一种用于敷料的高分子水凝胶及其制备方法

    公开(公告)号:CN104771780A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201510163532.1

    申请日:2015-04-09

    Abstract: 本发明提供了一种用于敷料的高分子水凝胶及其制备方法,本发明属于辐射化学与生物医用高分子材料领域。本发明选用生物相容性好的明胶、羧甲基纤维素钠、葡甘聚糖、水溶性壳聚糖、聚谷氨酸、透明质酸等作为原料,经共混、热取向、封装,通过控制热取向的温度、取向力和取向时间,增强水凝胶的力学强度,利用高能射线辐照交联,使取向获得的规整聚集态结构进一步固定增强,来合成高强度敷料。本发明提供的水凝胶具有良好的理化和生物学性能,抗张强度大且透明性好,用于敷料具有较好的抗菌促愈效果。本发明用于敷料的水凝胶制备不需使用胶粘剂或无纺布等加强层,工艺简单能耗低,在辐照同时实现杀菌消毒,降低了生产成本,利于大规模生产。

    一种气凝胶材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103599734A

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201310590267.6

    申请日:2013-11-22

    Abstract: 本发明提供了一种气凝胶材料及其制备方法,所述材料由聚合物和粘土经水溶液共混、辐照交联、冷冻干燥制备而成,其中聚合物以气凝胶重量计为5-95%,粘土以气凝胶重量计为95-5%,气凝胶密度介于0.03-0.20g/cm3。本发明的气凝胶材料的制备方法,依次包括如下步骤:a将聚合物溶解于去离子水中,加入粘土,搅拌,直到均匀分布的悬浊液;b将步骤a)所得的悬浊液在高能射线下进行辐照交联,高能射线的辐照剂量为1kGy-200kGy;c将步骤b)所得的辐照产物冷冻后冻干,形成所需。由于制备过程仅采用水作溶剂,辐照方式交联不需要化学交联剂,交联高效可控,交联密度均匀,制备过程绿色环保,生产效率高。

    一种气凝胶材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103599734B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201310590267.6

    申请日:2013-11-22

    Abstract: 本发明提供了一种气凝胶材料及其制备方法,所述材料由聚合物和粘土经水溶液共混、辐照交联、冷冻干燥制备而成,其中聚合物以气凝胶重量计为5?95%,粘土以气凝胶重量计为95?5%,气凝胶密度介于0.03?0.20 g/cm3。本发明的气凝胶材料的制备方法,依次包括如下步骤:a将聚合物溶解于去离子水中,加入粘土,搅拌,直到均匀分布的悬浊液;b将步骤a)所得的悬浊液在高能射线下进行辐照交联,高能射线的辐照剂量为1 kGy?200 kGy;c将步骤b)所得的辐照产物冷冻后冻干,形成所需。由于制备过程仅采用水作溶剂,辐照方式交联不需要化学交联剂,交联高效可控,交联密度均匀,制备过程绿色环保,生产效率高。

    4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF转换膜制备方法

    公开(公告)号:CN103132037A

    公开(公告)日:2013-06-05

    申请号:CN201310017714.9

    申请日:2013-01-17

    Abstract: 本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF转换膜制备方法,主要包含以下步骤:将单晶4H-SiC基体分别浸没于丙酮、无水乙醇中进行超声波清洗;采用偏压反溅射清洗去除单晶4H-SiC基体中杂质,采用预溅射清洗去除6LiF靶材的杂质;以6LiF靶材作为磁控靶在单晶4H-SiC基体上溅射沉积6LiF涂层;溅射清洗和溅射沉积均以氩气为起辉气体;磁控溅射沉积6LiF涂层达设计厚度,反应磁控溅射镀膜真空炉内的真空度调整至不低于10-3Pa自然冷却后出炉,即得到在4H-SiC基体上沉积的6LiF涂层转换膜。本发明得到的4H-SiC/6LiF转换膜层,具有较体积小、探测效率高、耐辐照损伤、耐高温以及n/γ甄别能力强等优点,制备工艺操作简单,且厚度可控。

    4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF转换膜制备方法

    公开(公告)号:CN103132037B

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201310017714.9

    申请日:2013-01-17

    Abstract: 本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF转换膜制备方法,主要包含以下步骤:将单晶4H-SiC基体分别浸没于丙酮、无水乙醇中进行超声波清洗;采用偏压反溅射清洗去除单晶4H-SiC基体中杂质,采用预溅射清洗去除6LiF靶材的杂质;以6LiF靶材作为磁控靶在单晶4H-SiC基体上溅射沉积6LiF涂层;溅射清洗和溅射沉积均以氩气为起辉气体;磁控溅射沉积6LiF涂层达设计厚度,反应磁控溅射镀膜真空炉内的真空度调整至不低于10-3Pa自然冷却后出炉,即得到在4H-SiC基体上沉积的6LiF涂层转换膜。本发明得到的4H-SiC/6LiF转换膜层,具有较体积小、探测效率高、耐辐照损伤、耐高温以及n/γ甄别能力强等优点,制备工艺操作简单,且厚度可控。

    一种无机纳米粒子的改性方法

    公开(公告)号:CN109777153A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910183432.3

    申请日:2019-03-12

    Abstract: 本发明公开了一种无机纳米粒子的改性方法。本发明的无机纳米粒子的改性方法采用高能射线对惰性气氛中的无机纳米粒子进行辐照,无机纳米粒子在高能射线的作用下,无机纳米粒子内部电子发生受激跃迁,导致顺磁性物质产生,含有顺磁性物质的分子链和聚合物或聚合物基体材料发生反应,增加了分子间的相互作用,明显改善无机纳米粒子与聚合物或聚合物基体的相容性,使无机纳米粒子能够稳定均匀的分散在有机分子基体材料中。本发明的无机纳米粒子的改性方法不仅解决了无机纳米材料易团聚的问题,赋予了无机纳米材料超分散性,而且,本发明的无机纳米粒子的改性方法可在常温常压下操作,具有工艺简单、生产效率高、改性效果好、成本低的优点。

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