公开(公告)号：CN106148961A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510142674.X

申请日：2015-03-27

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 刘仁浩 ,  鞠仁说 ,  南基龙 ,  尹暎晋

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明公开了一种用于铜层和钛层的蚀刻剂组合物以及使用该蚀刻剂组合物制造液晶显示器的阵列基板的方法。本发明的蚀刻剂组合物包括：0.5wt.％至20wt.％的过硫酸盐；0.01wt.％至2wt.％的氟化合物；1wt.％至10wt.％的无机酸(盐)；5wt.％至20wt.％的有机酸(盐)；0.1wt.％至5wt.％的包括烷基(具有1个至5个碳原子)四唑的环胺化合物；0.1wt.％至10wt.％的磺酸化合物；以及余量的水，因此，可以以高的蚀刻速度均匀地分批蚀刻铜层和钛层，即使所处理的片材的数量增加，蚀刻图案的倾斜角也具有减小的变化。

公开(公告)号：CN106400016B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201610213008.5

申请日：2016-04-07

申请人： 三星显示有限公司 ,  东友精细化工有限公司

发明人： 安守民 ,  金荣俊 ,  朴弘植 ,  鞠仁说 ,  朴英哲 ,  刘仁浩 ,  李承洙 ,  李钟文 ,  林大成

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/027

摘要： 一种蚀刻剂组合物，基于所述蚀刻剂的总重量，所述蚀刻剂组合物包含：约0.5wt％至约20wt％的过硫酸盐、约0.01wt％至约2wt％的含氟化合物、约1wt％至约10wt％的无机酸、约0.5wt％至约5wt％的环胺化合物、约0.1wt％至约5wt％的含氯化合物、约0.1wt％至约10wt％的脂族磺酸、约1wt％至约20wt％的有机酸或有机酸盐、和水。

公开(公告)号：CN107653451B

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201710619431.X

申请日：2017-07-26

申请人： 三星显示有限公司 ,  东友精细化工有限公司

发明人： 郑钟铉 ,  朴弘植 ,  梁熙星 ,  鞠仁说 ,  权玟廷 ,  金相泰 ,  朴英哲 ,  尹暎晋 ,  李钟文 ,  林大成

IPC分类号： C23F1/16 ,  C23F1/02

摘要： 本发明涉及一种蚀刻液组合物及利用到该组合物的金属图案的制造方法。所述蚀刻液组合物包含：过氧化氢；含氟化合物；唑系化合物；含羧基胺系化合物；磷酸系化合物；被C1‑C5烷基所取代或未被取代的丙二醇或者被C1‑C5烷基所取代或未被取代的丁二醇；以及水。

公开(公告)号：CN110747473A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910660021.9

申请日：2019-07-22

申请人： 三星显示有限公司 ,  东友精细化工有限公司

发明人： 金俸均 ,  金镇爽 ,  沈承辅 ,  崔新革 ,  金承熙 ,  李栋熙 ,  鞠仁说 ,  金范洙 ,  金相泰 ,  朴英哲 ,  尹暎晋 ,  林大成

IPC分类号： C23F1/16 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H05K3/06

摘要： 本发明涉及蚀刻剂组合物以及制造布线基板的方法。蚀刻剂组合物可包括：过氧硫酸盐、环胺化合物、包括羧基的第一两性化合物和包括砜基的第二两性化合物，其中第二两性化合物可不同于第一两性化合物。

公开(公告)号：CN106435588A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610624750.5

申请日：2016-08-02

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 鞠仁说 ,  权玟廷 ,  李钟文

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26

CPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26

摘要： 本发明提供用于金属层的蚀刻组合物，其包括：(a)过硫酸盐；(b)氟化合物；(c)无机酸；(d)4-甲基噻唑；(e)氯化合物；(f)非金属硫酸盐；(g)噻吩化合物；(h)有机酸或其盐；和(i)水。

公开(公告)号：CN110747473B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201910660021.9

申请日：2019-07-22

申请人： 三星显示有限公司 ,  东友精细化工有限公司

发明人： 金俸均 ,  金镇爽 ,  沈承辅 ,  崔新革 ,  金承熙 ,  李栋熙 ,  鞠仁说 ,  金范洙 ,  金相泰 ,  朴英哲 ,  尹暎晋 ,  林大成

IPC分类号： C07C229/00

摘要： 本发明涉及蚀刻剂组合物以及制造布线基板的方法。蚀刻剂组合物可包括：过氧硫酸盐、环胺化合物、包括羧基的第一两性化合物和包括砜基的第二两性化合物，其中第二两性化合物可不同于第一两性化合物。

公开(公告)号：CN114381733A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111045506.0

申请日：2021-09-07

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 金范洙 ,  尹暎晋 ,  赵现洙 ,  鞠仁说 ,  李昔准 ,  李恩远

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/3213

摘要： 本发明提供蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法，上述蚀刻液组合物包含过硫酸铵、含氟化合物、含氯化合物、环状胺化合物、无机酸、硫酸盐和水，且以下数学式1所表示的Y值为2.6～11.0，数学式1中，NH4+的mmol、Cl‑的mmol和SO42‑的mmol各自的含义是，蚀刻液组合物所包含的NH4+、Cl‑和SO42‑的总摩尔数，从而能够将栅电极和栅极配线、源电极/漏电极和数据配线一并蚀刻，能够将铜系金属膜以快的蚀刻速度均匀地一并湿式蚀刻，能够简化蚀刻工序，提高生产率，还确保优异的蚀刻特性。数学式1Y＝(NH4+的mmol)/[(Cl‑的mmol)+(SO42‑的mmol)]。

公开(公告)号：CN104250814B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201410182264.3

申请日：2014-04-30

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 刘仁浩 ,  鞠仁说 ,  南基龙 ,  朴英哲 ,  尹暎晋 ,  李昔准

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/02

摘要： 本发明公开一种蚀刻剂组合物，包括：大约0.5重量％至大约20重量％的过硫酸盐、大约0.01重量％至大约2重量％的氟化物、大约1重量％至大约10重量％的无机酸、大约0.5重量％至大约5重量％的环胺化合物、大约0.1重量％至大约10.0重量％的具有氨基和磺酸的化合物、大约0.1重量％至大约15.0重量％的有机酸或其盐、以及对于总共100重量％的蚀刻剂组合物的水。

公开(公告)号：CN105018930B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201510187631.3

申请日：2015-04-20

申请人： 东友精细化工有限公司

发明人： 鞠仁说 ,  南基龙 ,  朴英哲 ,  刘仁浩 ,  尹暎晋 ,  李昔准

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L29/66765 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明公开了一种蚀刻剂和一种使用该蚀刻剂制造显示装置的方法。

公开(公告)号：CN107267987A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710196022.3

申请日：2017-03-29

申请人： 三星显示有限公司 ,  东友精细化工有限公司

发明人： 郑钟铉 ,  朴弘植 ,  梁熙星 ,  刘仁浩 ,  鞠仁说 ,  金宝衡 ,  南基龙

IPC分类号： C23F1/18

CPC分类号： C23F1/18

摘要： 本发明提供蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物包含过硫酸盐、氟化合物、无机酸、环状胺化合物、有机酸和有机酸盐中的一种以上、磺酸化合物、氨基磺酸和水，并且，该蚀刻液组合物不包含环境管制物质。