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公开(公告)号：CN107935049A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711064708.3
申请日：2017-11-02
申请人： 中南大学
IPC分类号： C01G45/12 , H01M4/58 , H01M10/0525
摘要： 本发明属于能源材料领域，提出一种锂离子电池负极材料Bi2Mn4O10的制备方法及所得产物。所述制备方法包括步骤：(1)按n(Mn)/n(Bi)＝2的摩尔配比称取铋源和锰源，(2)进行湿法球磨，(3)将得到的前驱体浆料进行干燥获得前驱体粉末；(4)前驱体粉末置于焙烧设备中，在空气气氛下，在600～800℃温度下焙烧3～10h。传统的石墨材料质量比容量小，体积比容量小。本发明所提供的Bi2Mn4O10负极材料可有效的解决上述问题。本发明提出的制备方法工艺简单，成本低廉，安全可靠，环境友好，所得的Bi2Mn4O10负极材料振实密度大，纯度高，具有高充放电质量比容量和体积比容量，及良好的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN104060106A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410251939.5
申请日：2014-06-09
申请人： 中南大学
CPC分类号： Y02P10/234
摘要： 本发明提出一种从含铋溶液中用溶剂萃取法提取铋及制备氧化铋的方法，包括步骤：(1)Fe3+还原；(2)铋水解；(3)铋水解渣盐酸重溶；(4)萃取；(5)洗涤；(6)反萃沉淀(7)热分解等步骤。本发明提出的方法，实现了铋的充分回收，可以直接得到三氧化二铋。与其他现有的湿法提铋流程相比，具有工艺流程短、适用性广，生产成本低、易实现产业化等优点。
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公开(公告)号：CN113481597A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110768894.9
申请日：2021-07-07
申请人： 中南大学
摘要： 本发明公开了一种Zn‑P‑As单晶的制备方法，单质As与单质P放置处定义为a端，与a端相对应的用于结晶的另一端定义为c端，a端和c端之间的ZnO放置处定义为b端；保护性气氛或真空的密闭环境下，将单质As、单质P和ZnO按位置放好后，控制a端温度为870℃～890℃，c端温度为810℃～830℃，经保温晶体生长得到Zn‑P‑As单晶。本发明得到一种新型半导体单晶材料，具有与化学计量比为3:5:2.6的Zn3P5As2.6晶体材料一致的结构，正交晶系，空间群为Cmcm；与单晶Si(Eg:1.1～1.3eV)的带隙接近，在新型电子器件以及光伏领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN113481598B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110768899.1
申请日：2021-07-07
申请人： 中南大学
IPC分类号： C30B29/10 , C30B1/10 , C30B1/02 , B22F9/04 , H01L31/032 , H01L31/036
摘要： 本发明公开了一种Zn‑P‑As晶体材料及其制备方法和应用，所述Zn‑P‑As晶体材料中Zn、P、As的原子比为3：5：2.6，正交晶系，空间群为Cmcm，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，保护性气氛或真空环境下，将单质As、单质P以及单质Zn球磨混合，升温至620℃～820℃下保温反应不低于6h即得。本发明所载的Zn‑P‑As晶体材料，其光学带隙约为1.2eV，与单晶Si(Eg:1.1～1.3eV)的带隙接近，作为半导体材料，在新型电子器件领域以及光伏领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN113481597B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110768894.9
申请日：2021-07-07
申请人： 中南大学
摘要： 本发明公开了一种Zn‑P‑As单晶的制备方法，单质As与单质P放置处定义为a端，与a端相对应的用于结晶的另一端定义为c端，a端和c端之间的ZnO放置处定义为b端；保护性气氛或真空的密闭环境下，将单质As、单质P和ZnO按位置放好后，控制a端温度为870℃～890℃，c端温度为810℃～830℃，经保温晶体生长得到Zn‑P‑As单晶。本发明得到一种新型半导体单晶材料，具有与化学计量比为3:5:2.6的Zn3P5As2.6晶体材料一致的结构，正交晶系，空间群为Cmcm；与单晶Si(Eg:1.1～1.3eV)的带隙接近，在新型电子器件以及光伏领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN113481598A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110768899.1
申请日：2021-07-07
申请人： 中南大学
IPC分类号： C30B29/10 , C30B1/10 , C30B1/02 , B22F9/04 , H01L31/032 , H01L31/036
摘要： 本发明公开了一种Zn‑P‑As晶体材料及其制备方法和应用，所述Zn‑P‑As晶体材料中Zn、P、As的原子比为3：5：2.6，正交晶系，空间群为Cmcm，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，保护性气氛或真空环境下，将单质As、单质P以及单质Zn球磨混合，升温至620℃～820℃下保温反应不低于6h即得。本发明所载的Zn‑P‑As晶体材料，其光学带隙约为1.2eV，与单晶Si(Eg:1.1～1.3eV)的带隙接近，作为半导体材料，在新型电子器件领域以及光伏领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN107935049B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201711064708.3
申请日：2017-11-02
申请人： 中南大学
IPC分类号： H01M4/58 , C01G45/12 , H01M10/0525
摘要： 本发明属于能源材料领域，提出一种锂离子电池负极材料Bi2Mn4O10的制备方法及所得产物。所述制备方法包括步骤：(1)按n(Mn)/n(Bi)＝2的摩尔配比称取铋源和锰源，(2)进行湿法球磨，(3)将得到的前驱体浆料进行干燥获得前驱体粉末；(4)前驱体粉末置于焙烧设备中，在空气气氛下，在600～800℃温度下焙烧3～10h。传统的石墨材料质量比容量小，体积比容量小。本发明所提供的Bi2Mn4O10负极材料可有效的解决上述问题。本发明提出的制备方法工艺简单，成本低廉，安全可靠，环境友好，所得的Bi2Mn4O10负极材料振实密度大，纯度高，具有高充放电质量比容量和体积比容量，及良好的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN104060106B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410251939.5
申请日：2014-06-09
申请人： 中南大学
CPC分类号： Y02P10/234
摘要： 本发明提出一种从含铋溶液中用溶剂萃取法提取铋及制备氧化铋的方法，包括步骤：(1)Fe3+还原；(2)铋水解；(3)铋水解渣盐酸重溶；(4)萃取；(5)洗涤；(6)反萃沉淀(7)热分解等步骤。本发明提出的方法，实现了铋的充分回收，可以直接得到三氧化二铋。与其他现有的湿法提铋流程相比，具有工艺流程短、适用性广，生产成本低、易实现产业化等优点。
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