纵向多面栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN1314130C

    公开(公告)日:2007-05-02

    申请号:CN200410013805.6

    申请日:2004-01-05

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 纵向多面栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管及其制造方法是一种利用侧壁栅形式实现载流子纵向迁移和多面栅MOSFET的结构,该晶体管利用侧壁栅的形式实现载流子的纵向迁移,自上而下分别为上源/漏区(1)、多晶硅栅(4)、下漏/源区(3)的MOS三层结构,多晶硅栅的位置位于纵向结构上的P型硅衬底(2)侧面刻蚀出的侧壁表面;即总体结构为在源/漏的外面设有氧化层(11),在源/漏极和下漏/源区之间为P型硅衬底,在P型硅衬底的侧面为栅氧化层(21),在栅氧化层外侧为多晶硅栅,P型硅衬底的下部是下漏/源区,在下漏/源区的下部是衬底(5)。它解决了原先实现多面栅MOSFET结构在材料、工艺、可靠性、可重复性和生产成本等诸多方面的问题。

    纵向多面栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN1556547A

    公开(公告)日:2004-12-22

    申请号:CN200410013805.6

    申请日:2004-01-05

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 纵向多面栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管及其制造方法是一种利用侧壁栅形式实现载流子纵向迁移和多面栅MOSFET的结构,该晶体管利用侧壁栅的形式实现载流子的纵向迁移,自上而下分别为上源/漏区1、多晶硅栅4、下漏/源区3的MOS三层结构,多晶硅栅的位置位于纵向结构上的P型硅衬底2侧面刻蚀出的侧壁表面;即总体结构为在源/漏的外面设有氧化层11,在源/漏极和下漏/源区之间为P型硅衬底,在P型硅衬底的侧面为栅氧化层21,在栅氧化层外侧为多晶硅栅,P型硅衬底的下部是下漏/源区,在下漏/源区的下部是衬底5。它解决了原先实现多面栅MOSFET结构在材料、工艺、可靠性、可重复性和生产成本等诸多方面的问题。

    一种便于携带的指纹采集装置

    公开(公告)号:CN222420987U

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202421076624.7

    申请日:2024-05-17

    Abstract: 本实用新型公开了一种便于携带的指纹采集装置,属于指纹采集技术领域。一种便于携带的指纹采集装置,包括壳体和安装座,壳体内部设有供安装座滑动安装的插接槽,安装座内部设有用于采集指纹的指纹识别器,插接槽内壁两侧对称设有安装腔,安装腔内部均设有用于限位安装座的限位组件,与现有技术相比,本装置体积小巧,便于携带,当不采集指纹时,安装座上的指纹识别器始终处于壳体内部,避免了外部灰尘堆积在指纹识别器上的识别面板上影响采集,当采集指纹时,使用者将安装座拉出壳体内部即可,同时配合清理组件上的清理板以及,在拉出安装座的同时即可对指纹识别器上的识别面板进行清理,避免上次采集指纹残留影响本次采集效率。

    一种指纹采集装置
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN222319493U

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202421076656.7

    申请日:2024-05-17

    Abstract: 本实用新型公开了一种指纹采集装置,属于指纹采集技术领域。一种指纹采集装置,包括壳体和指纹识别器,壳体上设有安装槽,安装槽内壁一端设有供指纹识别器一端转动的转动槽,安装槽内壁两侧设有与指纹识别器转轴同轴心设置的导向槽,导向槽内部设有用于压紧指纹识别器活动端的第二回弹组件,壳体靠近指纹识别器活动端一端设有用于定位手指的第一回弹组件,与现有技术相比,本装置体积小巧,携带便利,通过指纹识别器、第二回弹组件和第一回弹组件的配合设置,既能使得指纹识别器与手指充分接触,又能对指纹采集时手指的定位,避免了指节处容易悬空,出现采集的指纹无法被读取,导致采集效率较低的情况。

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