公开(公告)号：CN1314130C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200410013805.6

申请日：2004-01-05

Applicant: 东南大学

Inventor： 李伟华 ,  方圆 ,  钱莉 ,  李荣强

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 纵向多面栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管及其制造方法是一种利用侧壁栅形式实现载流子纵向迁移和多面栅MOSFET的结构，该晶体管利用侧壁栅的形式实现载流子的纵向迁移，自上而下分别为上源/漏区(1)、多晶硅栅(4)、下漏/源区(3)的MOS三层结构，多晶硅栅的位置位于纵向结构上的P型硅衬底(2)侧面刻蚀出的侧壁表面；即总体结构为在源/漏的外面设有氧化层(11)，在源/漏极和下漏/源区之间为P型硅衬底，在P型硅衬底的侧面为栅氧化层(21)，在栅氧化层外侧为多晶硅栅，P型硅衬底的下部是下漏/源区，在下漏/源区的下部是衬底(5)。它解决了原先实现多面栅MOSFET结构在材料、工艺、可靠性、可重复性和生产成本等诸多方面的问题。

公开(公告)号：CN1556547A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN200410013805.6

申请日：2004-01-05

Applicant: 东南大学

Inventor： 李伟华 ,  方圆 ,  钱莉 ,  李荣强

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 纵向多面栅金属－氧化物－半导体场效应晶体管及其制造方法是一种利用侧壁栅形式实现载流子纵向迁移和多面栅MOSFET的结构，该晶体管利用侧壁栅的形式实现载流子的纵向迁移，自上而下分别为上源/漏区1、多晶硅栅4、下漏/源区3的MOS三层结构，多晶硅栅的位置位于纵向结构上的P型硅衬底2侧面刻蚀出的侧壁表面；即总体结构为在源/漏的外面设有氧化层11，在源/漏极和下漏/源区之间为P型硅衬底，在P型硅衬底的侧面为栅氧化层21，在栅氧化层外侧为多晶硅栅，P型硅衬底的下部是下漏/源区，在下漏/源区的下部是衬底5。它解决了原先实现多面栅MOSFET结构在材料、工艺、可靠性、可重复性和生产成本等诸多方面的问题。