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公开(公告)号：CN114200504B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111517466.5
申请日：2021-12-13
申请人： 中国核动力研究设计院
IPC分类号： G01T1/29
摘要： 本发明公开了用于模拟β辐射源的电子束发生器及测试方法，电子束发生器包括电子光学系统，所述电子光学系统包括电子枪、正极、一级磁透镜和二级磁透镜；所述电子枪用于在尖端发射电子，所述电子枪与电压范围为0‑60kV的高压电源连接；所述正极设置在电子枪后端；用于加速在尖端发射的电子；所述一级磁透镜设置在正极后端，用于汇聚加速后的电子；所述二级磁透镜设置在一级磁透镜后端，用于将过焦点再次发散的电子束变成平行电子束。本发明所述电子束发生器不仅能够模拟β辐射源，且能够可产生能量密度不同的加速电子面光源，能够提高束流测量的准确性。
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公开(公告)号：CN115652393A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211279659.6
申请日：2022-10-19
申请人： 中国核动力研究设计院
摘要： 本发明公开了一种镍‑63放射源制备装置及制源工艺、应用，镍‑63放射源制备装置包括屏蔽箱体，以及安装在屏蔽箱体内的升降机构、衬底夹持工装和电镀槽；升降机构用于实现衬底夹持工装在竖直方向的位移；衬底夹持工装包括挂镀夹持工装和滚镀夹持工装，挂镀夹持工装和滚镀夹持工装均与升降机构可拆卸式连接；电镀槽包括外槽和内槽，所述内槽可拆卸式安装在外槽内，所述内槽包括与挂镀夹持工装相匹配的方形槽和与滚镀夹持工装相匹配的圆形槽。本发明所述装置具备挂镀与滚镀两种制源方式，具备对放射性射线的屏蔽能力，可对不同形状、尺寸和厚度的衬底进行电镀。
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公开(公告)号：CN114203329A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111518689.3
申请日：2021-12-13
申请人： 中国核动力研究设计院
IPC分类号： G21H1/06
摘要： 本发明公开了GaN基肖特基二极管、β核电池及其制备方法，GaN基肖特基二极管，包括n型GaN薄膜、金属层和石墨烯，所述n型GaN薄膜置于金属层和石墨烯之间，所述金属层和石墨烯分别作为GaN基肖特基二极管的底电极和顶电极。本发明所述GaN基肖特基二极管中的n型GaN薄膜采用外延生长技术获得，具有超薄的优点，且本发明的GaN基肖特基二极管中采用石墨烯作为电极，使得制备的GaN基肖特基二极管不仅具有厚度薄的优点。
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公开(公告)号：CN114196995A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111517520.6
申请日：2021-12-13
申请人： 中国核动力研究设计院
IPC分类号： C25D3/12 , C25D5/48 , C25D5/54 , C25D21/12 , C30B25/18 , C30B29/02 , C23C26/00 , C23F1/18 , G21G4/04
摘要： 本发明公开了一种超薄β辐射源的转移制备方法及β辐射源和应用，转移制备方法以PMMA/石墨烯薄膜作为阴极，Pt片作为阳极，采用电沉积方式在石墨烯表面沉积β辐射源形成膜层，电沉积所采用的沉积液包括以下组分：β辐射源、硼酸和氯化铵。本发明以PMMA/石墨烯薄膜作为阴极进行电沉积制备β辐射源，可将β辐射源均匀沉积至厚度为纳米级的石墨烯上，使制备得到β辐射源厚度约为1μm的超薄石墨烯/β辐射源。避免了β辐射源由于自屏蔽相应的原料浪费，且便于组装为超薄核电池，应用于微型元器件中。
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公开(公告)号：CN113866818A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111199580.8
申请日：2021-10-14
申请人： 中国核动力研究设计院
摘要： 本发明公开了一种堆外探测器中子灵敏度校准装置及方法，该装置包括线中子源、贮源容器、屏蔽体、慢化体、探测器定位孔和校准孔道；线中子源用于产生快中子；屏蔽体用于该装置在工作状态时屏蔽线中子源；慢化体用于将线中子源产生的快中子慢化成热中子；校准孔道作为热中子形成的热中子场所在的空间，用于反射热中子提高热中子注量率；堆外探测器通过探测器定位孔放置于该校准装置的热中子场中，且探测器根据检定人员通过控制系统发出的指令可沿探测器孔道上下移动。本发明装置操作简便，是目前国内唯一堆外探测器中子灵敏度校准装置，可以产生符合要求的热中子场用于中子灵敏度的校准，为反应堆的安全运行提供了可靠的计量保证。
