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公开(公告)号:CN116681027A
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202310223355.6
申请日:2023-03-09
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号: G06F30/398
摘要: 本发明公开了一种先进工艺库辐照参数建模分析方法及系统,本发明先进工艺库辐照参数建模分析方法包括:从待分析的GDS版图文件中提取版图层次的图形信息;基于版图层次信息获取GDS版图文件中的晶体管位置数据;基于版图层次的图形信息获得各个晶体管的电气连接关系;基于晶体管位置数据以及晶体管的电气连接关系对晶体管进行TCAD模型建模;基于得到的TCAD模型进行重离子轰击模拟实验;使用重离子轰击模拟实验的实验数据生成可供查询的辐照信息数据库。本发明旨在针对GDS版图文件实现了一套自动化的先进工艺库辐照参数自动分析方法,以自动、快速、准确、全面地获得辐照参数库。
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公开(公告)号:CN118780222A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202410861069.7
申请日:2024-06-28
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号: G06F30/337 , G06F30/327 , G06F30/331 , G06F30/3312
摘要: 本发明公开了一种基于重综合的时序ECO方法、系统及介质,本发明方法借助于综合工具的强大时序优化能力,使用收紧的时序约束产生的新网表会具有更短的关键路径,在此基础上,通过算法使用新网表中优化的逻辑结构对旧网表中的关键路径进行局部替换,同时尽可能保留旧网表中的原有逻辑,可以在尽可能少修改旧网表的基础上达到时序修复。本发明旨在使用新网表中优化的逻辑结构对旧网表中的关键路径进行局部替换,同时尽可能保留旧网表中的原有逻辑,可以在尽可能少修改旧网表的基础上达到时序修复的目的,实现低成本,高效率,短时间地解决芯片设计后期出现的严重时序违例问题,节省大量人力和时间的投入,缩短芯片设计周期。
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