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公开(公告)号：CN106800772A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710036548.5
申请日：2017-01-18
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及聚合物复合材料领域，具体为一种具有选择性电磁屏蔽功能的尼龙6/碳纤维复合材料及其制备方法。通过制备工艺使得碳纤维在尼龙6基体中形成隔离网络结构，这一特殊结构使得所述复合材料在11GHz～12.4GHz频段表现出选择性电磁屏蔽特性。本发明的尼龙6/碳纤维复合材料具有一定的电性能和选择性电磁屏蔽特性，有广阔的应用前景，有望在电子电器封装、特殊建筑装饰（如屏蔽暗室、医院CT室）等领域获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN106084760A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610461083.3
申请日：2016-06-22
Applicant: 中北大学
CPC classification number: C08K7/00 , C08K3/04 , C08K2201/001 , C08L77/02
Abstract: 本发明涉及聚合物复合材料领域，具体是一种尼龙6/热膨胀石墨导电复合材料及其制备方法，所述复合材料是由98.636~99.818vol%的尼龙6（PA6）和0.182~1.364 vol%的热膨胀石墨（EG）构成的，制备步骤为：通过机械混合实现热膨胀石墨在尼龙6表面的均匀包覆，得到尼龙6/热膨胀石墨导电复合粒子，然后将复合粒子通过模压成型制备得到导电复合材料。本发明所述复合材料中EG在PA6基体中形成具有隔离结构的连续导电网络，使复合材料表现出良好的导电性能以及极低的逾渗值。
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公开(公告)号：CN106243463B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610763251.4
申请日：2016-08-30
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及聚合物复合材料领域，具体是一种聚合物/纳米石墨片/二氧化硅复合材料的制备方法。所述复合材料采用的原料中热膨胀石墨的粒径为0.2~0.6 mm，纳米SiO2的粒径为9‑15nm；该制备方法是将质量比为3:10~20：20~50的热膨胀石墨、纳米SiO2与聚合物通过机械搅拌熔融共混，热膨胀石墨和纳米SiO2间相互作用力使得热膨胀石墨原位剥离形成纳米石墨片，制得聚合物/纳米石墨片/二氧化硅复合材料。本发明利用不同维度填料对机械搅拌中剪切流场响应方式的不同，建立填料间相互作用，使热膨胀石墨原位剥离形成纳米石墨片，通过此种形态控制方法可以实现热膨胀石墨的原位剥离和纳米SiO2的良好分散，同时使得聚合物的力学性能以及热性能有效提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106084760B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610461083.3
申请日：2016-06-22
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及聚合物复合材料领域，具体是一种尼龙6/热膨胀石墨导电复合材料及其制备方法，所述复合材料是由98.636~99.818vol%的尼龙6（PA6）和0.182~1.364 vol%的热膨胀石墨（EG）构成的，制备步骤为：通过机械混合实现热膨胀石墨在尼龙6表面的均匀包覆，得到尼龙6/热膨胀石墨导电复合粒子，然后将复合粒子通过模压成型制备得到导电复合材料。本发明所述复合材料中EG在PA6基体中形成具有隔离结构的连续导电网络，使复合材料表现出良好的导电性能以及极低的逾渗值。
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公开(公告)号：CN106800772B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710036548.5
申请日：2017-01-18
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及聚合物复合材料领域，具体为一种具有选择性电磁屏蔽功能的尼龙6/碳纤维复合材料及其制备方法。通过制备工艺使得碳纤维在尼龙6基体中形成隔离网络结构，这一特殊结构使得所述复合材料在11GHz～12.4GHz频段表现出选择性电磁屏蔽特性。本发明的尼龙6/碳纤维复合材料具有一定的电性能和选择性电磁屏蔽特性，有广阔的应用前景，有望在电子电器封装、特殊建筑装饰（如屏蔽暗室、医院CT室）等领域获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN101718801B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910227917.4
申请日：2009-11-27
Applicant: 中北大学
IPC: G01P15/08 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及微加速度计领域，具体是一种基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计。适应了微加速度计应用领域对高灵敏度微加速度计的需要，实现高电子迁移率晶体管HEMT力电转换机理在微加速度计上的应用，所述微加速度计采用以下步骤加工制造：1、应用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出如下表1所示材料层结构的薄膜；2、应用微机电器件加工技术在薄膜上加工高电子迁移率晶体管HEMT；3、应用微机电器件加工技术加工微加速度计结构。有效利用高电子迁移率晶体管HEMT的力电转换机理，实现了高电子迁移率晶体管HEMT在微加速度计上的应用，灵敏度高、线性度好，完全可以适应微加速度计应用领域的实际需要。
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公开(公告)号：CN101718801A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910227917.4
申请日：2009-11-27
Applicant: 中北大学
IPC: G01P15/08 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及微加速度计领域，具体是一种基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计。适应了微加速度计应用领域对高灵敏度微加速度计的需要，实现高电子迁移率晶体管HEMT力电转换机理在微加速度计上的应用，所述微加速度计采用以下步骤加工制造：1、应用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出如下表1所示材料层结构的薄膜；2、应用微机电器件加工技术在薄膜上加工高电子迁移率晶体管HEMT；3、应用微机电器件加工技术加工微加速度计结构。有效利用高电子迁移率晶体管HEMT的力电转换机理，实现了高电子迁移率晶体管HEMT在微加速度计上的应用，灵敏度高、线性度好，完全可以适应微加速度计应用领域的实际需要。
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公开(公告)号：CN106243463A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610763251.4
申请日：2016-08-30
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及聚合物复合材料领域，具体是一种聚合物/纳米石墨片/二氧化硅复合材料的制备方法。所述复合材料采用的原料中热膨胀石墨的粒径为0.2~0.6 mm，纳米SiO2的粒径为9-15nm；该制备方法是将质量比为3:10~20：20~50的热膨胀石墨、纳米SiO2与聚合物通过机械搅拌熔融共混，热膨胀石墨和纳米SiO2间相互作用力使得热膨胀石墨原位剥离形成纳米石墨片，制得聚合物/纳米石墨片/二氧化硅复合材料。本发明利用不同维度填料对机械搅拌中剪切流场响应方式的不同，建立填料间相互作用，使热膨胀石墨原位剥离形成纳米石墨片，通过此种形态控制方法可以实现热膨胀石墨的原位剥离和纳米SiO2的良好分散，同时使得聚合物的力学性能以及热性能有效提高。
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