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公开(公告)号：CN101059557B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200710022805.6
申请日：2007-05-22
Applicant: 东南大学
IPC: G01R33/07
Abstract: 微机电系统磁场传感器是一种功耗小、响应快，可靠性好的磁场传感器，在衬底(6)上设有由定梳齿电极(1)、动梳齿电极(2)、金属线(3)、连接弹簧(4)、锚区(5)组成的、左右对称于中线的传感器结构，定梳齿电极(1)与动梳齿电极(2)的梳齿部分相交错放置，二者之间互不接触；在动梳齿电极(2)的两侧分别设有连接弹簧(4)，连接弹簧(4)的两外端分别固定在锚区(5)上，金属线(3)位于连接弹簧(4)的上方，其两端固定在锚区(5)上，金属线(3)能随动梳齿电极(2)移动。磁场是利用感生电压的方法来测量的，即当该传感器处于磁场中时，在外加的电场作用下，使动梳齿电极(2)发生相对运动，通过测量金属(3)线上的电压，测得到磁场的大小。
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公开(公告)号：CN1164933C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN02112520.1
申请日：2002-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 电容型湿度测量装置是一种与CMOS工艺兼容的由电容型湿度传感器组成的测量装置，该装置电容的一端接信号输入端，另一端接湿度敏感电容，电容与湿度敏感电容的连接点接由MOS管组成的选通放大器的输入端，输出电容的一端接地，另一端为该装置的信号输出端，以上电路均集成在一块芯片上；湿度敏感电容由上导电板、下导电板组成，在上导电板与下导电板之间留有空隙，并由支撑材料隔开，在上导电板上设有许多小孔；湿度敏感电容中，在下导电板的下面设有一加热电阻，在下导电板与加热电阻之间设有隔离层；采用标准的CMOS工艺将湿度敏感电容(Cx)与由MOS管组成的选通放大电路集成在一块硅芯片上。
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公开(公告)号：CN1455250A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03131858.4
申请日：2003-06-12
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明是一种用于湿度信号传感的电容式相对湿度传感器，由衬底，氧化层、电容电极组成，氧化层设在衬底上，电容电极设在氧化层上方，在电容电极上设有电极引线，该电容电极为其材质适于标准CMOS加工工艺的电极，在电容电极上设有钝化层。本发明采用铝电极梳状并联结构可以增加敏感电容值，将衬底可靠接地消除了外界的干扰，提高湿度传感器的精度。淀积钝化层能够有效防止环境中的水汽尤其是聚酰亚胺吸水后，聚酰亚胺中的水汽腐蚀铝电极，提高可靠性。利用梳状并联多晶硅作为加热电路，使湿度传感器的脱附时间更短，同样提高了可靠性。利用聚酰亚胺作为感湿介质，灵敏度高，线性度、滞回特性好，长期可靠等优点。
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公开(公告)号：CN1657927A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200510038023.2
申请日：2005-03-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于检测湿度的CMOS工艺兼容相对湿度传感器，由衬底，氧化层，电容下极板，电容上极板组成，氧化层设在衬底上，电容下极板平铺于氧化层上，电容上极板位于衬底和氧化层的上方；本发明具有制作方法和结构非常简单，温度漂移小，抗干扰能力强，有效降低生产成本，具有响应迅速，有利于后续电子电路的检出等优点。
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公开(公告)号：CN1203312C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN03131858.4
申请日：2003-06-12
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明是一种用于湿度信号传感的电容式相对湿度传感器，由衬底，氧化层、电容电极组成，氧化层设在衬底上，电容电极设在氧化层上方，在电容电极上设有电极引线，该电容电极为其材质适于标准CMOS加工工艺的电极，在电容电极上设有钝化层。本发明采用铝电极梳状并联结构可以增加敏感电容值，将衬底可靠接地消除了外界的干扰，提高湿度传感器的精度。淀积钝化层能够有效防止环境中的水汽尤其是聚酰亚胺吸水后，聚酰亚胺中的水汽腐蚀铝电极，提高可靠性。利用梳状并联多晶硅作为加热电路，使湿度传感器的脱附时间更短，同样提高了可靠性。利用聚酰亚胺作为感湿介质，灵敏度高，线性度、滞回特性好，长期可靠等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1210565C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03131859.2
