公开(公告)号：CN111410963A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN202010025962.8

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 全唱守 ,  吴政玟 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  鲁珍圭 ,  尹嚆重 ,  申东雲

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/306

Abstract: 一种硅层刻蚀剂组合物、制备其的方法及形成图案的方法，所述组合物包含约1重量％到约20重量％的烷基氢氧化铵；约1重量％到约30重量％的胺化合物；约0.01重量％到约0.2重量％的包括疏水基团及亲水基团两者的非离子表面活性剂；以及水，所有重量％都是基于所述硅层刻蚀剂组合物的总重量。

公开(公告)号：CN111410963B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202010025962.8

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 全唱守 ,  吴政玟 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  鲁珍圭 ,  尹嚆重 ,  申东雲

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/306

Abstract: 一种硅层刻蚀剂组合物、制备其的方法及形成图案的方法，所述组合物包含约1重量％到约20重量％的烷基氢氧化铵；约1重量％到约30重量％的胺化合物；约0.01重量％到约0.2重量％的包括疏水基团及亲水基团两者的非离子表面活性剂；以及水，所有重量％都是基于所述硅层刻蚀剂组合物的总重量。

公开(公告)号：CN118421318A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410023611.1

申请日：2024-01-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 禹熙锡 ,  安奎相 ,  吴政玟 ,  金志原 ,  鲁珍圭 ,  尹嚆重 ,  裵相元 ,  成敬模

IPC: C09K13/08 ,  H01L21/306 ,  C09K13/00

Abstract: 本公开内容涉及用于蚀刻硅和硅锗的蚀刻剂组合物、和/或使用所述蚀刻剂组合物的图案的制备方法。所述蚀刻剂组合物可包括氧化剂、基于氟的化合物、由化学式1或2表示的表面活性剂和水。所述蚀刻剂组合物可以5重量％‑40重量％的量包括所述表面活性剂，基于100重量％的所述蚀刻剂组合物。

公开(公告)号：CN116904990A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310178446.2

申请日：2023-02-28

Applicant: 东友精细化工有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 金志原 ,  鲁珍圭 ,  尹嚆重 ,  朴汉雨 ,  成旼哉 ,  金秀珍 ,  吴政玟 ,  裵相元

IPC: C23F1/14 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及一种含有高碘酸和铵离子且具有6至7.5的pH值的钌蚀刻液组合物、一种包括使用该蚀刻液组合物来蚀刻钌金属膜的图案形成方法、一种包括该图案形成方法的制造用于显示装置的阵列基板的方法、以及一种根据该制造方法制造的用于显示装置的阵列基板。

公开(公告)号：CN119177446A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202410805223.9

申请日：2024-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 咸喆 ,  姜炳俊 ,  金相完 ,  金圣玟 ,  朴仁仙 ,  宋佳荣 ,  吴政玟 ,  黄圭荣

IPC: C23F1/16 ,  C09K13/06

Abstract: 提供蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的膜的方法和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物包括氧化剂、酸和选择性蚀刻抑制剂，其中所述氧化剂为不含金属的，所述选择性蚀刻抑制剂包括包含第一重复单元和第二重复单元的共聚物，所述第一重复单元不同于所述第二重复单元，并且所述第一重复单元为含氮的重复单元。

公开(公告)号：CN110120358B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201910034834.7

申请日：2019-01-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 朴美贤 ,  吴政玟 ,  金伶厚 ,  李晓山 ,  金兑根 ,  延蕊林 ,  吴海琳 ,  郑址洙 ,  赵旼熙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了清洁组合物、清洁装置和制造半导体器件的方法，清洁组合物包括：表面活性剂；去离子水；以及有机溶剂，其中，表面活性剂以约0.28M至约0.39M的浓度或约0.01至约0.017的摩尔分数包括在清洁组合物中，其中，有机溶剂以约7.1M至约7.5M的浓度或约0.27至约0.35的摩尔分数包括在清洁组合物中。

公开(公告)号：CN118547287A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410201168.2

申请日：2024-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜炳俊 ,  金圣玟 ,  成旼哉 ,  宋佳荣 ,  吴政玟 ,  李晓山 ,  崔炳基 ,  咸喆 ,  黄圭荣

IPC: C23F1/26 ,  H01L21/3213 ,  C23F1/44 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08

Abstract: 提供用于含钛层的蚀刻组合物、通过使用所述蚀刻组合物蚀刻含钛层的方法和通过使用所述蚀刻组合物制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、无机酸、和选择性蚀刻抑制剂，其中所述无机酸包括基于磷的无机酸、基于氯的无机酸、基于氟的无机酸、或其任意组合，并且所述选择性蚀刻抑制剂包括具有含氮重复单元的聚合物。

公开(公告)号：CN109148328B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201810631977.1

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  李晓山

IPC: H01L21/67

Abstract: 公开了工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。工艺腔包括第一壳体和在第一壳体上的第二壳体。第一壳体包括第一外壁、面对第一外壁的第一分隔壁以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN110277314A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910127992.7

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  易案爱富科技有限公司

Inventor： 金秀珍 ,  李孝善 ,  吴政玟 ,  李晓山 ,  金东铉 ,  金学秀 ,  吴政宰 ,  李明护

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  C23C14/48

Abstract: 提供了蚀刻SiGe前使用的预处理组合物，该组合物包括：酸；醇；具有化学式R-Si(R1)n(OR2)3-n的硅烷化合物，其中，R是(C3-C20)烷基、(C6-C12)芳基、(C6-C12)芳基(C3-C20)烷基或(C3-C20)烷基(C6-C12)芳基，R1是氢、羟基、卤素、(C1-C20)烷基、卤代(C1-C20)烷基、(C6-C12)芳基、(C6-C12)芳基(C1-C20)烷基或(C1-C20)烷基(C6-C12)芳基，R2是氢、(C1-C20)烷基、卤代(C1-C20)烷基、(C6-C12)芳基、(C6-C12)芳基(C1-C20)烷基或(C1-C20)烷基(C6-C12)芳基。

公开(公告)号：CN117127186A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310605238.6

申请日：2023-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜炳俊 ,  金地洹 ,  金圣玟 ,  金煌奭 ,  吴政玟 ,  李晓山 ,  崔炳基 ,  咸喆 ,  黄圭荣

IPC: C23G1/02

Abstract: 提供用于除去表面上残留物的清洁组合物及使用其清洁含有金属的膜和制造半导体器件的方法。所述用于除去表面上残留物的清洁组合物包括溶剂和清洁促进剂，并且不包括氧化剂，其中所述清洁促进剂包括由式1A表示的盐和由式1B表示的盐的至少一种，其中在式1A和1B中，各基团和变量如说明书中所描述的。