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公开(公告)号：CN101503796B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910042952.9
申请日：2009-03-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于线形试样制备CVD金刚石膜的装置，包括真空反应室和位于该真空反应室内部的气体裂解热丝、气体排出装置以及用于放置线性基体的基体支撑架，其特征在于，所述的气体排出装置为一个具有窄缝通气腔的气体收集器。所述的气体收集器具有V形横截面，所述的气体裂解热丝、线性基体和气体收集器的入口自上而下依次排列设置，其目的是将气体束集在一个较小的且和气体裂解热丝和线性基体配合的区域，以提高气体被裂解的比例，提高气体的利用率。本装置可使气流场分布成V型截面，提高混合气体的利用率和金刚石晶体的生长速率，保证基体表面沉积均匀的金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN101503796A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910042952.9
申请日：2009-03-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于线形试样制备CVD金刚石膜的装置，包括真空反应室和位于该真空反应室内部的气体裂解热丝、气体排出装置以及用于放置线性基体的基体支撑架，其特征在于，所述的气体排出装置为一个具有窄缝通气腔的气体收集器。所述的气体收集器具有V形横截面，所述的气体裂解热丝、线性基体和气体收集器的入口自上而下依次排列设置，其目的是将气体束集在一个较小的且和气体裂解热丝和线性基体配合的区域，以提高气体被裂解的比例，提高气体的利用率。本装置可使气流场分布成V型截面，提高混合气体的利用率和金刚石晶体的生长速率，保证基体表面沉积均匀的金刚石薄膜。
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