公开(公告)号：CN106637110B

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201610910439.7

申请日：2016-10-19

Applicant: 中南大学

Inventor： 周科朝 ,  魏秋平 ,  郭曜华 ,  易忠 ,  刘向鹏 ,  马莉 ,  余志明

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/04 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  G01N27/04

Abstract: 本发明公开了一种锇膜电阻型原子氧密度传感器芯片的制备方法，包括以下步骤：(1)将基片、基片固定板、锇膜线掩膜板和电极掩膜板分别依次在丙酮、酒精和去离子水中超声振荡清洗；(2)将经清洗后的基片固定在清洗后的基片固定板上，将经清洗后的锇膜线掩膜板盖在基片上，通过磁控溅射在基片上沉积锇膜线；(3)取出锇膜线掩膜板并将经清洗后的电极掩膜板盖在沉积有锇膜线的基片上，通过磁控溅射在锇膜线的两端沉积铜膜或金膜；(4)对沉积有锇膜线并且沉积有铜膜或金膜的基片在真空条件下进行低温热处理，然后随炉冷却，即得芯片。该制备方法工艺简单，通过该方法制备得到的芯片中锇膜表面平整无微裂纹且厚度较大。

公开(公告)号：CN106637110A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610910439.7

申请日：2016-10-19

Applicant: 中南大学

Inventor： 周科朝 ,  魏秋平 ,  郭曜华 ,  易忠 ,  刘向鹏 ,  马莉 ,  余志明

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/04 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  G01N27/04

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/042 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5806 ,  G01N27/04

Abstract: 本发明公开了一种锇膜电阻型原子氧密度传感器芯片的制备方法，包括以下步骤：(1)将基片、基片固定板、锇膜线掩膜板和电极掩膜板分别依次在丙酮、酒精和去离子水中超声振荡清洗；(2)将经清洗后的基片固定在清洗后的基片固定板上，将经清洗后的锇膜线掩膜板盖在基片上，通过磁控溅射在基片上沉积锇膜线；(3)取出锇膜线掩膜板并将经清洗后的电极掩膜板盖在沉积有锇膜线的基片上，通过磁控溅射在锇膜线的两端沉积铜膜或金膜；(4)对沉积有锇膜线并且沉积有铜膜或金膜的基片在真空条件下进行低温热处理，然后随炉冷却，即得芯片。该制备方法工艺简单，通过该方法制备得到的芯片中锇膜表面平整无微裂纹且厚度较大。