-
公开(公告)号：CN111739953B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202010649128.6
申请日：2020-07-08
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0312 , H01L31/08
摘要： 本发明公开一种用于提高碳化硅光导开关光电转换效率的光学结构，包括碳化硅光导开关、反射结构；所述碳化硅光导开关包括透明电极、SiC材料衬底、背反电极；所述透明电极、SiC材料衬底、背反电极依次由上向下排列；所述反射结构位于所述透明电极上方；所述反射结构与所述透明电极之间的间距L满足：L
-
公开(公告)号：CN110995209B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201911243625.X
申请日：2019-12-06
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H03K3/53
摘要： 本发明公开了一种基于纳米液体介质的梳状脉冲形成线，目的是解决脉冲形成线难以在较小尺寸条件下提供长方波脉冲及平均储能密度低、耐受电压低的问题。本发明对梳状脉冲形成线的结构加以优化，改进内导体的结构，梳状内导体和外筒形成了一种慢波结构，采用纳米液体介质，变压器采用特斯拉变压器且从一体化的形成线中分离初级线圈和次级线圈，并添加磁芯加强以初次级线圈之间的耦合作用，提升变压比。本发明能够增加梳状形成线储能，实现长脉冲输出，提高储能密度，且结构紧凑，分离的特斯拉变压器与梳状形成线结构能促进纳米液体和梳状形成线的配合效果，同时保证特斯拉变压器与变压器油良好的配合效果不变。
-
公开(公告)号：CN111371409B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202010310042.0
申请日：2020-04-20
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种光控可调频全固态多周期微波产生器，包括传输线、激光二极管驱动、激励激光二极管、激光脉冲经光纤、高压电极、接地电极和介质。本发明的有益效果是：采用多固态光导开关和固态传输线单元直接形成电磁振荡，经天线产生微波，在微波振荡产生过程中，无需气体火花隙开关和强流真空电子束，具备固态模块化特性；利用开关的关断性能在负载上形成多周期振荡脉冲，能量分散到各个模块，第m个单元异常只影响其自身输出的第m个双极性脉冲，对最终整体波形产生影响较小，不会导致全系统崩溃。
-
公开(公告)号：CN113823554A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111097889.6
申请日：2021-09-18
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01L21/04
摘要： 本发明提供一种背面光入射的平面电极型碳化硅光导半导体器件的制备方法，包括清洗、镀膜、匀胶、光刻、刻蚀、镀金属层、剥离、划片和减薄等步骤，制备出的光导半导体器件能够采用紫外光(λ＝355nm)背面光入射方式进行触发，可以在光导半导体器件内部形成电流通道，从而降低了平面电极间的表面电流，有效地提升光电转化效率；并且使用嵌入式欧姆接触电极，能够避免载流子在电极处的堆积造成局部电场过大导致提前发生击穿，提高了器件耐压能力；同时由于采用了减薄工艺，进一步减小器件尺寸和导通电阻，可以确保器件厚度接近穿透厚度，从而有效提升背面光入射时光生载流子浓度，实现光导半导体器件在亚纳秒电磁脉冲产生系统中的实际应用。
-
公开(公告)号：CN113206655A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110443602.4
申请日：2021-04-23
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H03K3/53
摘要： 本发明公开了一种沿角向排布的紧凑低阻抗双线型脉冲形成网络，目的是解决现有角向并联结构脉冲形成网络轴向尺寸大，空间利用率不高的缺点。本发明由金属内筒、M组脉冲形成单元和金属外筒组成。M组脉冲形成单元沿轴向套在金属内筒侧面，并密封在金属外筒的内部。相邻脉冲形成单元沿轴向等距排列。脉冲形成单元由内导体板、中间导体板、外导体板、电容器组成。M组脉冲形成单元沿轴向并联，M块内导体板、M块中间导体板、M块外导体板分别沿轴向并联。在外导体板、中间导体板之间均匀排列N个电容器；在中间导体板、内导体板之间也均匀排列N个电容器，2N个电容器沿圆周方向交错排列。本发明能显著提高空间利用率，实现装置小型化。
-
公开(公告)号：CN113013732A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110401991.4
申请日：2021-04-14
