公开(公告)号：CN116944006A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202311203223.3

申请日：2023-09-19

申请人： 中北大学

发明人： 张乐 ,  李陶 ,  丑修建 ,  耿文平 ,  何剑 ,  穆继亮 ,  崔浩然 ,  余俊斌 ,  乔骁骏 ,  郝泽宇 ,  闫坤贤 ,  叶雷

IPC分类号： B06B1/06 ,  B81C3/00

摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种d11工作模式驱动的PMUT单元及其制备方法，解决了现有PMUT性能较低的技术问题，该方法包括在SOI片上表面制备压电层；在压电层上制作上电极；在SOI片下表面沉积二氧化硅层，在二氧化硅层的下表面向上刻蚀漏出SOI片的埋层；对二氧化硅层和SOI片中的埋层进行腐蚀，得到PMUT单元的空腔结构。本发明提供的PMUT单元采用压电材料表面横向伸缩工作模式膜薄压电层与振动层产生位移差，实现弯曲振动，可用于超声成像，同时可提高输出电压及相应灵敏度；该方法避免了压电层图形化过程中刻蚀工艺复杂、困难问题，该方法简单，可应用于医疗、工业、生物特征识别等领域。

公开(公告)号：CN116944006B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311203223.3

申请日：2023-09-19

申请人： 中北大学

发明人： 张乐 ,  李陶 ,  丑修建 ,  耿文平 ,  何剑 ,  穆继亮 ,  崔浩然 ,  余俊斌 ,  乔骁骏 ,  郝泽宇 ,  闫坤贤 ,  叶雷

IPC分类号： B06B1/06 ,  B81C3/00

摘要： 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种d11工作模式驱动的PMUT单元及其制备方法，解决了现有PMUT性能较低的技术问题，该方法包括在SOI片上表面制备压电层；在压电层上制作上电极；在SOI片下表面沉积二氧化硅层，在二氧化硅层的下表面向上刻蚀漏出SOI片的埋层；对二氧化硅层和SOI片中的埋层进行腐蚀，得到PMUT单元的空腔结构。本发明提供的PMUT单元采用压电材料表面横向伸缩工作模式膜薄压电层与振动层产生位移差，实现弯曲振动，可用于超声成像，同时可提高输出电压及相应灵敏度；该方法避免了压电层图形化过程中刻蚀工艺复杂、困难