一种基于单极距的激电测深方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114859424A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210402934.2

    申请日:2022-04-18

    IPC分类号: G01V3/08 G01V3/38

    摘要: 本发明公开了一种基于单极距的激电测深方法,包括确定待测深区域;对待测深区域进行测深观测得到测深观测数据;计算得到充电率衰减曲线;得到所有测点的充电率衰减曲线并计算得到背景充电率衰减曲线;计算各个测点的充电率衰减曲线与背景充电率衰减曲线的比值曲线;计算各个测点的相对比值曲线;计算得到不同时间对应不同深度的充电率相对比值,完成最终的单极距激电测深。本发明通过一个长的供电极距观测就能够获得不同深度的激电信息,相比于传统的几何测深采用多个长度不同的供电极距实现测深的方法,本发明方法极大提升了激电测深的外业工作效率。