公开(公告)号：CN115993682B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202211652496.1

申请日：2022-12-22

Applicant: 中南大学

Inventor： 郑煜 ,  唐昕 ,  段吉安

IPC: G02B6/136

Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，具体公开了一种铌酸锂光波导制造方法，包括以下步骤：S1：准备铌酸锂晶圆，制备各掩模层并涂覆光刻胶；S2：通过光刻工艺将掩模层上的光波导图形转移至光刻胶上；S3：干法刻蚀氧化层并进行刻蚀截止检测、去除光刻胶；S4：用湿法刻蚀清洗并去除多余的多晶硅；S5：用湿法和干法结合刻蚀芯层铌酸锂，获得铌酸锂光波导；S6：去掉铌酸锂光波导上的掩模层、多晶硅层、并高温回流处理后并沉积上包层，该方法结合了干法刻蚀和湿法刻蚀，可获得较高的刻蚀速率。

公开(公告)号：CN114823350A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210400657.1

申请日：2022-04-17

Applicant: 中南大学

Inventor： 郑煜 ,  唐昕 ,  成杰 ,  段吉安

IPC: H01L21/467 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，包括硅衬底层、二氧化硅下包层、铌酸锂芯层、第一铬金属阻挡层；针对现有的干法刻蚀重新对氟基气体和氩离子刻蚀环节进行优化，以氟基气体为主的化学物理作用侧重于提高刻蚀效率和增加刻蚀深度，以氩离子为主的物理作用侧重于去除前一种刻蚀方法中生成的氟化锂固体沉积物，两者相互结合以实现铌酸锂薄膜的高效和高质量刻蚀。尤其是对于大膜厚的铌酸锂薄膜，在上述刻蚀方法的作用下，也可以起到明显的作用和效果。因此本发明的刻蚀方法适用于所有膜厚的铌酸锂薄膜，具有工艺方案改造成本低、兼容性高、可靠性好及实施便捷等优点。

公开(公告)号：CN115993682A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211652496.1

申请日：2022-12-22

Applicant: 中南大学

Inventor： 郑煜 ,  唐昕 ,  段吉安

IPC: G02B6/136

Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，具体公开了一种铌酸锂光波导制造方法，包括以下步骤：S1：准备铌酸锂晶圆，制备各掩模层并涂覆光刻胶；S2：通过光刻工艺将掩模层上的光波导图形转移至光刻胶上；S3：干法刻蚀氧化层并进行刻蚀截止检测、去除光刻胶；S4：用湿法刻蚀清洗并去除多余的多晶硅；S5：用湿法和干法结合刻蚀芯层铌酸锂，获得铌酸锂光波导；S6：去掉铌酸锂光波导上的掩模层、多晶硅层、并高温回流处理后并沉积上包层，该方法结合了干法刻蚀和湿法刻蚀，可获得较高的刻蚀速率。

公开(公告)号：CN113671730A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110858224.6

申请日：2021-07-28

Applicant: 中南大学

Inventor： 郑煜 ,  唐昕 ,  段吉安

IPC: G02F1/025 ,  G02F1/015

Abstract: 本申请公开了一种硅光子pin结光衰减结构，硅光子pin结光衰减结构基于SOI晶圆制成，SOI晶圆包括：基底层、埋氧层和器件层，其中，在器件层进行刻蚀后至少剩余第一部分，第一部分为硅光传输波导；硅光传输波导的两侧分别形成第一台阶和第二台阶；在第一台阶上形成P区和/或N区，在第二台阶上形成N区和/或P区；P区上形成金属互连柱，N区上形成金属互连柱；在P区中的之一上形成金属互连层；在N区中的之一上形成金属互连层。通过本申请解决了现有技术中的可调光衰减结构所存在的问题，从而提供了一种衰减范围宽、响应快的可调光衰减结构。