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公开(公告)号：CN105352624A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510650526.9
申请日：2015-10-09
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： G01K11/00
CPC分类号： G01K11/00
摘要： 本发明提供了一种全光纤式设计的器件微米尺度温度分布的测量方法及系统，将稀土薄膜涂覆在待测量的器件样品表面；将激光照射到稀土薄膜表面，采集稀土薄膜激发的两种不同波长的荧光；将两种不同波长的荧光分离，并将不同波长荧光下的稀土薄膜分别成像；对不同波长荧光下的稀土薄膜成像分别进行解调，通过计算不同波长荧光下的稀土薄膜成像对应点的能量比，获得待测量器件表面的二维温度分布。本发明具有测温快、精度高等优点，并能够实时显示器件表面的二维温度分布状况。
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公开(公告)号：CN105300550A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510648411.6
申请日：2015-10-09
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： G01K11/00
摘要： 本发明提供了一种器件微米尺度二维温度分布的测量方法及系统，将稀土薄膜涂覆在待测量的器件样品表面；将激光照射到稀土薄膜表面，采集稀土薄膜激发的两种不同波长的荧光；将两种不同波长的荧光分离，并将不同波长荧光下的稀土薄膜分别成像；对不同波长荧光下的稀土薄膜成像分别进行解调，通过计算不同波长荧光下的稀土薄膜成像对应点的能量比，获得待测量器件表面的二维温度分布。本发明具有测温快、精度高等优点，并能够实时显示器件表面的二维温度分布状况。利用本发明可以实现器件表面二维温度分布的非接触、快速测量，进一步通过改变显微物镜的放大倍数可以实现样品不同尺寸范围区域的测量。
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公开(公告)号：CN105241577B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510648667.7
申请日：2015-10-09
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： G01K11/32
摘要： 本发明提供了一种基于光纤透镜的器件微米尺度温度分布的测量方法及系统，将稀土薄膜涂覆在待测量的器件样品表面；将激光照射到稀土薄膜表面，采集稀土薄膜激发的两种不同波长的荧光；将两种不同波长的荧光分离，并将不同波长荧光下的稀土薄膜分别成像；对不同波长荧光下的稀土薄膜成像分别进行解调，通过计算不同波长荧光下的稀土薄膜成像对应点的能量比，获得待测量器件表面的二维温度分布。本发明具有测温快、精度高等优点，并能够实时显示器件表面的二维温度分布状况。
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公开(公告)号：CN105241577A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510648667.7
申请日：2015-10-09
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： G01K11/32
摘要： 本发明提供了一种基于光纤透镜的器件微米尺度温度分布的测量方法及系统，将稀土薄膜涂覆在待测量的器件样品表面；将激光照射到稀土薄膜表面，采集稀土薄膜激发的两种不同波长的荧光；将两种不同波长的荧光分离，并将不同波长荧光下的稀土薄膜分别成像；对不同波长荧光下的稀土薄膜成像分别进行解调，通过计算不同波长荧光下的稀土薄膜成像对应点的能量比，获得待测量器件表面的二维温度分布。本发明具有测温快、精度高等优点，并能够实时显示器件表面的二维温度分布状况。
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公开(公告)号：CN105352624B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201510650526.9
申请日：2015-10-09
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： G01K11/00
摘要： 本发明提供了一种全光纤式设计的器件微米尺度温度分布的测量方法及系统，将稀土薄膜涂覆在待测量的器件样品表面；将激光照射到稀土薄膜表面，采集稀土薄膜激发的两种不同波长的荧光；将两种不同波长的荧光分离，并将不同波长荧光下的稀土薄膜分别成像；对不同波长荧光下的稀土薄膜成像分别进行解调，通过计算不同波长荧光下的稀土薄膜成像对应点的能量比，获得待测量器件表面的二维温度分布。本发明具有测温快、精度高等优点，并能够实时显示器件表面的二维温度分布状况。
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公开(公告)号：CN105300550B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201510648411.6
申请日：2015-10-09
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC分类号： G01K11/00
摘要： 本发明提供了一种器件微米尺度二维温度分布的测量方法及系统，将稀土薄膜涂覆在待测量的器件样品表面；将激光照射到稀土薄膜表面，采集稀土薄膜激发的两种不同波长的荧光；将两种不同波长的荧光分离，并将不同波长荧光下的稀土薄膜分别成像；对不同波长荧光下的稀土薄膜成像分别进行解调，通过计算不同波长荧光下的稀土薄膜成像对应点的能量比，获得待测量器件表面的二维温度分布。本发明具有测温快、精度高等优点，并能够实时显示器件表面的二维温度分布状况。利用本发明可以实现器件表面二维温度分布的非接触、快速测量，进一步通过改变显微物镜的放大倍数可以实现样品不同尺寸范围区域的测量。
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公开(公告)号：CN112529799A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011418118.8
申请日：2020-12-07
申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所
摘要： 本发明公开了一种基于FPGA卷积神经网络结构的光学像差畸变校正系统，包括探测相机、校正组件和FPGA卷积神经网络模型，所述探测相机为CDD相机，所述校正组件包括变形镜、凸透镜和半透半反镜；所述FPGA卷积神经网络模型包括卷积模块、非线性函数sigmoid模块、池化模块、中间量存储模块、全连接层模块，数据通过卷积模块和池化模块进行卷积运算和池化运算，各层之间通过非线性函数sigmoid模块实现激活连接。与现有技术相比，本发明提供的光学像差畸变校正系统具有功耗低、运行速度快、效率高等优点。
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