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公开(公告)号：CN104868062A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510082709.5
申请日：2015-02-15
申请人： 东友精细化工有限公司
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/3244 , H01L51/00 , H01L51/0021
摘要： 本发明公开制造有机发光显示装置的方法：a)在基板上形成栅电极；b)在包括栅电极的基板上形成栅绝缘层；c)在栅绝缘层上形成有源层；d)在有源层上形成绝缘层；e)在绝缘层上形成与有源层接触的源电极和漏电极；f)在绝缘层上形成钝化层以覆盖源电极和漏电极；和g)形成与源电极和漏电极之一电气连接的有机发光元件，其中步骤a)包括形成铝、钼或银的金属层、或其层压层，用蚀刻剂组合物蚀刻金属层以形成栅电极，蚀刻剂组合物包括按重量百分比计50％至70％的磷酸、2％至15％的硝酸、5％至20％的乙酸、0.1％至5％的对甲苯磺酸和余量的水，因此，可以同时蚀刻形成栅电极和像素电极的金属层，达到优异的蚀刻效果且以提高的工艺效率制造有机发光显示装置。
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公开(公告)号：CN103911616B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201310446528.7
申请日：2013-09-26
申请人： 东友精细化工有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于银（Ag）或银合金的单层膜或由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的刻蚀剂组合物，基于所述刻蚀剂组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包含0.1～0.8wt%的具有羧基的杂环化合物，本发明还公开了一种形成金属图案的方法以及一种制造用于有机发光显示器（OLED）的阵列基板的方法。该刻蚀剂组合物可以降低银（Ag）或银合金的单层膜以及由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的刻蚀速率，并能表现出均一的刻蚀特性而不损坏下部数据线且不产生残渣。
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公开(公告)号：CN105463462A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510612281.0
申请日：2015-09-23
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： C23F1/30
摘要： 本发明涉及一种用于沉积在柔性显示器用膜上的银纳米线的蚀刻剂组合物，该蚀刻剂组合物包含磷酸、硝酸、乙酸和氟化合物。它可快速渗透到由于涂覆有保护涂层材料而难以进行图案化和蚀刻处理的银纳米线中，切断银纳米线，除去其导电性，因而蚀刻速率得到提高，由此它可提高蚀刻处理的效率。
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公开(公告)号：CN103000509B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210330575.0
申请日：2012-09-07
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3213 , C09K13/08 , C23F1/18
摘要： 本发明公开了一种制造显示设备的方法和蚀刻溶液组合物，所述蚀刻溶液组合物用于上述方法。所述用于铜金属层/金属氧化物层的蚀刻溶液组合物用于同时蚀刻含有所述铜金属层的数据金属层和含有所述金属氧化物层的氧化物半导体层，所述蚀刻溶液组合物依次进行所述数据金属层和所述氧化物半导体层的图案形成，以便形成半导体图案和包括数据线路、源电极和漏电极的源图案。因此，本发明的组合物有效地适用于所述制造显示设备的方法，确保改善薄膜晶体管和显示设备的制造过程中的生产率和可靠性。
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公开(公告)号：CN103000509A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210330575.0
申请日：2012-09-07
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3213 , C09K13/08 , C23F1/18
摘要： 本发明公开了一种制造显示设备的方法和蚀刻溶液组合物，所述蚀刻溶液组合物用于上述方法。所述用于铜金属层/金属氧化物层的蚀刻溶液组合物用于同时蚀刻含有所述铜金属层的数据金属层和含有所述金属氧化物层的氧化物半导体层，所述蚀刻溶液组合物依次进行所述数据金属层和所述氧化物半导体层的图案形成，以便形成半导体图案和包括数据线路、源电极和漏电极的源图案。因此，本发明的组合物有效地适用于所述制造显示设备的方法，确保改善薄膜晶体管和显示设备的制造过程中的生产率和可靠性。
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公开(公告)号：CN105463462B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201510612281.0
申请日：2015-09-23
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： C23F1/30
摘要： 本发明涉及一种用于沉积在柔性显示器用膜上的银纳米线的蚀刻剂组合物，该蚀刻剂组合物包含磷酸、硝酸、乙酸和氟化合物。它可快速渗透到由于涂覆有保护涂层材料而难以进行图案化和蚀刻处理的银纳米线中，切断银纳米线，除去其导电性，因而蚀刻速率得到提高，由此它可提高蚀刻处理的效率。
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公开(公告)号：CN103898509B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201310452645.4
申请日：2013-09-25
申请人： 东友精细化工有限公司
摘要： 本申请公开了刻蚀剂组合物，形成金属图案的方法以及制造用于有机发光显示器的阵列基板的方法。所述刻蚀剂组合物用于银（Ag）或银合金的单层膜，或包括所述单层膜和铟氧化物膜的多层膜，基于所述刻蚀剂组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包括：6.0～8.0wt%的硝酸；8.0～12.0wt%的硫酸；8.0～10.0wt%的过氧硫酸氢钾；0.5～3.0wt%的有机酸；以及余量的水。
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公开(公告)号：CN106995922A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710033540.3
申请日：2011-04-28
申请人： 东友精细化工有限公司
IPC分类号： C23F1/42 , H01L21/3213
CPC分类号： C23F1/16 , H01L21/32134 , C23F1/42
摘要： 本发明涉及一种用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物，基于组合物的总重量，包含：5wt％～20wt％的过硫酸盐，0.01wt％～2wt％的氟化合物，1wt％～10wt％的选自无机酸、无机酸盐及它们的混合物中的一种或多种，0.3wt％～5wt％的环状胺化合物，0.01wt％～5wt％的氯化合物，及其余为水。
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公开(公告)号：CN104868062B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510082709.5
申请日：2015-02-15
申请人： 东友精细化工有限公司
摘要： 本发明公开制造有机发光显示装置的方法：a)在基板上形成栅电极；b)在包括栅电极的基板上形成栅绝缘层；c)在栅绝缘层上形成有源层；d)在有源层上形成绝缘层；e)在绝缘层上形成与有源层接触的源电极和漏电极；f)在绝缘层上形成钝化层以覆盖源电极和漏电极；和g)形成与源电极和漏电极之一电气连接的有机发光元件，其中步骤a)包括形成铝、钼或银的金属层、或其层压层，用蚀刻剂组合物蚀刻金属层以形成栅电极，蚀刻剂组合物包括按重量百分比计50％至70％的磷酸、2％至15％的硝酸、5％至20％的乙酸、0.1％至5％的对甲苯磺酸和余量的水，因此，可以同时蚀刻形成栅电极和像素电极的金属层，达到优异的蚀刻效果且以提高的工艺效率制造有机发光显示装置。
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公开(公告)号：CN102471898B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201080033704.9
申请日：2010-07-21
申请人： 东友精细化工有限公司
CPC分类号： C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/32134
摘要： 本发明涉及一种用于形成金属线的蚀刻组合物，能批量湿蚀刻由选自Ti、Ti合金、Al和Al合金组成的组中的至少一种制成的单层膜或多层膜，并能蚀刻很多层从而极大地增加了蚀刻工艺的生产率，且能提高蚀刻速率并防止损坏底层膜和设备，以及能均匀蚀刻图形/非图形从而展示了较好的蚀刻特性；此外由于无需昂贵的设备以及便于形成大面积的栅极和源极/漏极，因此也很经济。
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