申请日：2003-06-12
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明是一种用于湿度信号传感的微型湿度传感器，由衬底，氧化层、电容电极组成，氧化层设在衬底上，电容电极设在氧化层上方，在电容电极上设有电极引线，该电容电极为其材质适于标准CMOS加工工艺的电极，在电容电极上方及其间设有感湿介质层，在电容电极和与氧化层之间设有二氧化硅条，在感湿介质层与氧化层之间设有加热条，在加热条上设有加热条引线和。本发明采用铝电极梳状并联结构可以增加敏感电容值，消除了外界的干扰，提高湿度传感器的精度。利用聚酰亚胺作为感湿介质，灵敏度高，线性度、滞回特性好，长期可靠等优点。
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公开(公告)号：CN1455251A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03131859.2
申请日：2003-06-12
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明是一种用于湿度信号传感的微型湿度传感器，由衬底，氧化层、电容电极组成，氧化层设在衬底上，电容电极设在氧化层上方，在电容电极上设有电极引线，该电容电极为其材质适于标准CMOS加工工艺的电极，在电容电极上方及其间设有感湿介质层，在电容电极和与氧化层之间设有二氧化硅条，在感湿介质层与氧化层之间设有加热条，在加热条上设有加热条引线和。本发明采用铝电极梳状并联结构可以增加敏感电容值，消除了外界的干扰，提高湿度传感器的精度。利用聚酰亚胺作为感湿介质，灵敏度高，线性度、滞回特性好，长期可靠等优点。
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公开(公告)号：CN1356555A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN02112524.4
申请日：2002-01-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 多晶硅温度二极管的集成风速计及其制造方法,是一种采用多晶硅温度二极管测量热损失的风速计,在结构上由多晶硅温度二极管和圆环形加热器所组成,圆环形加热器位于中央,在圆环形加热器的圆周外对称、均匀地设有多晶硅温度二极管,圆环形加热器和多晶硅温度二极管均集成在一块硅片上。其制造方法为:a)在氧化的硅片上先淀积一层一定厚度的多晶硅薄膜;b)通过光刻形成加热器和多晶硅二极管的有源区;c)淀积二氧化硅覆盖多晶硅部分;d)光刻加热器和二极管高注入区上的二氧化硅;e)第二次进行二氧化硅淀积并开引线接触窗口,蒸铝并光刻形成引出电极;f)表面覆盖一层钝化膜以保护加热器和温度传感器部分。
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公开(公告)号：CN1327215C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200510038023.2
申请日：2005-03-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于检测湿度的CMOS工艺兼容相对湿度传感器，由衬底，氧化层，电容下极板，电容上极板组成，氧化层设在衬底上，电容下极板平铺于氧化层上，电容上极板位于衬底和氧化层的上方；本发明具有制作方法和结构非常简单，温度漂移小，抗干扰能力强，有效降低生产成本，具有响应迅速，有利于后续电子电路的检出等优点。
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公开(公告)号：CN1357759A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN02112520.1
申请日：2002-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 电容型湿度测量装置是一种与CMOS工艺兼容的由电容型湿度传感器组成的测量装置,该装置电容的一端接驱动员信号输入端,另一端接敏感电容,电容与敏感电容的连接点接由MOS管组成的选通放大器的输入端,输出电容的一端接地,另一端为该装置的信号输出端,以上电路均集成在一块芯片上;湿度敏感电容由上导电板、下导电板组成,在上导电板与下导电板之间留有空隙,并由支撑材料隔开,在上导电板上设有许多小孔;湿度敏感电容中,在下导电板的下面设有一加热电阻,在下导电板与加热电阻之间设有隔离层;采用标准的CMOS工艺将湿度敏感电容Cx与由MOS管组成的选通放大电路集成在一块硅芯片上。
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