公开(公告)号：CN118421318A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410023611.1

申请日：2024-01-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 禹熙锡 ,  安奎相 ,  吴政玟 ,  金志原 ,  鲁珍圭 ,  尹嚆重 ,  裵相元 ,  成敬模

IPC: C09K13/08 ,  H01L21/306 ,  C09K13/00

Abstract: 本公开内容涉及用于蚀刻硅和硅锗的蚀刻剂组合物、和/或使用所述蚀刻剂组合物的图案的制备方法。所述蚀刻剂组合物可包括氧化剂、基于氟的化合物、由化学式1或2表示的表面活性剂和水。所述蚀刻剂组合物可以5重量％‑40重量％的量包括所述表面活性剂，基于100重量％的所述蚀刻剂组合物。

公开(公告)号：CN116904990A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310178446.2

申请日：2023-02-28

Applicant: 东友精细化工有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 金志原 ,  鲁珍圭 ,  尹嚆重 ,  朴汉雨 ,  成旼哉 ,  金秀珍 ,  吴政玟 ,  裵相元

IPC: C23F1/14 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及一种含有高碘酸和铵离子且具有6至7.5的pH值的钌蚀刻液组合物、一种包括使用该蚀刻液组合物来蚀刻钌金属膜的图案形成方法、一种包括该图案形成方法的制造用于显示装置的阵列基板的方法、以及一种根据该制造方法制造的用于显示装置的阵列基板。

公开(公告)号：CN114231288A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111050878.2

申请日：2021-09-08

Applicant: 东友精细化工有限公司

Inventor： 鲁珍圭 ,  金志原 ,  申宇埈

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  H01L27/12 ,  C30B29/06 ,  C30B33/10

Abstract: 本发明提供硅蚀刻液组合物、图案形成方法、阵列基板的制造方法、以及阵列基板，上述硅蚀刻液组合物包含(A)碱性化合物、(B)金属盐和(C)水。上述硅蚀刻液组合物能够在维持对硅的蚀刻性能的同时诱导硅氧化物的防蚀效果而确保高选择比、且能够改善蚀刻表面均匀性。

公开(公告)号：CN114231288B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202111050878.2

申请日：2021-09-08

Applicant: 东友精细化工有限公司

Inventor： 鲁珍圭 ,  金志原 ,  申宇埈

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  H01L27/12 ,  C30B29/06 ,  C30B33/10

Abstract: 本发明提供硅蚀刻液组合物、图案形成方法、阵列基板的制造方法、以及阵列基板，上述硅蚀刻液组合物包含(A)碱性化合物、(B)金属盐和(C)水。上述硅蚀刻液组合物能够在维持对硅的蚀刻性能的同时诱导硅氧化物的防蚀效果而确保高选择比、且能够改善蚀刻表面均匀性。