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公开(公告)号：CN113418462A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110699238.8
申请日：2021-06-23
申请人： 中国核动力研究设计院
摘要： 本发明公开了一种用于研究堆内材料形变的测量装置，包括：夹持组件和形变测量组件，所述夹持组件内设置有与试验件适配的试验件安装槽，所述试验件固定在所述试验件安装槽内，所述夹持组件的侧面设置有形变测量组件安装孔，所述形变测量组件的测量端穿过所述形变测量组件安装孔与所述试验件接触，且所述形变测量组件与所述形变测量组件安装孔固定连接。本发明通过变测量组件对试验件的形变进行实时测量，使得其在进行形变测量的过程中，可以满足实时反映形变参数、辐照过程中的辐照性能的需求，能够实时反馈核材料在堆内辐照情况，并准确获取相关辐照参数。
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公开(公告)号：CN108918646B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810841777.9
申请日：2018-07-27
申请人： 中国核动力研究设计院
摘要： 本发明公开了一种63Ni活度浓度测量方法，包括以下步骤：1)、将待测样品Y1分别制备成样品Y2和样品Y3；2)、采用原子发射光谱法测量样品Y2中的镍质量浓度：3)、采用电感耦合等离子体质谱法测量样品Y3的镍同位素丰度比：4)、计算待测样品Y1的镍质量浓度C'、镍同位素丰度比R′i8、镍同位素丰度Ni、N8、63Ni质量浓度C3、63Ni活度浓度A3，本发明解决了现有液体闪烁计数器法导致测量准确度不高、环境不友好、测量指标不全面的问题。
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公开(公告)号：CN108977859B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201810876586.6
申请日：2018-08-03
申请人： 中国核动力研究设计院
摘要： 本发明公开了一种制备镍‑63放射源的方法，依次包括：溶解辐照后镍金属、添加钴载体、转换镍溶液的酸体系、去除镍溶液中的杂质、转换溶液的酸体系、电沉积制备63Ni放射源。本发明流程简化，便于实施，对辐照后镍靶件中的杂质去除率高，对镍的回收率高，所制备的63Ni放射源致密、均匀。
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公开(公告)号：CN108977658B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201810877693.0
申请日：2018-08-03
申请人： 中国核动力研究设计院
摘要： 本发明公开了一种Ni‑63溶液γ核素去除方法，包括：向待分离溶液中加入适量的反载体，并将溶液转为适合于柱分离的体系，得到样品溶液，通过反载体法来提高γ去除率。第二步、一次柱分离：采用阴离子交换树脂，通过控制淋洗液的浓度及用量来去除Ni‑63粗品中强γ核素，得到一次分离后的Ni‑63样品溶液Y2，一次分离γ去除率高达99.96％。为了进一步的提高Ni‑63产品溶液的纯度，可进行二次分离。采用本方案，将一次分离后的树脂柱再生后直接进行二次分离，得到最终Ni‑63产品溶液Y4，总γ去除率高达99.999％；成功制备高纯度的63NiCl2溶液，为Ni‑63β源的制备和测量奠定了技术基础，同时实施成本低。
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公开(公告)号：CN108918646A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810841777.9
申请日：2018-07-27
申请人： 中国核动力研究设计院
摘要： 本发明公开了一种63Ni活度浓度测量方法，包括以下步骤：1)、将待测样品Y1分别制备成样品Y2和样品Y3；2)、采用原子发射光谱法测量样品Y2中的镍质量浓度：3)、采用电感耦合等离子体质谱法测量样品Y3的镍同位素丰度比：4)、计算待测样品Y1的镍质量浓度C'、镍同位素丰度比R′i8、镍同位素丰度Ni、N8、63Ni质量浓度C3、63Ni活度浓度A3，本发明解决了现有液体闪烁计数器法导致测量准确度不高、环境不友好、测量指标不全面的问题。
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