公开(公告)号：CN115863391A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211653575.4

申请日：2022-12-22

Applicant: 中南大学

Inventor： 成杰 ,  郑煜 ,  段吉安

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H10B51/30

Abstract: 本发明涉及二维MFMIS开关及存储器件技术领域，具体公开了二维MFMIS开关及存储器件及其制备方法，包括从下往上依次设置的衬底、二维半导体纳米片、二维h‑BN纳米片、二维石墨烯纳米片和二维铁电纳米片，所述二维半导体纳米片、二维h‑BN纳米片、二维石墨烯纳米片和二维铁电纳米片的覆盖面积均不超过位于各自下层的面积，二维石墨烯纳米片一端覆盖二维半导体纳米片，另一端伸出覆盖于衬底之上；还包括源端电极、漏端电极、中间栅电极和顶栅电极，所述源端电极和漏端电极位于二维半导体纳米片的两端，中间栅电极设置于二维石墨烯纳米片覆盖于衬底的一端，顶栅电极设置于二维石墨烯纳米片与二维h‑BN纳米片重叠区域上。

公开(公告)号：CN114839769A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210447180.2

申请日：2022-04-26

Applicant: 中南大学

Inventor： 郑煜 ,  谢万胜 ,  成杰 ,  谢星浩 ,  段吉安

IPC: G02B27/00

Abstract: 本发明涉及滤光片膜系技术领域，具体为一种滤光片膜系自动化设计方法，所述滤光片膜系自动化设计方法包括以下步骤：S1、确定求解空间，S2、中心波长调整，S3、结构参数编码，S4、生成初始种群，S5、计算光学特性，S6、计算带宽及通带波纹，S7、适应算子过程，S8、计算适应度值，S9、选择算子过程，S10、交叉算子过程，S11、变异算子过程，S12、循环迭代优化，通过使用本发明中滤光膜系自动化设计方法，使得滤光片的膜系设计工作具有全局优化、易于编程实现、计算量较小、优化效果好、自动化设计、操作简便的优点。

公开(公告)号：CN114743918B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202210446129.X

申请日：2022-04-26

Applicant: 中南大学

Inventor： 郑煜 ,  谢星浩 ,  成杰 ,  谢万胜 ,  段吉安

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明涉及半导体设备技术领域，具体为一种含气体保护的晶圆真空吸附旋转装置，包括外壳和固定在外壳内部的凸台，所述外壳内装配有无刷直流电机、真空吸附机构、带传动机构以及吹气机构组成，真空吸附机构包括吸附组件及固定在吸附组件底部的抽气组件，所述无刷直流电机通过带传动机构与抽气组件连动。本发明通过带传动方式将电机与中空轴连接，避免了电机处于真空吸盘正下方，加上凸起与吸盘挡圈配合隔绝化学液体，同时进行氮气吹扫以及在真空吸盘上安装O形密封圈，保证晶圆高速旋转的同时，避免化学液接触电机造成电机腐蚀，具有结构简单，成本较低，性能优良，应用范围广等优点。

公开(公告)号：CN114823350A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210400657.1

申请日：2022-04-17

Applicant: 中南大学

Inventor： 郑煜 ,  唐昕 ,  成杰 ,  段吉安

IPC: H01L21/467 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，包括硅衬底层、二氧化硅下包层、铌酸锂芯层、第一铬金属阻挡层；针对现有的干法刻蚀重新对氟基气体和氩离子刻蚀环节进行优化，以氟基气体为主的化学物理作用侧重于提高刻蚀效率和增加刻蚀深度，以氩离子为主的物理作用侧重于去除前一种刻蚀方法中生成的氟化锂固体沉积物，两者相互结合以实现铌酸锂薄膜的高效和高质量刻蚀。尤其是对于大膜厚的铌酸锂薄膜，在上述刻蚀方法的作用下，也可以起到明显的作用和效果。因此本发明的刻蚀方法适用于所有膜厚的铌酸锂薄膜，具有工艺方案改造成本低、兼容性高、可靠性好及实施便捷等优点。

公开(公告)号：CN114839769B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202210447180.2

申请日：2022-04-26

Applicant: 中南大学

Inventor： 郑煜 ,  谢万胜 ,  成杰 ,  谢星浩 ,  段吉安

IPC: G02B27/00

Abstract: 本发明涉及滤光片膜系技术领域，具体为一种滤光片膜系自动化设计方法，所述滤光片膜系自动化设计方法包括以下步骤：S1、确定求解空间，S2、中心波长调整，S3、结构参数编码，S4、生成初始种群，S5、计算光学特性，S6、计算带宽及通带波纹，S7、适应算子过程，S8、计算适应度值，S9、选择算子过程，S10、交叉算子过程，S11、变异算子过程，S12、循环迭代优化，通过使用本发明中滤光膜系自动化设计方法，使得滤光片的膜系设计工作具有全局优化、易于编程实现、计算量较小、优化效果好、自动化设计、操作简便的优点。

公开(公告)号：CN114743918A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210446129.X

申请日：2022-04-26

Applicant: 中南大学

Inventor： 郑煜 ,  谢星浩 ,  成杰 ,  谢万胜 ,  段吉安

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明涉及半导体设备技术领域，具体为一种含气体保护的晶圆真空吸附旋转装置，包括外壳和固定在外壳内部的凸台，所述外壳内装配有无刷直流电机、真空吸附机构、带传动机构以及吹气机构组成，真空吸附机构包括吸附组件及固定在吸附组件底部的抽气组件，所述无刷直流电机通过带传动机构与抽气组件连动。本发明通过带传动方式将电机与中空轴连接，避免了电机处于真空吸盘正下方，加上凸起与吸盘挡圈配合隔绝化学液体，同时进行氮气吹扫以及在真空吸盘上安装O形密封圈，保证晶圆高速旋转的同时，避免化学液接触电机造成电机腐蚀，具有结构简单，成本较低，性能优良，应用范围广等优点。