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公开(公告)号：CN104538334A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410785587.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国地质大学(北京)
CPC classification number: H01L21/67161 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，包括CCP设备、ICP设备和配气系统，所述配气系统与所述CCP设备和ICP设备连接，用于将所述CCP设备及ICP设备内抽成真空，同时还用于向所述CCP设备及ICP设备内通入混合气体，所述配气系统与所述CCP设备及ICP设备的连接处均设置有阀门。本发明提供的等离子处理系统，通过腔室结构变化可实现CCP和ICP两种放电模式，在一套设备中实现两种操作；通过改变CCP的上电极位置可以对等离子体的行程进行改变；通过更换ICP的线圈可实现对不同尺寸的晶片进行处理，且可以获得较均匀的等离子体分布；通过真空控制系统可实现对不同放电模式的操作。
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公开(公告)号：CN106442325B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610958577.2
申请日：2016-10-28
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明提供了一种用于等离子体检测的二维光纤阵列光谱检测系统，其包括：入射光纤；切尼‑特纳光路结构，其设置在所述入射光纤的下游；面阵光纤，所述面阵光纤包括入射端和出射端，所述入射端连接所述切尼‑特纳光路结构的输出端；光电倍增管阵列，所述光电倍增管阵列由多个光电倍增管单元组成，其中每个所述光电倍增管单元用于接收所述面阵光纤的出射端的一束光纤束的输出；放大器，所述放大器用于放大所述光电倍增管阵列输出的电信号；计数器，所述计数器电连接到所述放大器，用于将所述放大器传输进来的电信号转换成光子个数进行计数。本发明的光谱检测系统具有空间分辨率高、光电倍增管的使用效率高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN103426710B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210155511.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种供气均匀的等离子体刻蚀装置，包括反应腔室，其中相对且间隔地设置接地电极和射频电极，还设有气体供应装置，所述气体供应装置包括至少一根匀气管路，该匀气管路一端为进气口，另一端封闭，在该匀气管路的侧壁上设置多个出气孔；所述匀气管路，其进气口留在反应腔室外面且密封地插入所述反应腔室，具有出气孔的所述匀气管路部分即出气管部分，在所述接地电极和射频电极之间设置，且出气孔均朝向置于其间的工件的方向。本发明还提供所述气体供应装置。本发明的反应腔室能够很好的提高反应腔室内部气体气压分布的均匀性，降低工件的废品率，提高反应腔室的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103422071B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210155362.9
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种可快速更换匀气方式的真空腔室，是一包括腔筒、上盖（20）和下盖的腔体，在上盖（20）上设进气喷嘴（10），进气喷嘴连通一其下方的第一腔体构成第一布气室（160），第一布气室外壁与真空腔体内壁间构成第二布气室（170），在第一布气室腔体壁上设布气孔连通第一布气室和第二布气室；第二布气室腔体壁上设出气口，其上连设真空泵的管路；构成第一布气室的第一腔体与腔体间构成可拆连接结构，腔体上设若干连接结构与不同规格的第一布气室上的连接结构连接，构成可拆连接结构。本发明可检测不同进气方式下腔室内部空间及各气路上的压力参数，研究集成电路制造过程中气流参数对工艺的影响规律，并可显著提高IC装备腔室布气部件优化设计的可信度。
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公开(公告)号：CN104538341A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410785568.9
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种真空腔室静电卡盘调节装置，包括静电卡盘支撑结构、底座和高度调节结构，所述静电卡盘支撑结构设置在所述静电卡盘的下侧，用于支撑所述静电卡盘，所述底座固定在所述真空腔室的下盖上，所述高度调节结构与所述底座和静电卡盘支撑结构相连接，用于调节所述静电卡盘的高度，在调节高度的同时能够保证所述静电卡盘的水平度。本发明中的静电卡盘调节装置能够实现静电卡盘的竖直方向运动，并能够保证在运动过程中静电卡盘的水平平衡，同时还能够实现对静电卡盘及晶片温度的调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104538334B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410785587.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种多功能等离子体腔室处理系统，其特征在于，包括CCP设备、ICP设备和配气系统，所述配气系统与所述CCP设备和ICP设备连接，用于将所述CCP设备及ICP设备内抽成真空，同时还用于向所述CCP设备及ICP设备内通入混合气体，所述配气系统与所述CCP设备及ICP设备的连接处均设置有阀门。本发明提供的等离子处理系统，通过腔室结构变化可实现CCP和ICP两种放电模式，在一套设备中实现两种操作；通过改变CCP的上电极位置可以对等离子体的行程进行改变；通过更换ICP的线圈可实现对不同尺寸的晶片进行处理，且可以获得较均匀的等离子体分布；通过真空控制系统可实现对不同放电模式的操作。
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公开(公告)号：CN104538341B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410785568.9
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种真空腔室静电卡盘调节装置，包括静电卡盘支撑结构、底座和高度调节结构，所述静电卡盘支撑结构设置在所述静电卡盘的下侧，用于支撑所述静电卡盘，所述底座固定在所述真空腔室的下盖上，所述高度调节结构与所述底座和静电卡盘支撑结构相连接，用于调节所述静电卡盘的高度，在调节高度的同时能够保证所述静电卡盘的水平度。本发明中的静电卡盘调节装置能够实现静电卡盘的竖直方向运动，并能够保证在运动过程中静电卡盘的水平平衡，同时还能够实现对静电卡盘及晶片温度的调节。
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公开(公告)号：CN103426710A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210155511.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种供气均匀的等离子体刻蚀装置，包括反应腔室，其中相对且间隔地设置接地电极和射频电极，还设有气体供应装置，所述气体供应装置包括至少一根匀气管路，该匀气管路一端为进气口，另一端封闭，在该匀气管路的侧壁上设置多个出气孔；所述匀气管路，其进气口留在反应腔室外面且密封地插入所述反应腔室，具有出气孔的所述匀气管路部分即出气管部分，在所述接地电极和射频电极之间设置，且出气孔均朝向置于其间的工件的方向。本发明还提供所述气体供应装置。本发明的反应腔室能够很好的提高反应腔室内部气体气压分布的均匀性，降低工件的废品率，提高反应腔室的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103426807B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210155520.0
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种配置有工件取放装置的半导体刻蚀装置，包括腔室主体，还包括取放工件装置，所述的取放工件装置包括射频电极升降机构和取片视窗出口，射频电极升降机构包括螺旋传力机构和导向机构，螺旋传力机构中的螺母和螺杆与导向机构中的导柱和导套的轴线重合，且驱动电机安装在导套的一端面上。本发明的反应腔室能够方便的取放工件，避免频繁开启反应腔室的端盖所引起的密封件磨损，提高反应腔室的使用寿命，此外取放工件装置包括两级升降机构，实现对不同尺寸工件在两个电极间位置的调整。
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公开(公告)号：CN103426807A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210155520.0
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种配置有工件取放装置的半导体刻蚀装置，包括腔室主体，还包括取放工件装置，所述的取放工件装置包括射频电极升降机构和取片视窗出口，射频电极升降机构包括螺旋传力机构和导向机构，螺旋传力机构中的螺母和螺杆与导向机构中的导柱和导套的轴线重合，且驱动电机安装在导套的一端面上。本发明的反应腔室能够方便的取放工件，避免频繁开启反应腔室的端盖所引起的密封件磨损，提高反应腔室的使用寿命，此外取放工件装置包括两级升降机构，实现对不同尺寸工件在两个电极间位置的调整。
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