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种具有尖峰电极结构的异形自击穿高压气体开关，目的是解决现有自击穿气体开关由于没有触发极造成其自击穿不稳定，自击穿电压离散度较大等问题。本发明由阴极电极、阳极电极、阴极杆、阳极杆和绝缘腔体组成。阴极杆和阳极杆通过螺栓固定在绝缘腔体上，阴极电极和阳极电极通过螺纹孔分别固定在阴极杆和阳极杆上。绝缘腔体由绝缘筒，前绝缘端板和后绝缘端板构成。阳极电极的阳极突出部位和阴极电极的阴极突出部位加工成粗糙度为N的带尖峰结构；通过增大开关电极表面粗糙度，增大电极表面电场，促使开关电极表面电子产生，使开关击穿更加稳定，减小自击穿电压离散度从而提升自击穿高压气体开关工作稳定性。
-
公开(公告)号：CN111682862A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010582504.4
申请日：2020-06-23
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H03K3/53
摘要： 本发明公开了一种组合绝缘型卷绕带状脉冲形成线，目的是提高脉冲形成线耐压等级及能量密度峰值。本发明由金属带和绝缘介质带组成，金属带由上金属带，中金属带和下金属带构成，绝缘介质带由上储能介质带，下储能介质带和隔离介质带构成；上储能介质带和下储能介质带均由n2层聚酰亚胺膜和n1层聚丙烯膜叠加而成；隔离介质带由n3层聚丙烯膜沿垂直于上金属带方向叠加而成；金属带和绝缘介质带按照上金属带-上储能介质带-中金属带-下储能介质带-下金属带-隔离介质带的顺序依次叠加，并卷绕成阿基米德螺旋线状。本发明通过组合绝缘方式优化高压电极边缘电场分布，提高了高功率脉冲形成线耐压等级及能量密度峰值。
-
公开(公告)号：CN109451647A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811295041.2
申请日：2018-11-01
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H05H5/03
摘要： 本发明公开了一种强流二极管锥体陶瓷封装真空界面绝缘结构，目的是提高强流二极管长时间保真空能力和耐受工作电压。本发明由阴极座、第一均压罩、第二均压罩、内导体、第一可伐环、锥角绝缘体、瓷环、第二可伐环、第一法兰、第二法兰、强流二极管外筒组成；阴极座、第一均压罩、第二均压罩、内导体、第一可伐环、锥角绝缘体、瓷环、第二可伐环、第一法兰位于强流二极管外筒内部，锥角绝缘体右端通过第一可伐环封装阴极座和瓷环，左端通过第二可伐环封装第一法兰，实现一体化封装；本发明通过合理设计锥角绝缘体、均压罩等电场屏蔽结构，优化表面电场和沿面磁场分布，降低界面沿面闪络几率，提高强流二极管长时间保真空能力和耐受工作电压。
-
公开(公告)号：CN109243727A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810985215.1
申请日：2018-08-28
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于表面非均匀波纹的同轴型强流陶瓷真空绝缘子，目的是提出一种能阻断电子沿面运动和二次电子雪崩过程，提高同轴型陶瓷绝缘子沿面击穿场强的真空绝缘子。本发明整体呈圆盘状，由阴极、绝缘平板、阳极同轴嵌套连接而成；绝缘平板为氧化铝陶瓷，其处于强流二极管真空工作环境的面从中心孔由内往外依次为：第一无波纹区域、非均匀波纹区域、第二无波纹区域。非均匀波纹区域由第一浅波纹区域、深波纹区域、第二浅波纹区域组成。本发明能阻止电子沿面向阳极运动，能束缚越过波峰结构的电子，能阻断电子沿面运动和二次电子雪崩过程，削弱了表面解吸附气体电离过程，提高了同轴型陶瓷绝缘子沿面击穿场强。
-
公开(公告)号：CN110098822B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910397754.8
申请日：2019-05-14
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H03K3/53
摘要： 本发明公开了一种高储能密度液体介质基折叠型径向脉冲形成线，目的是解决现有形成线难以在较小尺寸条件下提供长方波脉冲的问题。本发明由内导体、外筒、2块绝缘支撑板、液体介质组成，关于中心轴OO’旋转对称，内导体同轴内置于外筒中心，外筒两端分别由2块绝缘支撑板封闭。内导体由圆筒、n个等间距排列的外圆盘突起组成；外筒由圆筒、n个等间距排列的内圆环突起组成，每个内圆环突起处于两个外圆盘突起之间的中间位置，与外圆盘突起交错镶嵌，构成径向折叠结构的慢波结构；液体介质采用高储能密度液体介质。本发明能增加形成线储能、减慢电磁波传输的速度，实现长脉冲输出，并保持整体结构紧凑，增长输出脉冲宽度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
55 条记录 (耗时 0.03 秒)
