公开(公告)号：CN118352364A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410499140.1

申请日：2024-04-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  张子康 ,  李胜 ,  李明飞 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/13 ,  H01L21/761 ,  H01L21/86

Abstract: 一种蓝宝石基的单片集成GaN器件及其制备方法，器件包括由蓝宝石衬底和注入隔离区构成的隔离结构和由蓝宝石衬底的外延刻蚀凸起层隔离形成的第一高压区、第二高压区和低压区，第一高压区内设有功率增强型GaN HEMT，第二高压区内设有功率耗尽型GaN HEMT，低压区内设有增强型GaN HEMT、耗尽型GaN HEMT、肖特基二极管、整流器、电阻和电容，低压区器件由注入隔离区隔离；制备方法包括蓝宝石衬底刻蚀、材料外延、外延材料凸起区域刻蚀、PGaN刻蚀、注入隔离、钝化层沉积、以及栅电极、源电极、漏电极、电阻电极、电容电极、肖特基二极管阳极和阴极、整流器阳极、栅场板、源场板的形成。本发明有效抑制高压区器件间、高压区与低压区器件间的串扰，提高了器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN117476642A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311515618.7

申请日：2023-11-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  李明飞 ,  李胜 ,  张子康 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L27/07 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L27/092 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明公开了一种具有高功率密度的超宽禁带半导体器件，包括：金刚石半绝缘衬底层，异质互补型的功率器件和逻辑器件，肖特基二极管，异质互补型功率器件由氧化镓耗尽型功率器件和金刚石增强型功率器件级联组成，异质互补型逻辑器件包括：氧化镓增强型逻辑器件、金刚石增强型逻辑器件；本发明可以实现异质互补型功率器件的直接驱动，并且得益于金刚石半绝缘衬底层的高热导率，充分发挥了超宽禁带半导体的大电流能力，因此，本发明具有大功率输出，高功率密度以及高可靠性等优势。