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发明公开
一种先进工艺库辐照参数建模分析方法及系统审中-公开

公开(公告)号：CN116681027A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310223355.6

申请日：2023-03-09

申请人： 中国人民解放军国防科技大学

发明人： 刘畅 , 赵晖 , 时发银 , 孙乾 , 李勇 , 梁斌 , 郭阳 , 覃道沾

IPC分类号： G06F30/398

摘要： 本发明公开了一种先进工艺库辐照参数建模分析方法及系统，本发明先进工艺库辐照参数建模分析方法包括：从待分析的GDS版图文件中提取版图层次的图形信息；基于版图层次信息获取GDS版图文件中的晶体管位置数据；基于版图层次的图形信息获得各个晶体管的电气连接关系；基于晶体管位置数据以及晶体管的电气连接关系对晶体管进行TCAD模型建模；基于得到的TCAD模型进行重离子轰击模拟实验；使用重离子轰击模拟实验的实验数据生成可供查询的辐照信息数据库。本发明旨在针对GDS版图文件实现了一套自动化的先进工艺库辐照参数自动分析方法，以自动、快速、准确、全面地获得辐照参数库。