公开(公告)号：CN113481597B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202110768894.9

申请日：2021-07-07

Applicant: 中南大学

Inventor： 梁彦杰 ,  刘振兴 ,  柴立元 ,  杨志辉 ,  彭聪 ,  周元 ,  周艺伟 ,  邓方杰 ,  丁风华 ,  廖艺

IPC: C30B29/10 ,  C30B25/00 ,  C30B35/00

Abstract: 本发明公开了一种Zn‑P‑As单晶的制备方法，单质As与单质P放置处定义为a端，与a端相对应的用于结晶的另一端定义为c端，a端和c端之间的ZnO放置处定义为b端；保护性气氛或真空的密闭环境下，将单质As、单质P和ZnO按位置放好后，控制a端温度为870℃～890℃，c端温度为810℃～830℃，经保温晶体生长得到Zn‑P‑As单晶。本发明得到一种新型半导体单晶材料，具有与化学计量比为3:5:2.6的Zn3P5As2.6晶体材料一致的结构，正交晶系，空间群为Cmcm；与单晶Si(Eg:1.1～1.3eV)的带隙接近，在新型电子器件以及光伏领域具有潜在的应用前景。

公开(公告)号：CN116445741A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310256663.9

申请日：2023-03-16

Applicant: 中南大学

Inventor： 彭聪 ,  刘相恒 ,  柴立元 ,  梁彦杰 ,  宋家琪 ,  王海鹰 ,  彭兵 ,  柯勇 ,  李云 ,  刘振兴 ,  周元 ,  赖心婷 ,  廖艺

IPC: C22B30/04

Abstract: 本发明提供了一种砷提纯的方法，将粗砷、铋粉和含碘调质剂封闭在密闭容器内的第一端，密闭容器内为真空或惰性气氛；其中，密闭容器包括相对设置的第一端和第二端；对密闭容器进行第一阶段加热，包括对第一端在第一温度下进行加热和对第二端在第二温度下进行加热，且第一温度大于第二温度，第二温度大于纯砷的沸点；对进行第一阶段加热后的密闭容器进行第二阶段加热，包括对第一端在第三温度下进行加热和对第二端在第四温度下进行加热，得到金属砷；第三温度大于第四温度，第三温度小于纯砷的沸点。解决了现有技术原料为剧毒物质，不利于安全生产；工艺流程冗长；难以获得高纯度金属砷等问题。

公开(公告)号：CN116511494A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310506363.1

申请日：2023-05-08

Applicant: 中南大学

Inventor： 梁彦杰 ,  廖艺 ,  彭聪 ,  柴立元 ,  闵小波 ,  赵飞平 ,  柯勇 ,  林璋 ,  刘振兴 ,  付泽霖

IPC: B22F1/14 ,  B22F9/04 ,  C22F1/02 ,  C22F1/16

Abstract: 本发明提供了一种二维层状砷锑材料，包括步骤：S1，提供砷锑层状合金；S2，将砷锑层状合金以及第一有机分散剂在无氧、无水环境下湿磨，得混合物；向混合物中加入第二有机分散剂进行液相剥离，得二维层状砷锑材料。该方法简单易操作，成本较低，通过该制备方法可以获得低成本大量的二维层状砷锑材料。填补了二维层状砷锑材料的制备技术的空白，解决了现有技术中二维材料制备产量低、制备成本高昂的问题，实现了二维层状砷锑材料的高效制备，获得的二维层状砷锑材料应用前景广阔。

公开(公告)号：CN113481597A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110768894.9

申请日：2021-07-07

Applicant: 中南大学

Inventor： 梁彦杰 ,  刘振兴 ,  柴立元 ,  杨志辉 ,  彭聪 ,  周元 ,  周艺伟 ,  邓方杰 ,  丁风华 ,  廖艺

IPC: C30B29/10 ,  C30B25/00 ,  C30B35/00

Abstract: 本发明公开了一种Zn‑P‑As单晶的制备方法，单质As与单质P放置处定义为a端，与a端相对应的用于结晶的另一端定义为c端，a端和c端之间的ZnO放置处定义为b端；保护性气氛或真空的密闭环境下，将单质As、单质P和ZnO按位置放好后，控制a端温度为870℃～890℃，c端温度为810℃～830℃，经保温晶体生长得到Zn‑P‑As单晶。本发明得到一种新型半导体单晶材料，具有与化学计量比为3:5:2.6的Zn3P5As2.6晶体材料一致的结构，正交晶系，空间群为Cmcm；与单晶Si(Eg:1.1～1.3eV)的带隙接近，在新型电子器件以及光伏领域具有潜在的应用前景。