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公开(公告)号：CN109451647B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201811295041.2
申请日：2018-11-01
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H05H5/03
摘要： 本发明公开了一种强流二极管锥体陶瓷封装真空界面绝缘结构，目的是提高强流二极管长时间保真空能力和耐受工作电压。本发明由阴极座、第一均压罩、第二均压罩、内导体、第一可伐环、锥角绝缘体、瓷环、第二可伐环、第一法兰、第二法兰、强流二极管外筒组成；阴极座、第一均压罩、第二均压罩、内导体、第一可伐环、锥角绝缘体、瓷环、第二可伐环、第一法兰位于强流二极管外筒内部，锥角绝缘体右端通过第一可伐环封装阴极座和瓷环，左端通过第二可伐环封装第一法兰，实现一体化封装；本发明通过合理设计锥角绝缘体、均压罩等电场屏蔽结构，优化表面电场和沿面磁场分布，降低界面沿面闪络几率，提高强流二极管长时间保真空能力和耐受工作电压。
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公开(公告)号：CN109599316B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710916157.2
申请日：2017-09-30
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 一种X波段高增益高效率三轴相对论速调管放大器，包括阴极座301、阴极302、阳极外筒303、内导体304、调制腔305、第一反射腔306、第一群聚腔307、第二反射腔308、第二群聚腔309、第三反射腔310、提取腔311、锥波导312、反馈环313、电子收集极314、支撑杆315、微波输出口316、螺线管磁场317、注入波导318，整体结构关于中心轴线OZ轴旋转对称。该发明通过对器件电磁结构的合理设计，克服现有X波段三轴相对论速调管放大器中轴向注入或侧向双端口注入的复杂结构、增益（约40dB）、效率（
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公开(公告)号：CN109243727B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810985215.1
申请日：2018-08-28
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于表面非均匀波纹的同轴型强流陶瓷真空绝缘子，目的是提出一种能阻断电子沿面运动和二次电子雪崩过程，提高同轴型陶瓷绝缘子沿面击穿场强的真空绝缘子。本发明整体呈圆盘状，由阴极、绝缘平板、阳极同轴嵌套连接而成；绝缘平板为氧化铝陶瓷，其处于强流二极管真空工作环境的面从中心孔由内往外依次为：第一无波纹区域、非均匀波纹区域、第二无波纹区域。非均匀波纹区域由第一浅波纹区域、深波纹区域、第二浅波纹区域组成。本发明能阻止电子沿面向阳极运动，能束缚越过波峰结构的电子，能阻断电子沿面运动和二次电子雪崩过程，削弱了表面解吸附气体电离过程，提高了同轴型陶瓷绝缘子沿面击穿场强。
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公开(公告)号：CN109599316A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710916157.2
申请日：2017-09-30
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 一种X波段高增益高效率三轴相对论速调管放大器，包括阴极座301、阴极302、阳极外筒303、内导体304、调制腔305、第一反射腔306、第一群聚腔307、第二反射腔308、第二群聚腔309、第三反射腔310、提取腔311、锥波导312、反馈环313、电子收集极314、支撑杆315、微波输出口316、螺线管磁场317、注入波导318，整体结构关于中心轴线OZ轴旋转对称。该发明通过对器件电磁结构的合理设计，克服现有X波段三轴相对论速调管放大器中轴向注入或侧向双端口注入的复杂结构、增益（约40dB）、效率（
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公开(公告)号：CN109451647A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811295041.2
申请日：2018-11-01
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H05H5/03
摘要： 本发明公开了一种强流二极管锥体陶瓷封装真空界面绝缘结构，目的是提高强流二极管长时间保真空能力和耐受工作电压。本发明由阴极座、第一均压罩、第二均压罩、内导体、第一可伐环、锥角绝缘体、瓷环、第二可伐环、第一法兰、第二法兰、强流二极管外筒组成；阴极座、第一均压罩、第二均压罩、内导体、第一可伐环、锥角绝缘体、瓷环、第二可伐环、第一法兰位于强流二极管外筒内部，锥角绝缘体右端通过第一可伐环封装阴极座和瓷环，左端通过第二可伐环封装第一法兰，实现一体化封装；本发明通过合理设计锥角绝缘体、均压罩等电场屏蔽结构，优化表面电场和沿面磁场分布，降低界面沿面闪络几率，提高强流二极管长时间保真空能力和耐受工作电压。
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公开(公告)号：CN109243727A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810985215.1
申请日：2018-08-28
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于表面非均匀波纹的同轴型强流陶瓷真空绝缘子，目的是提出一种能阻断电子沿面运动和二次电子雪崩过程，提高同轴型陶瓷绝缘子沿面击穿场强的真空绝缘子。本发明整体呈圆盘状，由阴极、绝缘平板、阳极同轴嵌套连接而成；绝缘平板为氧化铝陶瓷，其处于强流二极管真空工作环境的面从中心孔由内往外依次为：第一无波纹区域、非均匀波纹区域、第二无波纹区域。非均匀波纹区域由第一浅波纹区域、深波纹区域、第二浅波纹区域组成。本发明能阻止电子沿面向阳极运动，能束缚越过波峰结构的电子，能阻断电子沿面运动和二次电子雪崩过程，削弱了表面解吸附气体电离过程，提高了同轴型陶瓷绝缘子沿面击穿场强。
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