内部压电场的大小和电荷空间分离的程度，进而方便地调节本实用新型调制速率。
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