一种交直流阻抗模拟电路及使用方法

    公开(公告)号:CN112927588A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201911244713.1

    申请日:2019-12-06

    Inventor: 张海 徐毅虎

    Abstract: 本发明提供了一种交直流阻抗模拟电路,包括:多个串联的阻抗、多个控制开关和位置开关;在每个阻抗连接点处和串联电路两端分别设有两条引线;其中每个阻抗连接点处的一条引线和串联电路两端的一条引线均通过1个位置开关进行星形连接,且接入T点,且所述位置开关的开/闭状态由T接点位置确定;所述每个阻抗连接点处的另一条引线均通过1个控制开关和串联电路两端的另一条引线进行星形连接,且所述控制开的关开/闭状态由模拟线路长度确定。本发明提供的一种交直流阻抗模拟电路及使用方法,降低了构造T型接入点时线路模拟设备的投入成本,提高了线路模拟设备的使用效率。

    一种适用于MOSFET器件的仿真模型装置

    公开(公告)号:CN112906327A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110069292.4

    申请日:2021-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种适用于MOSFET器件的仿真模型装置,属于电力电子与电力传动技术领域。本发明装置,包括:控制信号延时子电路,所述控制信号延时子电路接入控制信号及电流,并根据控制信号控制电流流入稳态子电路;稳态子电路,所述稳态子电路接入电流后,模拟MOSFET器件的开通及关断过程中漏源极电压及电流的变化,输出断态时漏源极电压及通态时漏源极电流;开通暂态子电路,所述开通态子电路以断态时漏源极电压作为控制对象,模拟MOSFET器件开通过程的漏源极电压;关断暂态子电路,所述关断暂态子电路以通态时漏源极电流作为控制对象,模拟MOSFET器件关断过程的漏源极电流。本发明体现了SIC MOSFET稳态工作特性及开通瞬态特性与关断瞬态特性。

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