公开(公告)号：CN103984124B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410205385.5

申请日：2014-05-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雄 ,  冯丽丽 ,  廖民亮 ,  崔一平

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明公开了一种多频响应太赫兹波调制器，包括太赫兹波可以透射的半导体衬底、两种以上尺寸规格的超材料谐振单元和金属钛薄膜层，所述超材料谐振单元设置在半导体衬底上，金属钛薄膜层设置在超材料谐振单元和半导体衬底上；同一种尺寸规格的所有超材料谐振单元以一种周期阵列方式布置在衬底上，不同尺寸规格的超材料谐振单元交错布置，且不同超材料谐振单元之间彼此存在间隙。本发明提供的多频响应太赫兹波调制器，在一块衬底上集成了两个或多个频率的太赫兹波调制器，可以根据需要对两种或多种不同频率的太赫兹波进行调制，这样就有利于降低使用成本，因此具有更好的实用性和便利性。

公开(公告)号：CN103984124A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410205385.5

申请日：2014-05-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雄 ,  冯丽丽 ,  廖民亮 ,  崔一平

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明公开了一种多频响应太赫兹波调制器，包括太赫兹波可以透射的半导体衬底、两种以上尺寸规格的超材料谐振单元和金属钛薄膜层，所述超材料谐振单元设置在半导体衬底上，金属钛薄膜层设置在超材料谐振单元和半导体衬底上；同一种尺寸规格的所有超材料谐振单元以一种周期阵列方式布置在衬底上，不同尺寸规格的超材料谐振单元交错布置，且不同超材料谐振单元之间彼此存在间隙。本发明提供的多频响应太赫兹波调制器，在一块衬底上集成了两个或多个频率的太赫兹波调制器，可以根据需要对两种或多种不同频率的太赫兹波进行调制，这样就有利于降低使用成本，因此具有更好的实用性和便利性。

公开(公告)号：CN103034014A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210580488.0

申请日：2012-12-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雄 ,  廖民亮 ,  丛嘉伟 ,  崔一平

IPC: G02F1/355

CPC classification number: G02F1/015 ,  G02F2202/30 ,  G02F2203/13 ,  G02F2203/15

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波调制器，包括太赫兹波可透过的半导体衬底（1）、在半导体衬底（1）上按一定周期分布的金属氧化物半导体场效应管阵列（2）、在金属氧化物半导体场效应管阵列（2）上制备的超材料谐振单元阵列（3）、第一金属板（4）和第二金属板（5）；第一金属板（4）与金属氧化物半导体场效应管的源极及漏极相连接；第二金属板（5）与金属氧化物半导体场效应管的栅极相连接。本发明中的金属氧化物半导体场效应管的工作电压很低，使得以其制备的太赫兹波调制器可于低电压下工作。金属氧化物半导体场效应管的开关时间极短，为10～100ns量级，使得以其制备的太赫兹波调制器的调制速率可大于10MHz。