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公开(公告)号：CN107680629B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201711034005.6
申请日：2017-10-30
摘要： 一种基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码对存储器进行加固方法，涉及低冗余矩阵码构造方法。解决了现有编码器和译码器对存储器进行加固的方式，影响存储器性能的问题。针对单粒子翻转效应中的多单元翻转效应，本发明基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码，且该低冗余矩阵码为错误纠错码，对于一个i位信息位，将其排列成一个m×n的矩阵，m≠4，m为行数，n为列数，采用本发明所提出的构造方法构造的低冗余矩阵码，低冗余矩阵码可以纠正随机1位错误，连续2位错误，直至最大连续n‑1位错误，需要冗余位的个数为2n。本发明主要用于对储器进行加固，还用于对磁盘整列以及信息通讯等领域进行保护。
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公开(公告)号：CN107845404A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711037273.3
申请日：2017-10-30
IPC分类号： G11C29/42
摘要： 一种新型低冗余二维矩阵码对存储器进行加固方法，涉及低冗余二维矩阵码构造方法。解决了现有二维矩阵码对存储器中的多单元翻转进行纠错保护时，冗余位过多的问题。对于一个i位信息位，将其排列成一个m×n的矩阵，m为行数，n为列数；采用本发明方法构造的低冗余二维矩阵码，可以纠正随机1位错误，连续2位错误，直至最大连续n/2位错误，需要冗余位的个数为(m-1)×n/2+n。本发明主要用于对存储器进行加固保护。
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公开(公告)号：CN107634755A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710972544.8
申请日：2017-10-18
IPC分类号： H03K19/20
摘要： 大数逻辑门构造电路，涉及大数逻辑门构造电路领域。本发明是为了解决现有大数逻辑门需要耗费较多硬件、功耗和延迟开销，严重影响存储器性能的问题。本发明输入信号输入到PMOS上拉电路和NMOS下拉电路中，输入信号中的低电平信号用于开启PMOS上拉电路，并以高电平信号形式输出；输入信号中的高电平信号用于开启NMOS上拉电路，并以低电平信号形式输出；PMOS上拉电路和NMOS下拉电路的输出均接入反相器的信号输入端；反相器，用于将不同时刻接收到的高电平信号和低电平信号分别取反，从而输出正确的多数逻辑值。它用于构造大数逻辑门。
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公开(公告)号：CN107240414A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710432399.4
申请日：2017-06-09
IPC分类号： G11C7/24
摘要： 抗辐射存储单元，涉及集成电路领域，具体为集成电路抗辐射加固领域中的抗单粒子翻转效应的存储单元设计领域。解决了辐射粒子使得存储器存储的信息翻转，从而降低存储器可靠性的问题。本发明针对单粒子翻转效应，利用切断反馈回路的方法，提高了存储单元的抗辐射能力。在本发明中，主要是采用了16个晶体管设计了一个新型抗单粒子翻转的存储单元来进行抗辐射的加固。本发明所述的存储单元主要用于充满辐射粒子的宇宙环境中。
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公开(公告)号：CN105336362A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510915575.0
申请日：2015-12-10
IPC分类号： G11C11/413
摘要： 抗辐射加固的静态随机存取储存器，涉及抗辐射加固电路领域。本发明是为了解决现有的静态随机存取储存器对空间和自然辐射环境下的辐射粒子敏感，导致可靠性差的问题。本发明所述的由12个MOS管来组成，分别是PMOS晶体管P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7和P8以及NMOS晶体管N1、N2、N3和N4。本发明可以对SRAM单元中任意单个节点的翻转进行加固，还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错，而同时不依赖于所存储的值。它用在集成电路设计中。
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公开(公告)号：CN106847325A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611218768.1
申请日：2016-12-26
IPC分类号： G11C7/24 , H03K19/003
CPC分类号： G11C7/24 , H03K19/00338
摘要： 抗单粒子翻转的存储单元，涉及集成电路抗辐射加固领域。解决了辐射粒子使得存储器存储的信息翻转，从而降低存储器可靠性的问题。本发明由10个MOS管来组成，分别是PMOS晶体管P1、P2以及NMOS晶体管N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7和N8。本发明可以对存储单元中任意单个节点的翻转进行加固，还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错，而同时不依赖于所存储的值。本发明主要用于对存储器进行抗单粒子翻转的加固保护。
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公开(公告)号：CN105336362B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201510915575.0
申请日：2015-12-10
IPC分类号： G11C11/413
摘要： 抗辐射加固的静态随机存取储存器，涉及抗辐射加固电路领域。本发明是为了解决现有的静态随机存取储存器对空间和自然辐射环境下的辐射粒子敏感，导致可靠性差的问题。本发明所述的由12个MOS管来组成，分别是PMOS晶体管P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7和P8以及NMOS晶体管N1、N2、N3和N4。本发明可以对SRAM单元中任意单个节点的翻转进行加固，还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错，而同时不依赖于所存储的值。它用在集成电路设计中。
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公开(公告)号：CN107680629A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201711034005.6
申请日：2017-10-30
摘要： 一种基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码对存储器进行加固方法，涉及低冗余矩阵码构造方法。解决了现有编码器和译码器对存储器进行加固的方式，影响存储器性能的问题。针对单粒子翻转效应中的多单元翻转效应，本发明基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码，且该低冗余矩阵码为错误纠错码，对于一个i位信息位，将其排列成一个m×n的矩阵，m≠4，m为行数，n为列数，采用本发明所提出的构造方法构造的低冗余矩阵码，低冗余矩阵码可以纠正随机1位错误，连续2位错误，直至最大连续n-1位错误，需要冗余位的个数为2n。本发明主要用于对储器进行加固，还用于对磁盘整列以及信息通讯等领域进行保护。
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公开(公告)号：CN114720031B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202210318073.X
申请日：2022-03-26
申请人： 中北大学
IPC分类号： G01L1/24
摘要： 本公开描述一种光纤光栅传感器及其制造方法，光纤光栅传感器包括中空管体和光纤光栅，中空管体包括沿轴向依次设置的第一管体、空腔部、以及第二管体，第一管体、空腔部、以及第二管体连续地形成，并且空腔部的内径大于第一管体和第二管体中任一者的内径，光纤光栅沿着中空管体的轴向延伸并且具有与第一管体固定连接的第一连接部、以及与第二管体固定连接的第二连接部，光纤光栅的栅区的至少一部分位于第一连接部与第二连接部之间。根据本公开，能够提供一种能够提高测量灵敏度的光纤光栅传感器。
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公开(公告)号：CN118190034A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410267930.7
申请日：2021-09-04
申请人： 中北大学
摘要： 本发明公开一种薄膜传感器及其制备方法、参数检测方法，该薄膜传感器包括：至少一个三向应变敏感单元；每个三向应变敏感单元包括三个应变栅，三个应变栅串联形成等边三角形；通过检测获得各应变栅的压降，基于各应变栅的压降确定待测构件的应变量和/或温度。本发明通过采用三向应变敏感单元，三个应变栅串联形成等边三角形，可通过较少导线检测各应变栅的压降，同时获得待测构件的应变和温度变化，有效降低薄膜传感器的占用面积，实现薄膜传感器小型化、多功能化、集成化，解决现有技术发动机内部空间不足的问题。
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