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公开(公告)号：CN101295749B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810031498.2
申请日：2008-06-16
申请人： 中南大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺，将3N及以下的金属硅原材料经过制粉、成型与烧结，制成特定形状的金属硅锭子，而后切割成300～500微米厚的薄膜太阳能电池衬底。该工艺制备之衬底经特殊扩阻挡层处理后，可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配，避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落。本工艺采用的原料成本低、工艺简单并适于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。
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公开(公告)号：CN101295704A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810031500.6
申请日：2008-06-16
申请人： 中南大学
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/3205 , H01L21/768 , C23C14/35 , C23C14/06
摘要： 本发明公开了一种用于铜互连的Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其质量百分比为1.5％～7.8％的Al、8.4％～11.5％的N和余量为Ta，用多靶磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜的工艺，具体来说采用磁控溅射法来制备。该Ta－Al－N薄膜经900℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Ta－N或Ta/Ta－N阻挡层相比，本发明的Ta－Al－N薄膜在保持了传统阻挡层材料良好黏附性和低电阻率的同时，由于少量Al的加入，可有效提高其阻挡性能；同时少量Al的存在，使薄膜表面易于形成极薄的氧化铝薄层，有效避免了阻挡层的氧化。
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公开(公告)号：CN100592508C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200810031500.6
申请日：2008-06-16
申请人： 中南大学
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/3205 , H01L21/768 , C23C14/35 , C23C14/06
摘要： 本发明公开了一种用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其质量百分比为1.5%～7.8%的Al、8.4%～11.5%的N和余量为Ta，用多靶磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜的工艺，具体来说采用磁控溅射法来制备。该Ta-Al-N薄膜经900℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Ta-N或Ta/Ta-N阻挡层相比，本发明的Ta-Al-N薄膜在保持了传统阻挡层材料良好黏附性和低电阻率的同时，由于少量Al的加入，可有效提高其阻挡性能；同时少量Al的存在，使薄膜表面易于形成极薄的氧化铝薄层，有效避免了阻挡层的氧化。
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公开(公告)号：CN101295750A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810031499.7
申请日：2008-06-16
申请人： 中南大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种基于熔铸法的金属硅太阳能电池衬底制备工艺。将3N及以下的金属硅粉在1600℃温度下通过高温熔铸方法制成硅棒，而后将硅棒切割成薄膜太阳能电池用薄片衬底。该工艺制备之衬底经特殊杂质外扩阻挡层处理后，可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配，避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落，更重要的是原料成本低、工艺简单并便于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。
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公开(公告)号：CN101295749A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810031498.2
申请日：2008-06-16
申请人： 中南大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺，将3N及以下的金属硅原材料经过制粉、成型与烧结，制成特定形状的金属硅锭子，而后切割成300～500微米厚的薄膜太阳能电池衬底。该工艺制备之衬底经特殊扩阻挡层处理后，可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配，避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落。本工艺采用的原料成本低、工艺简单并适于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。
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